Патенты с меткой «гексаферрита»

Номер патента: 397477

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Винник, Громзин, Зверева, Филиппов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: baamgafeioozs, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

...%):Окись железа 30,9 - 31,0 Ъглскислый барий 58,0 - 58,2 Окись магния 2,5 - 2,6 Окись бора 8,3 - 8,5 8,5 мешают в печьИзооретение относится к получению ВагМдг 1 е 1 гОгг ферромагнитных гексагональцых монокристаллических материалов, применяемых в различных сверхвысокочастотных устройствах миллиметрового диапазона длин волн.Известна шихта для выращивания моцокристаллов гексаферрита ВагМдгГе,гОгг ца основе окиси железа, углекислого бария, окиси магния и соединения, образующего раствори- тель. При этом отмечается малая магнитная добротность монокристаллов, Для получения монокристаллов с высокой магнитной добротностью (ЛН (30 э) предлагается в качестве соединения, образующего растворитель использовать окись бора, а исходные компоненты...

Номер патента: 954180

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Бибик, Лавров, Мышалов, Попова, Скок

МПК: B22F 1/00

Метки: бария, гексаферрита, пресс-порошка

...промывают водой и сушат известными приемами.П р и м е р 1. 5 г гранулированного гексаферрита бария заливают 20 мл; диметилформамидного раствораполивинк- ленкарбоната (концентрации 10 г ПВК на 100 мл раствора), После перемешивания в течение 10-1 5 мин в систему добавляют 180 мл диметилформамида, Затем вводят 20 мл 1%-го водного раствора этилендиамина. Перемешивают в течение 10-15 мин. Закапсулированные гранупы многократно промымют водой .и сушат.25 30 60 2830 5 9541 80 бХарактеристики закапсулированных гра Намагниченность нанул: сьпцения после декаРазмер, мкм 2000 тации, Гс 60Плотность, г/см, 3,5 Намагниченность на, Влажность после деканта сыщения после хранеции% ния в течение 3-хВлажность после хранения мес, Гс 10в течение 3-х мес, %...

Номер патента: 1103944

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Бибик, Зарембо, Лавров, Попова, Скок

МПК: B22F 1/02

Метки: бария, гексаферрита, пресспорошков

...4,9510 г/100 граствора (27 от веса метилцеллюлозы),Через 20 мин процесс прекращают.Капсулы отделяют. Для получения готовых изделий капсулы спекают при1250 С и прессуют в магнитном поленапряженностью 6000 Э. На полученныхизделиях измеряют магнитные параметры, результаты измерений приведеныв таблице,Способ Состав Магнитные параметрыизделий Градиент Температура,С Метилцел- Меламинолюлоза, формальг/г дегиднаясмола Количест во от веса метилГекскорости потока, с 1 МаксимальОстаКоэрсаФерритба -ная энергия Гс еЭ точный ци- тивная маг- нецеллюлозы,Е рия,гсила, Э тизм,Гс 0,33 10 2 4,95 10 З 2 1000 Пред лагаемый 0,33.104,95 10 з 2 3500 .4 1000 2,00.10 6,00 10 Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к способам получения...

Номер патента: 1406645

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Костишин, Костюк, Летюк, Лякушина, Семенов, Шипко

МПК: C04B 35/26, H01F 1/10

Метки: бария, гексаферрита

...смешивание, помол оксидов железа м-Ге 01 и карбоната бария, лиффузионный обжиг и повтор ный помол ферритизованной массы, прес- сование, спекание и обработку спеченных изделий в коронном разряде в течение 30 40 и при температуре 20 -100 С и напряженности электрческо(о ноля в разрядном промежутке 12 - 30 кВ/см.Г/римср. Смесь ВаСоя и яе.01 марки ТУ для ферритовна состав ВаО 5,6 Ге)О) после вибропомола в течение 2 ч в вибромельце МН шарами диаметром 8 - -12 мм соотношение материал: шары 1:10) отжигают в камерной печи в интервале температур 100- 1250 С в тсчение 4 ч и охлажлают на воз)1 ухс. Порошок пселе охлаждения измельчакг в аттритор стальными шарами диаметром 8 12 мм в течение 8 ч до удельной поверхности 1,3 ч-/г по 11 СХ. Влажность...

Номер патента: 1726129

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Кузнецов, Меркутов, Перетятько, Помельникова, Тихонов, Шипко

МПК: B22F 3/12, B22F 3/16, H01F 1/10 ...

Метки: анизотропного, бария, гексаферрита

...свойств анизотропных ферритов выполняли согласно техническим условиям. Результаты испытаний приведены в табл. 1 - 7,П р и м е р 1. При изготовлении анизотропных гексаферритов бария из порошков различной дисперсности при выполнении операции спекания варьировали величину напряженности магнитного поля при неизменной его частоте (табл. 1).Как видно из данных, представленных в табл, 1, наиболее высокими значениями магнитных и прочностных характеристик изделия из анизотропных ферритов обладают тогда, когда напряженность переменного магнитного поля находится в интервале 400 в 10 Э. Прочностные характеристики увеличиваются в 0,3-2 раза, а магнитные - в 1,2-1,3 раза,П р и м е р 2. При изготовлении анизотропных ферритов бария на стадии спекания...

