G11C — Запоминающие устройства статического типа
Феррит-диодный регистр сдвига
Номер патента: 217464
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Овруцкий
МПК: G11C 19/14
Метки: регистр, сдвига, феррит-диодный
...1 и 2 (цифры в описании соответствуют цифрам ня выносках) хранятся , а остальные торы свободны. Импульс ТИперепишет 1 из тора 1 в тор 3, поддерживая тор 4 в состоянии О. Влияние перемагничивания тора 3 на тор 5 исключено, благодаря наличию диода в цепи связи указанных торов, Режим переписи информации, как Видно, аналогичен режиму В известном трехтактном регистре. Импульс ТИ таким же образом псрсписываст информацию из торя 2 в тор 4. Импульс ТИа, поддерживая состояние О свободного уже тора 1, переписывает 1 из тора 3 в тор 5. Импульс ТИ 4 переписывает 1 из тора 4 в тор 1, а импульс ТИо - из тора 5 в тор б. Таким образом, пять тактовых импульсов продвинули информацию на один тор вправо по цепи хранящих торов; из торов 1 и 2 в торы 5 и...
Трехтактный регистр сдвига на элел1ентах магнитной развязки
Номер патента: 217711
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G11C 11/08, G11C 19/06, H03K 23/76 ...
Метки: магнитной, развязки, регистр, сдвига, трехтактный, элел1ентах
...разнополярных импульса, то произойдет переключение магнитного пото ка против часовой стрелки по пути 1 - 1 з и 1 - 14, На фиг. 1 показано направление тока 1 з, при котором переключение магнитного потока происходит по пути, образованному перемычками 1 и 14.После переключения магнитного потока вЭМР против часовой стрелки, при подаче импульса считывания в обмотку У 4 в обмоткеВ появится сигнал, полярность которого 20будет соответствовать считыванию 1. Припереключении потока по пути, образованномуперемычками 1 и 1 з, в обмотке Кз сигнал помехи практически отсутствует,25В схеме трехтактного регистра сдвига наЭМР для простоты рисунка эллиптические отверстия заменены круглыми,Предположим, что в момент 1, импульсом 30 1, производится запись...
Запоминающее устройство
Номер патента: 218225
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G11C 11/06, G11C 7/00
Метки: запоминающее
...первом обраще нии в данную числовую линейку записываетсяпервый код, участвующий в операции обычным образом, как это принято в схемах ЗУ, с непо.средсзвенной выборкой использующих разно.полярную запись 1 и О.5 При логическом сложении на входную обмотку 12 ключа 8 через диод 14 подается импульс логического сложения. Одновременно с этим на разрядные шины 15 подается импульс разрядного тока 1,р, полярность которого оп ределяется содержимым второго кода, Направление импульса тока логического сложения 1 л. совпадает с направлением импульса разрядного тока, записывающего единицу 1, 1, и противоположно с направлением им пульса разрядного тока, записывающего нульдр О.Таким образом, записьмагнитное состояние двухчего и компенсационного)0 вом...
Способ бескаркасного изготовления запоминающих устройств на ферритовых сердечниках
Номер патента: 218536
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Белогорский, Литуев
МПК: G11C 11/06, G11C 5/02
Метки: бескаркасного, запоминающих, сердечниках, устройств, ферритовых
...и поразрядно разрезаютвыходные обмотки и обмотки записи,Эти особенности позволили упроститьнологию производства за счет исключениобходимости предварительного пространсного располокения фврритовых колец.На фиг, 1 показано расположение фервых колец, пронизанных обмоткой смещразрядной обмсткой записи и разряднойходной обмоткой; на фиг. 2 - располоферритовых колец и обмоток, закрепленньрамке. На фигурах: 1 - большое кольцо;малое кольцо; 1 - обмотка смещения; 2мотка считывания; 3 - обмотка записи;выходная обмотка; о -- обмотка связи. ритоения,выение 5 х на 11 -- об Г 1 роцесс изготовления запоминающего устроиства состоит из шести этапов.Первый этаи - одновременное нанизывание явтки памяти на оомоткн 1, 3, 4, как поазано на фиг, 1. Если...
