G11C 11/39 — тиристоров

Номер патента: 189222

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Глебов, Малахов, Московский

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: входом, двухоперационном, статический, счетным, тиристоре, триггер

...2, 3 и 4, б, рассчитаны так,что в указанном состоянии схемы потенциал точки б выше, чем потенциал точки 7. В этом случае конденсатор 8 заряжен до большей разности потенциалов, чем конденсатор 9. В 20 силу этого при поступлении отрицательногоуправляющего импульса открывается только диод 10, пропуская импульс на катод тиристора 1, что вызывает прохождение тока по следующей цепи; сопротивление 11, управляю щий электрод и катод тиристора. Это соответствует положительному току управления и приводит к включению тпристора. Следует отметить, что в течение времени длительности импульса управления протекание тока по со противлению 11 в направлении к управляю189222 Рыки Составитель С. БорисовскаяТехред Т, П. Курилко Корректоры С, Н. Соколоваи...

Номер патента: 204702

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гребнев, Казьмин, Московский

МПК: G11C 11/39

Метки: двустабильная, схема, тиристоре

...фронт второговходного импульса не изменит состояния схемы. Зато при выполнении условия т =/, Т,задний фронт входного сигнала вызывает появление в катоде тиристора такого положительного броска напряжения, который ока 0 зывается лостаточным для выключения тири. Известные двустабильные схемы на тиристоре содержат дифференцирующую цепочку, нагрузку и параллельный 1.С-контур..редложенная г-.,":ла отличается тем, что в катодную цепь тиистора включен параллельный 1.С-контур, Это позволяет упростить схему и обеспечить возможность управления однополярными импульсами.Принципиальная схема предложенного устройства приведена на чертеже.Устройство работает следующим образом. Из теории колебаний известно, что для обеспечения двух устойчивых...

Номер патента: 251621

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Либерман, Научно, Опытно, Чернихов, Элемент

МПК: G11C 11/39

Метки: si-iaqpr, тиристорахlt

...питания, Такое включение тиристоров и нагрузки обеспечивает приложение к цепи двух встречно соединенных тиристоров 2 и 3 (параллельно тиристору 3 подсоединена нагрузка 5 1) напряжения в проводящем для тиристора 2направлении в течение времени, равного времени /6 периода одной фазы питающего источника (300 эл. град.). В течение оставшейся т/, части периода напряжение, приложенное 10 к этой цепи, равно нулю.При отсутствии сигнала управления на управляющем электроде тиристора 2 (вход б) напряжение источника приложено к тиристору 2 и ток по нагрузке не протекает.15 При появлении сигнала управления в видепостоянного напряжения на управляющем электроде тиристора 2, тиристор 2 переключается и логический элемент память переходит в другое...

Номер патента: 296152

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Березин, Ваганов, Московский, Мочалкина, Ожогин, Онищенко, Першенков

МПК: G11C 11/39

Метки: запоминающая, ячейка

...шине 4 предварительной установки - положительный потенциал, достаточный для поддержания открытого состояния тиристора; на разрядной шине под держивается небольшой положительный потенциал, такой, что тирцстор сохраняет включенное состояние, сслп на шину выборки числа будет подан положительный запирающий потенциал. Такое отличие в потенциалах на раз рядной шине и шцце выборки числа позволяетсделать различными токи, протекающие через эмиттерные переходы тцрпстора; через эмиттерный переход, подключенный к шипе выбор,ц с:с 3, проте,ге зцагцТельО боци Ток, 15 ем через эмпттерный переход, подключенныйк разрядной шпце. Запись информации в элементах двухтактная; сначала ца числовую шццу предварцтель ной установки поступает импульс положительной...

Номер патента: 343299

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Березин, Ваганов, Кузьмин, Мочалкина, Онищенко, Орликовский, Першенксн

МПК: G11C 11/39

Метки: 343299

...записи; в-третьих, компонентов в элементе велико. Принципиальная электрическая схема интегрального тири стори ого элемента памяти представлена на чертеже.Интегральный тиристорно-резисторный эле мент памяти состоит из тиристоров, двухтранзисторов и двух резисторов.Тиристор 1 подключен коллектором к источнику питания 2, эмиттером через резистор 8 - к словарному входу считывания 4. Транзи стор записи 5 подключен коллектором к р-базе тиристора, элтиттером - к разрядному входу б, базой через резистор 7 - к словарному входу записи 8, Транзистор считывания 9 подключен коллектором к разрядному выходу 10, 15 эмиттером - к эмиттеру тиристора, базой вшине 11 нулевого потенциала.В режиме хранения информации на словарном входе записи, на разрядном...