Номер патента: 1809931

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Авакян, Боровинская, Комаров, Нерсесян

МПК: C01G 49/00, H01F 1/36

Метки: гексаферрита, стронция, шихта

...в результате применения указанного изобретения шихту для получения изделий из гексаферрита стронция получают однородную по массе, с высокими магнитными параметрами при малом их разбросе, При содержании оксида и/или пероксида стронция менее 12 и более 13 масс. % в исходной смеси происходило нарушение стехиометрии и продукт был неоднофазным,Использование в качестве железосодержащего компонента железа приводит к тому, что первичную термообработку исходной смеси можно проводить в режиме горения, причем при содержании железа в исходной смеси менее 11 % масс. горение невозможно, а его содержание более 42 омасс. приводит к бурному горению с выбросом продуктов из зоны реакции и плавлением целевого продукта. В результате продукт становится...

Номер патента: 1707999

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Захарюгина, Зверева, Линев, Петров

МПК: C30B 29/12, C30B 9/12

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, основе, шихта

...в качестве растворителя висмутата натрия естествен 1707999ное вхождение в кристалл ионов висмута1+В и натрия йа . что, в свою очередь,приводит к нарушению электронейтральности кристаллической решетки и обраэова 2+нию ионов двухвалентного железа ЕеПоследние относятся к быстрорелаксирующим ионам и существенно ухудшаютмагнитную добротность материала ( Л,Н)наряду с ионами ВР и Ма 1+,Присутствие в шихте углекислого кальция в значительной степени препятствуетэтому за счет снижения содержания висмута и натрия в кристалле в среднем в двараза.Снижению содержания ионов Ее 2+ в 15растущем кристалле способствует и углекислый марганец МпСОз за счет протеканияв раствор-расплаве окислительно-восстановительной реакции ЕеМпз+ - Еез+Мп 20Что касается...

Номер патента: 1609340

Опубликовано: 15.11.1994

Авторы: Винтоняк, Голубков, Данилович, Иванова, Короткова, Ткаленко, Яковлева

МПК: B22F 1/00, C04B 35/26, H01F 1/10 ...

Метки: гексаферрита, поликристаллического, стронция, шихта

ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ГЕКСАФЕРРИТА СТРОНЦИЯ, содержащая оксид железа и карбонат стронция, отличающаяся тем, что, с целью повышения намагниченности насыщения и улучшения текстуруемости шихты, а также улучшения магнитных параметров получаемого гексаферрита, она содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%:Карбонат стронция 12,78 - 13,15Оксид железа 86,85 - 87,22при отношении Fe2O3/SrO (мол.%) равном 6,1 - 6,3.

Номер патента: 1549387

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Аржанников, Барышников, Голубков, Иванова, Катаев, Лапшина, Смирнова, Яковлева

МПК: B22F 1/00, H01F 1/10

Метки: гексаферрита, поликристаллического, шихта

ШИХТА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ГЕКСАФЕРРИТА формулыSrO n Fe2O3,где n = 5 - 6,содержащая оксидное соединение железа и соединение стронция и лантана, отличающаяся тем, что, с целью повышения магнитных характеристик гексаферрита и упрощения технологии получения, в качестве оксидного соединения железа она содержит смесь окиси и закиси железа при их молярном отношении, равном 1 : 0,43 - 0,47, а в качестве соединения стронция и лантана содержит карбонат стронция с химическим защищенным лантаном в количестве 1,5 - 2,5% от массы карбоната стронция в пересчете на оксид лантана.

Номер патента: 1693908

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Бушуева, Захарюгина, Зверева, Петров

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: бария, гексаферрита, материал, монокристаллический, основе

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГЕКСАФЕРРИТА БАРИЯ, содержащего добавки цинка и марганца, отличающийся тем, что, с целью увеличения температуры Кюри, повышения за счет этого термостабильности рабочей частоты и расширения частотного диапазона при сохранении узкой ширины кривой ферромагнитного резонанса, материал дополнительно содержит никель и имеет соотношение компонентов, соответствующее кристаллохимической формулеBa2 Zn2-x-yNix MnyFe12O22,где x 0,2 0,35;y 0,2 0,3.

Номер патента: 403300

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Генделев, Зверева

МПК: C01G 49/00

Метки: бариевого, выращивания, гексаферрита, монокристаллов, шихта

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ БАРИЕВОГО ГЕКСАФЕРРИТА Ba Fe12O19 из раствора в расплаве на основе флюса BaO B2O3, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения анизотропии скорости роста монокристаллов и увеличения скорости роста по оси С, исходные компоненты шихты берут в следующих соотношениях, мас.Барий углекислый 51,74 55,25Окись железа 33,56 38,10Окись бора 10,16 11,19