Запоминающий элемент”
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
) Заявлено 20.04,73 (21) 19 присоединением заявкиГосударственный комитет Совета Министров СССР иоритет УДК 681 327(088.8 Опубликовано 25.09,74. Бюллетень35Дата опубликования описания 19.05.75 по делам изобретен тии 2) Авторы изобретения ев и Л, А. Шуми А. О. Т П. Ба на Ленина электротехнический институтВ. И. Ульянова (Ленина)) Заявител Ленинградск ИНАЮЩИЙ 3 апомина вленный ма нию горизо одинаковым 5 отверстиям ны числова правлении в противоп рое отверст 0 прошитая ч обмотка 4, На стрелочной модели изображены состояния хранения О и 1 и промежуточное состояние 11. Переходы элемента осуществляются под действием токов, указанных возле соединяющих состояния О, 1, 11 стрелок.Для считывания (стирания) информациисначала подают в разрядную обмотку 3 им пульс тока 1 а, вдвое превышающий по амплитуде импульс числового тока 1(поэтому на фиг. 2 разрядный ток 1 а изображен двумя кружочками в правом отверстии). Если элемент находился в состоянии П, то импульс 5 тока 1 а переводит его в состояние 1. Далеена элемент действуют числовым током считывания 1, на фоне разрядного тока 1 а. На выходной обмотке 4 наводится напряжение неразрушенного О и 1, или неразрушенной 0 1 и 1 ь различающиеся по амплитуде,ого счи Изобретение может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных и управляющих машин.Известен запоминающий элемент, содержащий разветвленный магнитопровод с равными по сечению горизонтальными перемычками и двумя одинаковыми симметрично расположенными отверстиями, через одно из которых проходят числовая обмотка считывания и разрядная выходная обмотка, а через другое - числовая и разрядная обмотки записи. Известный элемент перемагничивается полными тоями и поэтому надежно работает в широком интервале температур, технологичен и приспособлен к интегральному исполнению.Цель изобретения - упростить известный запоминающий элемент путем уменьшения количества числовых сигналов с двух до одного.Это достигается тем, что числовая обмотка пришита в одном направлении через отверстие, через которое проходит разрядная выходная обмотка, и дважды в противоположном направлении через второе отверстие, через которое проходит разрядная обмотка записи.На фиг. 1 изображен предлагаемый запоминающий элемент; на фиг. 2 - модель перехода элемента из одн магнитного состояния в другое в процессе тывания - записи. ющий элемент содержит разветгнитопровод 1 с равными по сечентальными перемычками и двумя и симметрично расположенными и. На магнитопроводе 1 размещея обмотка 2, прошитая в одном начерез первое отверстие и дважды оложном направлении через втопе, разрядная обмотка записи 3, ерез второе отверстие, выходная прошитая через первое отверстие.
СмотретьЗаявка
1910168, 20.04.1973
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. УЛЬЯНОВА
БАЛАШОВ ЕВГЕНИЙ ПАВЛОВИЧ, ТИМОФЕЕВ АЛЕКСАНДР ОРЕСТОВИЧ, ШУМИЛОВ ЛЕВ АЛЕКСЕЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, элемент
Опубликовано: 25.09.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-444242-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемент”</a>
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 640369
Опубликовано: 30.12.1978
МПК: G11C 17/02
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...надежностии элемента памяти.Поставленная цель достэлемент памяти содеркит 0 ВИНТЫ ПО Ч 1 ом 11дов, распо;пакетом ири кта совпадас р тпровода,На чертеже схематически изображенпредлагаемый элемент памяти.Оп содсржит корпус 1, р 2 зомкнутый магпитопровод 2, сепаратор 3, прижим 4 С-образнои форы, пакет пр)жин 5, крышку 6,регулировочный в Ит 7, ярмо 8.Регулировка усилия прижатия пружин 5,прикладывасмого к прижиму 4 С-образнойфоръы, и настроик 2 на ыакси:сальеЕЫИ ВыхОднОЙ си 11 ал В каждом элененте памягиосуществляются вращением регулировочноо винта 7. Усилие прижатия контролируется через отверстие в винте 7.11 ри смене информации съемной частьюявляется сспаратор 3, дополнительная рсгулирОВка усилия пр 11 ж 2 тия не трсоуется.Работа элемента...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1418815
Опубликовано: 23.08.1988
Автор: Буреев
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...кдругим числовым шинам, производитсяаналогично. Полярность источника тока такова,что диоды элементов памяти проводят в прямом направлении. Формула и з обретения Составитель Л. Дерюгин Техред И.Верес Корректор М. Васильева Редактор Г. Гербер Заказ 4162/51 Тираж 590 ПодписнорБНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий1130 15, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, гУжгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при проектировании постоянных запоминающих устройств (ПЗУ).5Целью изобретения является упрощение записи информации, которая может выполняться электрическим способом - пережиганием плавких предохранителей. 1...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1531170
Опубликовано: 23.12.1989
Автор: Семенов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...запоминающих устройств (ППЗУ),Целью изобретения является повыше ние коэффициента программирования ЗУ.На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг, 2его топология1 ОЭлемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой,образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрическийслой 4 с отверстием 5., 5Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 2 О(записи информации в ППЗУ), Электроды3 служат для соединения перемычки2 с другими элементами накопителя(матрицы запоминающих элементов) исхем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25слой 4 служат для крепления, защиты...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1655242
Опубликовано: 23.09.1992
Автор: Овчаренко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...за счетвысокой напряженности стокового электрического поля выбранных запоминаю "щнх транзисторов "горячие" электроныинжектируются из каналов этих транзисторов, захпзтьгваются поликремнггевыми областями, чТо приводит к повьппению их пороговых напряжений. Этоэквивалентно нулевому непроводящемусостоянию в режнгге считывания информации,Состояния остальных невыбраниыхзапоминающих транзисторов сохраняются неггзлгенными из-за нулевого напряжеггия на адресных поликремниевыхплглах илп низкого напряжения на разрядных диффузионных шинах, в результате чего отсутствует инжекция "горячих" электронов в их каналах.В режиме считьвания информации иа,адресные поликремниевые шины и разрядные диффузионные гпины подают более низкое (5 В) напряжение...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1012704
Опубликовано: 27.05.1997
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...
Предыдущий патент: Запоминающее устройство
Следующий патент: Запоминающий элемент
Случайный патент: Способ производства спирта из крахмалсодержащего сырья