Номер патента: 444243

Авторы: Сапельников, Старосельский

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ пц 444243 Союз Советских Социалистических Республик(51) М. Кл. б 11 с 1/36 Заявлено 06.01.70 (21) 1393404/18-2 присоединением заяв Государственный комитет Совета Министров СССР 32) ПриоритетОпубликовано 25,09.74. Бюллетень М 35 3) УДК 681,327,67(088.8) делам изобретен и открытий тя описания 28.04.7 а оп.оликов Авторызобретения вВ ЙЙЯ В, И. Старосельский и А, Н. Сапельников Московский инженерно-физический институ) Заявите ЭЛЕМЕН 54) ЗАПОМИНАЮ ИзобретенустройствамИзвестений диод Гму элементуойчивой раение питан мин ающим носится мента костнже не тенци изобретения Запоминающий анна и конденса ем, что, с цельюивой работы, в ном Ганна включе а, шунтированньп одержащии дио личающийся области усто овательно с ди льныи диод Га ором. элемент, с торы, о т расширени его послед н дополните т конденсатво запоминающий элемент, содержащ анна и конденсаторы. Однако этосвойственны малый диапазон ус т боты, жесткие допуски на напряж ия и плохая помехозащищенность.В предлагаемом запоминающем элементе последовательно с диодом Ганна включен дополнительный диод Ганна, шунтированный 10 конденсатором, что позволяет расширить область устойчивой работы.На фиг. 1 изображена схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - вольтамперная характеристика домена сильного поля. 15Описываемый запоминающий элемент состоит из двух одинаковых последовательно соединенных диодов 1 и 2 Ганна, один из которых зашунтирован конденсатором 3. Диоды подключены к источнику 4 постоянного на пряжения К величина которого превышает удвоенное значение порогового напряжения /, каждого диода.При такой ситуации в одном из диодо бяЗательно существует домен сильного поля. В 25 другом диоде домен отсутствует, так как ток 1, диода, содержащего домен, примерно вдвое меньше порогового значения Г,. После исчезновения домена на аноде диода новый домен возбуждается в том же диоде конденсатором 3. Изменить состояние элемента можно путем подачи импульса соответствующей полярности в точку соединения диодов через конденсатор 5, при этом в состояние генерации перейдет другой диод.Считывание состояния запоминающего элеможно производить либо с помощью емых контактов к диодам 1 и 2 (на чертепоказаны), либо путем регистрации поала точки соединения диодов.444243 Фиг 1 фиг 2 Редактор Е. Гончар Заказ 973/б Изд.476 Тираж 591 Подписпос ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5

Смотреть

Заявка

1393404, 06.01.1970

МОСКОВСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

СТАРОСЕЛЬСКИЙ ВИКТОР ИГОРЕВИЧ, САПЕЛЬНИКОВ АЛЕКСАНДР НИКОЛАЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: G11C 11/36

Метки: запоминающий, элемент

Опубликовано: 25.09.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-444243-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемент</a>

Похожие патенты