Запоминающее устройство

т 111 442514 ОП ИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических(51) М. Кл. б 11 с 11/2 Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийи открытий(088.8) публикования описания 10.04.7 72) Авторыизобретени71) Заявитель В, А, Завадский, В. А. Манж Киевский ордена Ленина по м, 50-летия Великой Октябрьской 4) ЗАПОМИНАЮ УСТРОЙСТ электрическои пластины, полупроводниковые пленки основных и дополнительных запоминающих элементов выполнены из материалов с различным типом проводимости и изолирова ны от соответствующих шин записи, которыерасположены на противоположных сторонах пластины.На фиг. 1 показано расположение управляющих шин относительно слоя полупровод ника, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид снизу; на фиг. 3 - то же, в разрезе.На фиг. 4 схематически изображено подключение управляющих шин устройства и элекцрическое поле между ними, создаваемое 15 при записи двоичной цифры; на фиг. 5 - принципиальная схема ЗУ.Основу устройства составляет сегнетоэлектрическая пластина 1, на противоположные грани которой нанесены остальные элементы 20 конструкции, выполненные, например, в видетонких металлических и полупроводниковых пленок, На одной пз граней пластины расположены основные адресные шины 2, имеющие электрический контакт с тонкой пленкой 3 из 25 полупроводникового материала, расположенной на той же грани. Основная разрядная шина 4 имеет электрический контакт с пленкой 3, шина 4 изолирована от шин записи 5 и 6 пленкой 7 из электроизоляцпонного материа ла и от шины 2 пленкой 8 из такого же матеИзвестно ЗУ, содержащее сегнетоэлектрическую пластину, на которой размещены шины записи, основные адресные и разрядные шины и дополнительные адресные и разрядные шины, в перекрестиях которых расположены соответственно основные и дополнительные запоминающие элементы, содержащие полупроводниковые пленки. При этом основные адресные шины подключены к соответствующим выходам дешифратора, дополнительные адресные шины - к общей шине устройства, а одноименные основные и дополнительные разрядные шины соединены между собой и подключены через резисторы к источнику напряжения смещения. В таком устройстве необходимо проводить запись одинаковых цифр в одноименные основные и дополнительные запоминающие элементы для считывания информации, что усложняет оборудование для записи информации и снижает надежность работы всего устройства.Целью изобретения является упрощение конструкции и повышение надежности устройства.Поставленняа цель достигается тем, что в предложенном устройстве основные и дополнительные адресные и разрядные шины размещены на противоположных гранях сегнетоло и К. Г. Самофаловитехнический институтсоциалистической революцириала. Шины 2 и 4 перекрещиваются под прямым углом. Пленка 3 охвачена шинами записи 5 и 6.На противоположной грани пластины 1 расположены дополнительные адресные шины 9 считывания, которые перекрещиваются под прямым углом с дополнительными разрядными шинами 10 и отделены от них пленкой 11 из электроизоляционного материала. Пленка 12 из полупроводникового материала располо жена на той же грани пластины 1 и имеет электрический контакт с шинами 9 и 10, Тип проводимости материала, из которого выполнена пленка 12, противоположен типу проводимости материала пленки 3 (например, если 15 пленка 12 выполнена из теллура р-типа, то пленка 3 - из сульфида кадмия и-типа). Шины записи 13 и 14 охватывают пленки 12 и отделены от шины 10 пленкой 15 из электро- изоляционного материала.20Шины для считывания на противоположных гранях пластины 1 расположены таким образом, что нормальные проекции элементов 2, 3, 4, 7 и 8 на противоположную грань совпадают соответственно с элементами 9, 12, 10, 25 11 и 15; а нормальные проекции шин 5 и 6 на противоположную грань пластины 1 накладываются на все шины 13 и 14 на этой прани, Шины 2 подключены к дешифратору адреса 16, а соответствующие им шины 9 - к шине 30 нулевого потенциала (заземлены). Шины 4 и 10 соединены и подключены к усилителю считывания 17 и через резисторы 18 к источнику напряжения смещения 19. Шины 5 и 6 соединены с формирователями записи 20, а шины 35 13 и 14 - с формирователем записи 21.Устройство работает следующим образом, Запись двоичной цифры в запоминающий элемент производится поляризацией в опре деленном направлении сегпетоэлектрического материала пластины 1 между пленками 3 и 12. Поляризация сегнетоэлектрического материала является результатом воздействия внешнего электрического полл. Электрическое 45 поле в объеме сегнетоэлектрического материала между планками 3 и 12 обусловлено разностью потенциалов как на шинах записи 5 и 13, так и на шинах записи 6 и 14. При этом результирующий вектор напряженности элек трического поля (см. фиг. 4) в любой точке объема сегнетоэлектрической п:астшзы 1 равен векторной сумме векторов Е и Е". Эти векторы характеризуют электрическое поле соответственно шин записи 5, 13 и 6, 14, потенциалы которых определены формирователями записи 20 и 21.Разность потенциалов на шинах записи выбрана такой, что результирующая напря- б 0женность электрического поля между пленками материала 3 и 12 достаточная для поляризации сегнетоэлектрического материала в соответствии с записываемой двоичной цифрой.При считывании двоичные цифры, записанные в каждом запоминаюшем элементе, определяются по величине электрического сопротивления пленки полупроводникового материала, соединяющего соответственно шины 2, 4 и 9, 10. Величина сопротивления пленки полупроводникового материала однозначно зависит от направления и величины поляризации сегнетоэлектрического материала, на который нанесена эта пленка. Таким образом осуществляется связь между электрическими сигналами, вырабатываемыми формирователями записи 20 и 21 (см. фиг. 5) при записи, и сигналами в разрядных шинах 4 и 10 при считывании,Так как пленки 3 и 12, расположенные на разных гранях пластины 1, выполнены из материала с противоположными типами проводимости, то при записи изменение сопротивления пленок полупроводникового материала в одноименных запоминающих элементах имеет одинаковые знаки и близкие значения абсолютных величин. При этом запись двоичной цифры происходит одновременно в оба запоминающих элемента и определяется одной парой сигналов записи, подаваемых на выбранные шины записи.Предмет изобретенияЗапоминающее устройство, содержащее сегнетоэлектрическую пластину, на которой размещены шины записи, основные адресные и разрядные шины и дополнительные адресные и,разрядные шины, в перекрестиях которых расположены соответственно основные и дополнительные запоминающие элементы, содержащие полупроводниковые пленки, при этом основные адресные шины подключены к соответствующим выходам дешифратора, дополнительные адресные шины - к общей шине устройства, а одноименные основные и дополнительные разрядные шины соединены между собой и подключены через резисторы к источнику напряжения смещения, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что, с целью упрощения устройства и повышения его надежности, основные и дополнительные адресные и разрядные шины размещены на противоположных гранях сегнетоэлектрической пластины; полупроводниковые пленки основных и дополнительных запоминающих элементов выполнены из материалов с различным типом проводимости и изолированы от соответствующих шин записи, которые расположены на противоположных сторонах пластины.ПодписиСР каз 926/10ЦНИИ Сапунова, 2 Типография,Изд,453 Государственного комитет по делам изобретений Москва, Ж, Раушска