Ячейка памяти

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТРРСКОМУ СВИДЙТВЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Реслублик(32) Приоритет Госудерственннй квинтет 6 ооето Мнннстрое СССР оо делан нэворетеннй н открытой09.746 юллетень Иоваиия описания 15,12.7(54) ЯЧЕЙКА ПА соИзобретение относится хэлектронным устройствам памяти и может применяться в системах промьаленной автоматики.Известны ячейки памяги, содержащие тиристор записи, айод которого подсоединен через резистор и два диода к двум Фазам трехфазного источника питания, нулевая фаза которого подключена к катодам тиристора записи и тири стора сброса.Недостатками данной ячейки памяти являются: потребление энергии в интервале времени между сбросом и записью информации, необходимость синхронизации входного сигнала с питанием тиристора записи, неоднозначность состоя-.- ния прй первоначальном включении.С целью уменьшения потребляе мой мощности и повышение надежности ячейка памяти содержит дополнительно два диода, причем анод тиристора записи соединен через резистор с катодом первого диода, анод которого подключен-к 2аноду тиристора сброса и через резистор - к катоду второго диода, анод которого соединен с третьейфазой трехфазного источника питания управляющие электроды тиристора записи и тиристора сброса соединены соответственно с входной шиной записи и входной. шиной сброоа.На чертеже приведена спвциальваяо схема описываемой ячейки памяти,ячейка памяти содеркит:тиристор записи 1, подключейный через резистор 2 й диоды 3,4 кдвум фазам А,В трехфазной сетипеременного йапряжения. Катод тиристора 1 подключен к нулевой фазе "О этой сети и катоду тиристора сброса 5. Анод тиристора 1 через резистор 6 подключен 20 к катоду диода 7, анод которааподключен к аноду тиристора 5 и через резистор,8 и диод Э- к третьей Фазе С трехфазного источника питания прачляацие электроды тиристора записи 1 итиристора сброса б соединены443409 3ответственно с входной шиной записи ы входной шиной сброса.Такое подключение Фаз А,В,С к схеме обеспечивает приложение к аноду тиристора 1 положительного напряжения в течение всего периода одной фазы питающего напряжения, в то время как к аноду тиристора ь напряжение питания приклапывается в течение времея, равного 1/2 периода Фазы С. В этом состоянии ячейки памяти тиристоры 1 и 5 выключены и на выходе 10 ячейки имеется положительное напряжение.При подаче положительного напряжения на управляющий электрод 11 тиристора 1 он включается и остается в этом состоянии после снятия информационного сигнала. Для возврата ячейки памяти в предыдущее состояние подают положительное напряжение на управляющий электрод 12 тиристора Ь. При положительном напряжении фазы С тиристор сброса 5 включается, в результате чего напряжение фазы ц не подается на анод тиристора 1 и последний в образовавшейся паузе его напряжения питания выключается, Резистор 6 нсбольшой величины установлен для того, чтобы обеспечить надежное выключение тиристора 1 вне зависимости от разброса значений его тока удержания. После снятия сигнала сброса тири- стор 5 также выключается в паузу его напряжения питания. Следует отметить, что ячейка памяти будет нормально работать и при питании тиристоров записи и сброса перекрывающимися во времени напряжениями другой формы, например трапецеидальной. ПРИМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ 5 Ячейка памяти, содержащаятиристор записи, айод которого подсоединен через резистор и два ,диода к двум фазам трехфазного источника питания, нулевая фаза кото ю рого подключена к катодам тиристора записи и тиристора сброса, отличающаясятем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности и повышения надежности, ы она дополнительно содержит двадиода, причем анод тиристора записи соединен через резистор с катодом первого диода, анод которого подключен к аноду тиристора зо сброса и через резистор - к катоду второго диода, анод которогосоединен с третьей фазой трехфазного источника питания, управляющие электроды тиристора записи и тиристора сброса соединены соответственно с входной шиной записи и входной шиной сброса.445409 составитель Ю. Чс 1 н й к О ВРедактор Л,ЦЬЕТКОВй Техред Н.1 еяННа зд. М 1 ЪО Тираж одписно Пред Заказ Я ИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб., 4 м тие Патентэ, Москва, Г.ой, Вережковскаа