Патенты с меткой «бариевого»

Номер патента: 55595

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Славин

МПК: H01J 1/142, H01J 9/04

Метки: бариевого, катода

...способа получения бариевого катода отжиг вольф. рамовой проволоки не является абсолютно необходимым с точки зрения очистки поверхности, так как вольфрам не подвергается омеднению, Однако, для удобства монтажа ламп, отжиг все же желательно производить (с целью формовки про. волоки). Повышение температуры отжига выше 700 нежелательно, вследствие возможности заметных потерь кислорода благодаря восстановлению ТОсодержащейся в проволоке:ТО, +2 Н,=Т+2 Н,ОВольфрамовая нить после отжига поступает непосредственно на монтаж, не подвергаясь омеднению, Зставка нити производится тем же способом, что и в случае омеднения нити; однако, возможность механического повреждения нити при вставке (обдирание поверхностного слоя), выводящего в брак...

Номер патента: 91634

Опубликовано: 01.01.1951

Авторы: Журавлев, Зябкина

МПК: C04B 7/24

Метки: бариевого, вещества, высокопрочного, вяжущего, цемента

...ОтпосяпеО,. я к систюге БаО - А 1 Оя - ЫОя,Шихта составляется с тзкгям расчетом, чтобы в готовом продукте нз 1,5 з-,го,г А 1 еОя приходит)ось, примерно, 5 с-,)1 о,г ВЯО и 3,5 с - зго.г 51)О что и процентгном отношении составляет прбг):Ятельно:ВЯО60- - 71"А.О, 15 - 20"БгОг15 - 20"Способ ПО гучеегИ 5 рсдсЯзевоК) вяж Пего сос Гонт В гх, чго тгца тельно перемешаннуо смесь из молотых материалов сернстого ил углекислого бария, глинозема и кварцевого песка 1:зспггзвляю Пр 1400", затем рау;ярую Путем резкого охлегжаеп холодной водой полус)нное стек,гооорязное всгцсствозгзсгьгвяк)т В тонкиЙ поропгок, который и прОдстаВит соб 010 В 5 гжупгий мЯтс)з,), оолидающий пементирую 11 и: своггствя.)и кзк В чггсты Ви;е, тяк; в сеси с друм 1)ззгичными...

Номер патента: 331442

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Иофнс, Новицкий, Сорокоумов

МПК: H01J 7/18

Метки: бариевого, газопоглоти, еля, изгоговл1ния

...одновременно с обезгаживанием электронно-оптической сис с емы кинескопов или электродов ПУЛ, 11 осле отпайки газопоглотитель распыляется, выделяя оставшиеся в нем после обезгаживанн 1 б газы, причем при этом происходит быстрое селективное поглощение этих газов ооразовавшейся бариевой пленкой, на чсо расходуется часть ее сорбционной емкости. 2 о гаемого изобретесшвлегиевого с азопоглогптел, псорого в электронных прнбоы уменьшить газоотделенне (ип и распылении газопогло о от кислородсодержащих гдется тем, что бариевые газодварительно обезгаживаются их в прибор) в режиме 450"С менее 2 - 5 10- млс рт, ст, в Зо течение 4 - 6 чсср, д затем прп той жс температуре в рдоочую камеру напускается газообразный азот, в атмосфере которого...

Номер патента: 535955

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Северин, Северина

МПК: B01J 21/02

Метки: алюмованадиевого, бариевого, катализатора, насыщения

...входе в первый слой катализатора 350 - 360 С, а на выхоле 5 из послед го слоя - 270 С.Зятем к воздуху дООЯВЛЯ 10 т серный а:Гнлрид госле второго слоя катализатора действующ.го аппарата. Коццентрацио его в газовоздушцой смеси, подаваемой ца аппарат, под дерк,:оают от 1,5 до 1,8 оо. %. По мере насыщения массы концентрацию непрерывно подимаот ца 0,1 - 0,15% в 1 и ло окончания насьщения катализатора. Концентрация серного газа к концу насыщения достигает 5 - 15 6,5 об, %.После насыщения вацадиевого катализатора в коптак 1 цый аппарат полают сернистый (50 г) ацгидрид с концентрацией 7,5 об. Ю в количестве 72000 гяз в 1 и для реакции окисле ния 50 г В 10 з. Райота котактных аппаратов в производстве серной кислоты Насыщение катализатора по...

Номер патента: 1222643

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Волошина, Зарина, Кручинин

МПК: C03C 6/04

Метки: бариевого, хрусталя, шихта

...стекла из традиционной шихты, является углекислый газ. Большое количество углекислого газа является причиной длйтельного процесса осветления. Использова ние гидроокиси бария вместо карбона 222643 2та бария и калиевой селитры вместопоташа приводит к резкому уменьшениюсодержания углекислого газа в стекломассе. Удаление водяных паров из стекломассы происходит в процессе варки значительно легче.Кроме того, замена поташа на калиевую селитру обусловлена условиями приготовления шихты. Одновремен-.1 О ное отсутствие в шихте гидроокисибария и поташа делает невозможным приготовление шихты, Поташ, являясь гигроскопичным материалом, поглощает воду, вводимую с гидроокисью ба рия, и сильно комкуется, Замена поташа на калиевую селитру позволяет...

