Патенты с меткой «гексагональной»

Номер патента: 486777

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Кидяров, Митницкий, Шелопут

МПК: B01J 17/04

Метки: выращиваниякристаллов, гексагональной, иодата, лития, модификации

...ных кристаллов гекса иодата лития диаметр рН раствора 2 - 2,5 ве скоростью 0,5 лл/сутк тся к способу выращита гексагональной моходят широкое примеонике, акустооптике и Через трп месяца получают 15 оптически однородных коисталлов со средним дпамет ром 25 лл и длиной 40 - 45 лл. Известен способ выращи иодата лития гексагональн из водных растворов путем и концентрационного переп этого способа является не цесса выращивания кристал вания кристаллов ой модификациитемпературного да, Недостатком табильность пролов. изобретенп 1 О Ф Способ лития гекса зованием м трационног тем, что, с статкчествлити едо ения этого о которому используют фикации, коющий теми рост криста 40 - 50 С. сталлизатор атравочных в к иодат процесса вьпрод кта инальной...

Номер патента: 709540

Опубликовано: 15.01.1980

Авторы: Кочергин, Кочергина, Юшина

МПК: C01G 5/00

Метки: гексагональной, йодистого, серебра, формы

...продолжительности трудоемкости процесса, а также в том,Недостаток способа состоит в том, что конечный продукт хотя и высокочистое йодистое серебро представляет собой смесь различных кристаллических форм. Для выделения гексагональной формы йодистого серебра требуется осуществить ряд последовательных операций в водных растворах, приводящих к загрязнению конечного продукта.Целью изобретения является упрощение способа получения гексагональной формы йодистого серебра, а также повышение чистоты конечного продукта.Поставленная цель достигается описываемым способом получения гексагональной формы йодистого серебра, состоящим в том,709540 Составитель Н, Шостенко Редактор Т, Девятко Техред К. Шуфрич Корректор Г. Назарова Заказ 8687/26 Тираж Я 5...

Номер патента: 1017463

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Лукишов, Челюк, Щеплевский

МПК: B23P 15/26, B23P 19/00

Метки: гексагональной, пучок, сборки, трубчатых, формы

...лентам 21 подвешены два противовеса 22. Перемещение кареток 19производится .от привода по направляющим 23.Фиксатор изделий 6 содержит двавыдвижных кронштейна 24, приводимых в движение с помощью приводов25, которые с помощью закрепленныхк кронштейнам 24 гребенок 26 и под"вижных упоров 27 сообщают кронштейнам 24 шаговое перемещение. Выдвижение упора 27 производится с помощьюпривода 28.К выдвижным кронштейнам 24 прикреплены Фиксирующие пластины 29,017463 3количество которых соответствуетколичеству рядов. изделий в пучке. Напластинах 29 установлены дистанционные упоры 30. Фиксирующие пластины29 закреплены на кронштейнах 24 свозможностью осевого .перемещения иподпружинены пружинами 31.Иеханизм перемещения 7 изделийсодержит толкатель 32,...

Номер патента: 1251002

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Найден, Рябцев

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, гексагональной, магнитной, полей, поликристаллических, структурой, ферритов

...НПовышение степени текстуры образцаприводит к обострению пика на кривой д м/,1 в окрестности особойтачки при направлении импульсногомагнитного поля перпендикулярноплоскости текстуры (кривая 2). Приодинаковом доверительном интервалепри измерении Р М /д погрешностьопределения Н на текстурированном415 материале уменьшается до 10-127при степени текстуры 1, - "0,75.На Фиг. 2 приведены зависимостид М д 7 и Н(11 для поликристаллического гексаферрита с анизотропией 20 рипа "легкая ось", при этом кривая- для нетекстурированнаго образца,кривая 2 - для текстурированногообразца с 1,= 0,65 при направлении внешнего поля перпендикулярноплоскости текстуры, кривая 3 - временная развертка поля. Криваяполучена известным способом; погрешность измерения...

Номер патента: 1435335

Опубликовано: 07.11.1988

Авторы: Гамерский, Копань, Навратил, Новиков, Рево

МПК: B21B 3/00

Метки: гексагональной, листов, прокатки, структурой

...и образуя тяким образом спай термапары. Противоположный спаю поперечный край листа и свс: - бодньпл конец эталона подключают к потенциометру (цена деления шкалы 10 В) Можно применить также кампаратар напряжений (цена деления шкалы .0В). Спай термопары охлаждают азогом ллк нагревают н масляной ванне да 100 - 150 оС, Измеряют продольную тармо-ЭДС Е, , затем поворачивают лист на 90 образуют аналогично предыдущему поперечную термапяру, измеряют поперечную Е,. Пракатывают лист н поперечном направлении измеряют после двух- трех проходов новые значения Еи ЕЕ ли Ен та продал;аот поаречную прокатку, .еслк Е, ( Е та переходят к этапу.продольной прокатки,ЗЯ- какчиняют егокогда Е, =Е Чрк этом с эталонам никаких манипуляций не про-. изводят....

Номер патента: 1733148

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Васильев, Лисьих, Пришвицин, Смирнов, Соколовский, Чеканов, Черненко

МПК: B21C 1/24

Метки: волочения, гексагональной, плотноупакованной, решеткой, сплавов, труб

...значительный подпор со стороны необжимаемой части периметра трубы и дает показатель напряженного состояния, близкий к всестороннему сжатию с максимальным радиальным напряжением. При этом в сплавах с ГПУ-решеткой реализуются механизмы пластической деформации - двойникования и сбросообразования по плоскостям, перпендикулярным направлению максимального сжимающего напряжения, т.е. образуется тангенциальная ориентация плоскостей с повышенной плотностью дислокаций.Оптимальная относительная деформация на стенке составляет не менее 2 бакр (для сплава циркония - не менее 10 о , для сплава титана - не менее 140 ) и не более 30 о ,Йижний предел интервала деформаций определен тем, что у поликристаллических тел пластическая деформация проходит во...

Номер патента: 1503346

Опубликовано: 30.11.1994

Авторы: Блистанов, Гераскин, Козлова, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, иодата, кристаллов, лития, модификации

1. СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ, включающий приготовление водного раствора иодата лития и кристаллизацию на затравку Z-среза заданной формы изотермическим испарением раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения объема фантомной области кристалла, затравку берут прямоугольной формы, ограниченной по периметру гранями {1010} и {1120} с соотношением сторон по плоскости {1010} и {1120} не менее 1/ . .2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов в виде пластин, затравку берут с соотношением сторон по плоскости {1010} и { 1120} более 1,5.

Номер патента: 1605584

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Блистанов, Гераскин, Ермаков, Козлова, Мосиевский, Портнов, Розин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/02

Метки: выращивания, гексагональной, йодата, лития, модификации, монокристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЙОДАТА ЛИТИЯ ГЕКСАГОНАЛЬНОЙ МОДИФИКАЦИИ по авт. св. N 1503346, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности оптических элементов, изготовляемых из монокристаллов, размер грани затравки выбирают равной не менее 2d, где d толщина элемента.