Номер патента: 355662

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Батанист

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: запоминающее, индикатора, цифрового

...к эмиттерам транзисторов дешифратора и катодом диодов Д 5.10 Последовательно с тиристорами включеныиндикаторные элементы О (лампы накаливания, светодиоды, неоновые лампы и т. д.).Катоды всех тиристоров одного разрядаобъединены и через диод Д 5 и тиристор Де15 подключены к минусовой шине источника напряжения Е 2. Тиристоры Де и Дт, конденсаторС и резисторы йе и Ят служат для гашениявсех разрядов индикатора.Все разряды индикатора имеют иден20 схемы.Устройство работает следующим образом,Разряды числа дешифратором последовательно преобразуются в семиэлементный (илидесятичный) код, Одновременно с прохожде 25 нием разряда через дешифратор подается сиг.нал на базу соответствующего коммутирующего транзистора Тр,. При появлении на выходе...

Номер патента: 399011

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Рансов, Слобод

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти12, элемент

...иолярностц. При иостуилешш импульсов адрссцдя шина 5 иолключдстс к минусу источника п)тдцц);. Вкодцые шформдционные 1-, шины ) ц 4 имеют низкий уровень сигцдла,Чс)СТОТУ СЛСЛО)3 сцц)51 ВОССТсИ 1 Д 13 ЛИВс 1 Ю 1 ЦИК Ц)1 пульсов ц)пания выоцрают такой, чтобы пауза МссжДУ ИМИУЛЬСДМЦ бЫЛД МЕНЬШЕ ВРСМСЦИ ВЫ- ключецця з;шоминдющсго тиристора. Блягодстз ) ря цмцульсиому иитдццо средняя мощность,ЦОТРСОГ 15)СМс)51 ЭЛЕ)СИТО) ИДЗ)ЯТЦ ОКс)311 ВДСТС 51 тСЦЬ МДЛОй.(.И)ТЬЦ)с) ЦЦС Ц Нф 01) М ДШЦ 1 ИРОИЗВОДЦТСЯ ВЦс) т За а т)СКЛ 130 ССТДНс 1 В,ЦВсИОЩИ)1 И ЦМИУЛЬСД зз ми иитдция иолдчсй на адресную шину 5 импульсов,;шдлогичиык восстаидвливающим.Если здиомицаюццй тиристор включен в эле)тситс памяти здгшсаид 1), то при подаче длрссюго импульса...

Номер патента: 366497

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Амирханов, Кандыба, Комаровских, Рыбальченко, Фурсин

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: biaцц, й1-л-3, йоксоюзная, ту-л, угг»г

...и других компонентов 1 схем. е мент содержит последовательные кового четырехсл юго резистора по й, объединенные цительный резисто нулевого потенци ды полупроводн иборов зашунти рами.на принципиальна огоустойчивого эл парал- цепочойного 20 числу концы р подала, а иковых 25 рованы я элекемента30 Предлагаемый эл лельно соединенные и из полупроводни прибора и нагрузоч устойчивых состояни которых через допол ключены к шине эмиттерные перехо четырехслойных пр переменными резистоНа чертеже показа трическая схема мн памяти. гых выходное напряжение элемептпамяти;1, - ток четырехслойного приборавыключенном состоянии.м случае вследствие малой величинь0 Величиной Ьных можно пРенебРечь,Заказ 428/17 Изд Мв 122 Тираж 576 Подписное ЦНИИПИ Комитета по...

Номер патента: 377881

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зинченк, Кимарский, Раисов, Шаламов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: бсесонэзная, гнд, патетй1мш

...шинам б и 7 соответственно. Аноды обоих тиристоров соединены вместе и подключены к резистору 2 нагрузки, п-база каждого тиристора соединяется с р-базой другого тиристора, образуя перекрестную обра гную связь.Ячейка работает следующим образом.В режиме хранения информацци адресная шина 5 имеет низгсий потенциал (подключена к земле), Коммутирующий транзистор 1 заперт, и ток через ячейку определяется величиной сопротивления резистора 2. Один из тиристоров включен, другой - выключен, причем и-р-и и р-и-р транзисторы, входящие в состав включенного тиристора, шунтируют оба базовых перехода другого тпристора, Это придает схеме более высокую помехоустойчивость по сравнению с транзисторным сим377881 Ссотавитель Р. Яворовская Техред Г. Дворина...

Номер патента: 378955

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Першенков

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: биsjiиov, запоминающая, ячейкапяйгйj

...тиристора 1, подсоединенного через резистор 2 к адресной шине 3, и двухэмиттсрного транзистора 4, база которого соединена 25 с базовой областью и-типа тиристора, а коллектор - с базой областью р-типа. Внешние эмиттеры транзистора и тиристора подсоединены к информационным входам б и 6, а внутренние - к шине 7 стробирующего импульса 30 записи.378955 Составитель Р. Я нскаяРедактор 3. Твердохлебова Техред Т.,/снова Корректор Н. Аук Заказ 2045/3 Изд,507 Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 В режиме хранения на входах б и б находится высокий потенциал, а на шине стробирующего импульса записи - низкий потенциал. Если тиристор...