Номер патента: 1496922

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Алехов, Давидович, Кононенко, Король, Титенко, Шелест

МПК: B22F 1/00, B22F 3/12, H01F 1/34 ...

Метки: бариевого, гексагонального, диапазона, свч, феррита

...количестве.Исходные компоненты смешивают ивают в вибромельнице в течемин. 1 омолотую смесь исходных нтов подвергают ферритизации 0 С в течение 4 ч, ферритизи1496922 При содержании атаназа в ТзО менее 40 мас./ и более 80 мас,К не формула и з обретения ЭО Пример Концентрация атаназав диоксиде титана (остальное - рутил),мас.Х Начальнаямагнитнаяпроницаемость цпри1=1 МГц МагнитныепотериИи при2=500 МГц Известныйспособ1234567 16,3 16,0 16,5 17,0 20,3 18,9 17,1 15,9 0,8 0,88 0,82 0,76 0,65 0,69 0,75 0,80 20 30 40 50 60 80 90 Составитель В.ТуровТехред М.Дидык Корректор С.Шекмар Редактор А.Огар Заказ, 4371/14 Тираж 711 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,...

Номер патента: 1572747

Опубликовано: 23.06.1990

Авторы: Алехов, Давидович, Кисель, Король, Титенко, Шелест

МПК: B22F 3/12, H01F 1/34

Метки: бариевого, гексагонального, диапазона, свч, феррита

...жанне в синтезированном фер1572747 на, В таблице приведены также значения начальной магнитной проницаемости для гексагонального феррита СВЧдиапазона, полученного известнымиспособами. Формула изобретения Содержание Ефазы в феррите, мас.% Нач аль ная магнитная Титансодержащийкомпонент Способ изгоСмесь товленияферрита проницаеНаименование Содержа- мость приние, частоте мас,% 1=1 МГц 72,5 24,1 4,3 2 Предлагаемый 1 Известный Титанат кобальта Оксид титана Оксид титана Диоксид титана (атанаэ .40-80 мас.%; рутил остальное) 64,8 17,9 16,3 17,0-20,3 Составитель В.ТуровРедактор И.Горная Техред М.Ходанич Корректор М,Максимишинец Заказ 1608 Тираж 646 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва,...

Номер патента: 1557950

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Антонова, Загоскин, Квичко, Литвиненко, Могилко, Помазунов, Семиноженко

МПК: C04B 35/64

Метки: бариевого, керамики, купрата, основе, сверхпроводящей

...способа по срав нению с прототипом и уровень достигнутыхсвойств представлены в таблице.(56) А Авег, Сегаа. Зос., 1987, 70, Ь 12, с. 388-390.20 Хим, состав Способ СвойстваОотн, 3 Тс,к Технологическиепа амет ы С 1,ч Т 2, ОС Т 1, С ЬТс, К Р, МПа 12,Ч 99 1,0 1,0 960 450 3 аяв- УВжСцз 07- ляе 96,1 800 0,8 960 450 1,0 1,0 92,3 92,2 958 988 850 1,2 960 10 910 450 10 09 960 10 10 933 880 300 978 960 600 880 1,0 10 960 989 0,8 960 3 аяв- УВа 2 Сцз 07- ляе 05 1,0 880 450 92,8 92,1 96,0 98.6 94,2 96,5 1,3 960 450 880 1,5 880 960 0,5 1,0 450 1,2 960 450 1,0 15 . 958 98,8 880 0,9 1000 10 94,2 98,2 880 450 1,0 а 1,0 1000 1,0 92,8 450 810 1,0 9,3 1,0 1000 45010-40 870 1,0 94,5 97,197- 99 90 - 92 1/360 - 2,7 1,8 - 2,2 По УВФСцз 07 спосо.бу прототип...

Номер патента: 1707999

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Захарюгина, Зверева, Линев, Петров

МПК: C30B 29/12, C30B 9/12

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, основе, шихта

...в качестве растворителя висмутата натрия естествен 1707999ное вхождение в кристалл ионов висмута1+В и натрия йа . что, в свою очередь,приводит к нарушению электронейтральности кристаллической решетки и обраэова 2+нию ионов двухвалентного железа ЕеПоследние относятся к быстрорелаксирующим ионам и существенно ухудшаютмагнитную добротность материала ( Л,Н)наряду с ионами ВР и Ма 1+,Присутствие в шихте углекислого кальция в значительной степени препятствуетэтому за счет снижения содержания висмута и натрия в кристалле в среднем в двараза.Снижению содержания ионов Ее 2+ в 15растущем кристалле способствует и углекислый марганец МпСОз за счет протеканияв раствор-расплаве окислительно-восстановительной реакции ЕеМпз+ - Еез+Мп 20Что касается...

Номер патента: 403300

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Генделев, Зверева

МПК: C01G 49/00

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БАРИЕВОГО ГЕКСАФЕРРИТА Ba Fe12O19 из раствора в расплаве на основе флюса BaO B2O3, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения анизотропии скорости роста монокристаллов и увеличения скорости роста по оси С, исходные компоненты шихты берут в следующих соотношениях, мас.Барий углекислый 51,74 55,25Окись железа 33,56 38,10Окись бора 10,16 11,19