Майор

Номер патента: 1376633

Опубликовано: 09.02.1995

Авторы: Диордиева, Кунакин, Майор, Матяш

МПК: C30B 25/08

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиального

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ соединений А3В5, включающее вертикальный реактор, размещенные внутри него по оси коаксиальные трубки для ввода газовых реагентов, источник элементов третьей группы, закрепленный на этих трубках, дисковый подложкодержатель с подложками, соединенный со средством вращения, и наружный нагреватель, отличающееся тем, что, с целью улучшения морфологии за счет исключения попадания поликристаллических включений на поверхность слоев, устройство снабжено вертикальным цилиндром, внутри которого размещен источник элементов третьей группы, снизу цилиндр снабжен подставкой, соединенной со средством вращения, а сверху на цилиндре размещен подложкодержатель с выполненными в нем...

Номер патента: 1643182

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Лухтин, Майор

МПК: B31B 3/00

Метки: картона

...под острым углом.Устройство работает следующим образом.Заготовки 14 подаются между валиками 15 механизма 2 биговки. Пройдячерез валики 15, заготовка доходит 45до упоров.и останавливается под формообразующей плитой 4, срабатывает" "отодатчик, включающий цилиндры 9,1 приводящие последовательно:в действие угловые формующие рычаги 5 (заготовка после предварительной гибки показана на фиг.3). Затем упоры освобождают заготовку 14, которая валиками перемещается в механизм окончательной гибки, где онн захватывается роликами 10 и формуется отогну-ттой пластиной 11, а затем свивается между дисками механизмом 12 скрепле- ния. Готовое изделие (фиг.5) поступает в тару (не показана).Предлагаемое устройство отличается простотой конструкции,...

Номер патента: 852097

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Афонина, Климин, Майор, Стучинский, Янюшкин, Янюшкина

МПК: H01J 1/32

Метки: вторичных, электронов, эмиттер

...прямого55и непрямого переходов в этом твердомрастворе совпадают, В качестве прямозонного полупроводника может быть выбран, например фосфид индия, арсенид индия, антимонид индия, арсенидгаллия или антимонид галлия. Непрямозонным полупроводником могут быть,например фосфид галлия, фосфид алюминия, арсенид алюминия или антимонид алюминия.Разброс энергией вторичных элек-,тронов в значительной мере связанс выходом в вакуум не только электронов, термализованных в абсолютномминимуме зоны проводимости (например,Г-минимуме в СаАз или Х-минимума вСаР), но и электронов, находящихсяв более высоких минимумах зоны проводимости (например Х-минимуме вСаАз и Г-минимуме в СаР), При этомцентральный т.е. Г-минимум, является наинизшим (абсолютным...

Номер патента: 1275786

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Зюркалов, Майор

МПК: H04L 17/18

Метки: информации, регистрации

...датчик печати, Сигналы с датчика печати (фиг. 2,6 ) постуаают в блок 1 управления, где формируются сигналы, уп-; равляющие усилителями электромагнитов знакосинтезирующей печатающей головки. Для проверки работы устройства для регистрации информации достаточ 50 но ввести в устройство один знак "/", при печати которого происходит поочередное включение всех электромагнитов знакосинтезирующей печатающей головки. При формировании в блоке 1 управпения сигнала на первый электромагнитзнакосинтезирующей печатающей головПосле снятия установки с первого счетчика 7 начинается счет сигналов с датчика печати. После поступления на вход первого счетчика 7 сигнала с датчика печати, соответствующего, окончанию печати знака (восьмой импульс с датчика...

Номер патента: 23925

Опубликовано: 31.10.1931

Автор: Майор

МПК: A01F 25/14

Метки: камера, овощей, плодов, сохранения

...и предохраняющие плоды и овощи от загнивания.На чертеже фиг. 1 изображает камеру в плане; фиг. 2 - то же в разрезе поли нии А - А на фиг. 1, и фиг. 3 - то же в разрезе по линии Б - Ь на фиг. 2.Плоды или ягоды кладутся рядом в камере 1 на сравнительно. длинных стеллажах, состоящих, например, из трех расположенных в надлежащих расстоя- ниях одна над другой железных рам 2 с материалом 3, пропускающим ультрафиолетовые лучи. Между рамами 2 предундаче патента опубликовано .распространяется на 15 смотр ены освещающие ультрафиолетовыми лучами приспособления, состоящие, напр, из ламп 4 для получения ультрафиолетовых лучей с рефлекторными экранами 5 и с подводом тока в проводах б; приспособления эти получают возвратно- поступательное...