Номер патента: 381098

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Першенков, Раисов

МПК: G11C 11/39

Метки: намяти, симметричный, тиристорный, элемент

...к информационным входам записи и считывания б и 7,В режиме хранения на входах б и 7 находится высокий потенциал, и ток хранения протекает через резистор 3. При записи на вход б или на вход 7 (в зависимости от вида записываемой информации (О или 1) подается низкий уровень, Считываемый сигнал снимается с одного из информационных входов при подаче положительного импульса опроса по адресной шине 5.Таким образом, предлагаемый элемент при записи и считывании информации работает аналогично обычному симметричному транзисторному триггеру. Отличие состоит в том, что коллекторы и вторые эмиттеры тиристоров непосредственно соединены между собой. При таком включении тиристор может оставаться во включенном состоянии и при нулевом управляющем токе,...

Номер патента: 434481

Опубликовано: 30.06.1974

Авторы: Кимарский, Сердюк, Синеокий

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: матричный, накопитель

...являются диод 14 и резистор 15.Матричный накопитель работает следующим образом.В режиме хранения записанной информации на словарных шинах записи и считывания поддерживают напряжение уровня логического О, на разрядных шинах - логической 1.При записи на выбранную шину словарной записи подают напряяение уровня логической 1, чем обеспечивают возможность отпирания тиристора 2 (запись 1) током через согласующий резистор 5 при условии, что переход база - эмиттер транзистора 4 закрыт напряжением уровня логической 1 со стороны разрядной шины,При наличии на разрядной шине напряжения уровня логического О транзистор 4 насыщается и шунтирует переход Р - база - катод тиристора 2, закрывая последний, что соответствует записи О в ячейку памяти...

Номер патента: 443409

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Игнатенко, Кобыляцкая, Кузовлев, Либерман, Чернихов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, ячейка

...Фазе С трехфазного источника питания прачляацие электроды тиристора записи 1 итиристора сброса б соединены443409 3ответственно с входной шиной записи ы входной шиной сброса.Такое подключение Фаз А,В,С к схеме обеспечивает приложение к аноду тиристора 1 положительного напряжения в течение всего периода одной фазы питающего напряжения, в то время как к аноду тиристора ь напряжение питания приклапывается в течение времея, равного 1/2 периода Фазы С. В этом состоянии ячейки памяти тиристоры 1 и 5 выключены и на выходе 10 ячейки имеется положительное напряжение.При подаче положительного напряжения на управляющий электрод 11 тиристора 1 он включается и остается в этом состоянии после снятия информационного сигнала. Для возврата ячейки...

Номер патента: 446111

Опубликовано: 05.10.1974

Автор: Чубарев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, ячейка

...известные ячейки памяти со на тиристорах имеют низкую помехоустоИчиность из-за большого выброса входных параметров тиристоров.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости ячейки па ржит резисторы 1-5;бе стабилитрон 7,дйоди стабистор 10.обеспечивает миниеобходимый для поддвра во включенном состоя3нии. Резистор 5 и диод 8 предохраняют управляющий электрод тиристора отимпульсов отрицательной полярности.Резисторы 2 и 5 обеспечивают неооходимые режимы работы стабистора 510 и стабилитрона 7.Резистор Ф уменьшает входное сопротивление ячейки для малых сигналов и помех.Через сердечник трансформатора 6 10проводятся шины ПЗУ, построенногона ячейках. размер трансформатораопределяется проходящих через негошин и зависит от числа слов...

Номер патента: 467405

Опубликовано: 15.04.1975

Автор: Багдасарьянц

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39, G11C 19/34 ...

Метки: многостабильная, памяти, ячейка

...диода 9, шунтируя последний, а эмиттером - с шиной нулевого по тенциала. Позицией 11 обозначен базовый вывод транзистора 6, поз. 12 - базовый вывод транзистора 10.Схема многостабильной ячейки памяти работает следующим образом (рассмотрение 15 проводится для случая трех стабильных состояний). Включение тетристора во второе состояние(основное открытое состояние) осуществляет ся подачей положительного сигнала на первыйуправляющий электрод. Дальнейшее увеличение тока 1 через открытый тетристор 1 не изменяет его состояния, пока величина 1 остается меньше значения тока переключения 1 р.25 Когда ток через открытый тетристор 1 достигает значения 1 п,р, происходит выключение туннельного диода 9 и переход тетристора 1 во второе открытое...