Способ селекции информации
Номер патента: 218962
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Любанский, Офенгенден, Светличный
МПК: G11C 15/00
Метки: информации, селекции
...щего периода. Селекцию информации по описываемомуспособу осуществляют следующим образом.На отдельном поле ЗУ записывают выделенные признаки. Можно использовать либо периодическое ЗУ, либо ЗУ с произвольной выборкой по адресу, с которого последовательно считывают записанные в него признан. Входную информацию записывают в свободные числовые ячейки ассоциативного ЗУ.10 Кроме разрядов для записи информации, каждая линейка имеет еще дополнительные разряды, в которых хранится номер периода поступления информации (текущий или предыдущие). Каждый считываемый с ЗУ приз нак сравнивают с накопленной в ассоциативном ЗУ информацией. В случае многозначного ответа одно из чисел, отвечающих данному признаку, выводят из ассоциативного ЗУ, а в остальных...
Устройство для коммутации импульсных токов
Номер патента: 219624
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Лашевский, Свердлов, Хавкин, Шевцов
МПК: G11C 11/34
Метки: импульсных, коммутации, токов
...металлизированные площадки, на которых установлены коллекто ры полупроводниковых элементов, причем эмиттеры (или коллекторы) каждого элемента присоединены к нанесенной на подложку общей шине, имеющей вывод из корпуса устройства. 2 дмет изобретен Устройство для коммутации импульсных токов, например, адресных токов запоминающих устройств, содержащее группу полупроводниковых элементов типа р - гг - р или и - р - и, отличающееся тем, что, с целью уменьшения габаритов и увеличения допустимой рассеиваемой мощности, на одной плоскости тепло- проводящей изоляционной подложки, выполненной, например, из бериллиевой керамики, нанесено сплошное металлическое покрытие, присоединенное, например, посредством пайки к основанию общего...
219627
Номер патента: 219627
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Перекатов
МПК: G11C 11/10
Метки: 219627
...ИМПУЛЬСОМ 1 зап 2 ПодаЮТ ПО проводам разрядный импульс 1 р(при записи 1) или 1 ро" (при записи О). Им пульсы тока 1 р и 1 р,с поступают тольков один из разрядных проводников, так как между точками 8 и 9 включена первичная обмотка трансформатора, обладающая значительным индуктивным сопротивлением.массы поштучно захватывают рыбу и вносятСОВМЕСТНОЕ дЕйетВИЕ ИМПУЛЬСОВ 1 зап 2 И 1 рприводит к тому, что часть силовых линий замыкается одновременно вокруг числового провода записи и левого разрядного провода (при 30 ЗаИСИ О, когда ДЕЙСТВ ЮТ ТОКИ 1 зап 2 И 1 р,оф219627 2 вокруг числового провода записи и правого разрядного провода),Подача импульса считывания 1, по числовому проводу считывания образует магнитный поток Ф замкнутый вокруг этого...
Запоминающее устройство
Номер патента: 219628
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Свердлов
МПК: G11C 11/06, G11C 11/14
Метки: запоминающее
...прокладки.Это позволит увеличить устойчивость работы и быстродейстьис устройства.На чертеже изображен куб памяти запоминающего устройства.Он содержит многоотверстные феррнтовые пластины 1 с печатным проводом и металлические прокладки 2, соединенные шиной 3.При соединении шины с землей устройства (с нулевым потенциалом) все металлические прокладки также оказываются под нулевым потенциалом, Разрядный провод в этом случае имеет параметры, близкие к параметрам ндеальнои былинной линии. Малое волновое сопротивление разрядного провода уменьшает напряжение на нем, возникающее при прохождении разрядного тока, Это ослабляет влияние числовых проводов, проходящих сквозь отверстия пластин (на чертказаны), на волновые параметрыпровода. Металлические...
