C30B 11/04 — добавлением к расплаву кристаллизующегося материала или реагентов, образующих его непосредственно в процессе

Номер патента: 1746759

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Куриленко, Саенко

МПК: C30B 11/04, C30B 29/26

Метки: выращивания, марганец-цинкового, монокристаллов, феррита

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАРГАНЕЦ-ЦИНКОВОГО ФЕРРИТА, включающий размещение в тигле затравки и исходного материала, его расплавление и направленную кристаллизацию путем перемещения тигля в менее нагретую часть печи при периодической подпитке расплава гранулами исходного материала, расплавляемыми в питателе, нагретом до температуры выше температуры плавления гранул, отличающийся тем, что, с целью повышения монокристаллов и исключения нарушения процесса выращивания за счет поддержания постоянной требуемой температуры питателя, определяют интервал плавления гранул из соотношения:пл= (0,50-0,75)