Номер патента: 521604

Опубликовано: 15.07.1976

Автор: Ермолов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, элемент

...напряжение на нагрузке, то первый раздепительныйдиод 13 открывается и выкпючаегся тиристор4, так как напряжение на катоде тиристора4 становится бопее попожигепьным, чем наего аноде, Чуть позже с выключением гирисгора 4 аналогично выключается тиристор 5.Запирающее напряжение к катоду тиристора5 приклацываетсяс катода тиристора 7 черезвторой разделительный ди од 14 и первый дополнительный диод 15,Если нагрузка активная, то, когда анодное напряжение тиристора 7 падает до "Оф(полуводна синусоидального напряжения),он выключается также, и устройство возвращается в исходное состояние,В случае активно-индуктивной нагрузки выключение тиристора 4 происходит такжери положительной попувопне напряжения нашине 2, а выключение тиристора 7 наступаетпри...

Номер патента: 595792

Опубликовано: 28.02.1978

Авторы: Ермолов, Игнатенко, Лобачевский

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, элемент

...5 записи.В исходном состоянии ни один пз тиристоров цс включен, напряжение на нагрузке - резисторе 3 равно нулю. При поступлении импульса записи ца вход тиристора 5 через цепочку 10 из резистора 13 и диода 12 тиристор записи открыьастся и остается включенным.Тля снятия папря)кения с н 2 Грузки под 210 т импульс сброса ца вход тцристора 6 через цс;очку 11 из резистора 15 и диода 14, Рсзпстор 4 обеспечивает включение тиристора сброса, а диод 7 - возможность включения тиристора сброса от асинхронного входного 1 ОроткОГО имптльсцОГО сиГиал 2, посколью наиз о ор етения йо аноде тиристора сброса логически суммируотся напряжения, поступиощие от шип 1 и 2.1 хогда потенциал па катоде тпрпстора 6 сброса становится более положительным, чем па...

Номер патента: 604032

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Борухович, Кимарский, Петухов, Раисов

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: запоминающее

...тиристоров 27 и резисторов 28 и 29. Аноды тиристоров 27 через резистор 28 соединены с адресной шиной 5, первые катоды через резистор 29 соединены с виной питания, а вторые катоды тиристоров 27 соединены с соответствующими разрядными шинами 1 и 12. Х и Р базы тиристоров 27 соединены перекрестными связями. В ЗУ могут применяться и другие известные запоминающие элементы, например триггеры, выполненные на двухэмиттерных транзисторах.ЗУ работает следующим образом.В режиме хранения информации запоминаю 5 30 Ток 1, выбирают приблизитмьно на порядок меньше рабочего выходного тока блока считывания 13, коэффициент передачи К также приблизительно на порядок меньше Ф. ПоэтоЭ 5 му ток 1;на два порядка меньше рабочеговыходного тока блока считывания...

Номер патента: 677012

Опубликовано: 30.07.1979

Авторы: Акопян, Маркарян

МПК: G11C 11/39, G11C 19/28

Метки: памяти, ячейка

...ий резистор, катод втоен к катоду первого дииода соединен с катодом ретий резистор с шиной а. На чертеже предс схема ячейки памяти регистра, содержащ ячеек памяти. Ячейка памяти, н ряде регистра содер резисторы 2, - 2, 3 5, - 5, 6, - 6, конд 8 управления, шину левого потенциала.авлена электрическая и электрическая схема его гг предложенных пример, в перв життиристор- Зп и 4, - 4 п, енсаторы 7, - 7 9 питания, шин ом раз 11 1 п диоды шину у 10 ну Работает ячейка памятиющим образом.На шину 8 управленияуправляющий импульс (полярности), который, прохозажигает тиристор 1,. Полтенциал с резистора 4, чер егистра следупервый ной по- диод 5 ный по, подаподаетсяложительдя через жител з дио677012 Ячейка памяти, содержащая тиристор,ансд...

Номер патента: 712849

Опубликовано: 30.01.1980

Автор: Киселев

МПК: G11C 11/34, G11C 11/39

Метки: памяти, элемент

...источника питания. Управляющий импульс подается от шины 15 управляющих сигналов. Резистор 8 в высоковольтной анодной цепи тиристора при открытом состоянии последнего ограничивает в нем ток до величины, во много раз меньшей тока включения тиристора. Резистор 5, соединяющий базу транзистора 2 через разделительный диод 4 с анодом тиристора, ограничивает базовый ток транзистора (ток тиристора в низковольтных цепях) до величины, также во много раз меньшей тока включения тиристора.Общий ток, протекающий через тиристор (с учетом тока, отдаваемого в нагрузку, например, газоразрядный индикатор), остается во много раз меньшим тока включения и тока выключения тиристора (рабочая точка тиристора всегда расположена ниже точек,...