Запоминающее устройство
Номер патента: 219629
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Фельдман
МПК: G11C 11/06, G11C 11/14
Метки: запоминающее
...пзобретснг 11 звестны запоминающие устройства, содер. жащие ферритовый накопитель и накопитель на тонких магнитных пленках.Описываемое устройство отличается тем, что, с целью сокращения времени передачи информации, поступающей с фсрритового накопителя в накопитель на тонких магнитных пленках, ферритовый накопитель разбит на зоны, а одноименные сердечники всех зон ферритового накопитсля связаны общим проводом с соответствующими элементами накопителя на тонюгх магнитных пленках.На чертеже схематически изображено запоминающее устройство.Устройство содержит ферритовый накопитель 1 и накопитель 2 на тонких магнитных пленках. Ферритовый накопительразбит на зоны. Запоминающее устройство, содержащееферритовыЙ ггакопггтсль гг ггакопггтсль гга...
Ячейка памяти
Номер патента: 219632
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G11C 11/38
...т пульсов.Это позволяет повысить помехоу нагрузочную способ ость генерато импульссв и уменьшить потребля ность. На чертеже приведена прин ма предлагаемой ячейки пам Ячейка состоит из транзис ного диода 2, нагрузочного со дифференцирующей цепи 4, 5. Транзистор 1, включенный щим эмиттером, используется вязывающего элемента между ти и как усили гель сигнала з щего в его базовую цепь. Туннельный диод 2 и сопр разуют элемент памяти ячейкиНаличие сигнала в базе транзистора 1 приводит и его отпиранию и перебросу коллекторным током транзистора туннельного диода из состояния О (низковольтное состояние 5 туннельного диода 2) в состояние 1 (высоковольтное состояние туннельного диода 2), т. е. происходит запись 1 и ее хранение до прихода...
Многоотверстная ферритовая пластина
Номер патента: 219633
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G11C 11/06
Метки: многоотверстная, пластина, ферритовая
...нескольких слоев исключает возможность совпадения дефектов во всех слоях в области, принадлежащей одному запоминающему элементу.Таким образом обеспечивается значительное увеличение однородности многоотверстных ферритовых пластин. Это снизит брак при их производстве, а также увеличит устойчивость и стабильность устройств памяти. Описыв она соде раополо Это по ва пласт аемая ржитженные зволя ины. пластина отл отдельные фвплотную др т повысигь ичается тем, чтерритовые слог к другу.агнитные свойс 1 а чертеже изображена о сываема тина состоит из несколь Слои изготавливаютсялитья или свободного щей прокаткой, Нескольскладываются и обж ствующем давлении, В образуется монолитна ра. С помощью ультраз т изобретен ких слоев ферметодом пресполива...
Запоминающая ячейка
Номер патента: 219634
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Гродзенский, Гуральник, Росницкий, Торотенков
МПК: G11C 11/14
Метки: запоминающая, ячейка
...током в адресной обмотке, и полем, размагничивания, которое возникает 10 при повороте намагниченности к осевому направлению и замыкании магнитного потока, обусловленного этой намагниченностью вне ЦТМП.Обмотка считывания должна быть узкой, 15 чтобы поле размагничивания было велико, аистинное поле возбуждения адресного тока считывания б было меньше минимального поля анизотропии ЦТЯП во всех точках запоминающей ячейки, благодаря чему величина 20 остаточной намагниченности не будет уменьшаться при сколь угодно большом числе возбуждений (обращений к ячейке). Это происходит в том случае, если угол поворота намагниченности не превышает некоторой критиче ской величины, при которой он полностью обратим.Поле размагничивания возникает...
Пьезоэлектрический элемент памяти
Номер патента: 219636
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Лавриненко, Некрасов, Плахотный
МПК: G11C 11/22
Метки: памяти, пьезоэлектрический, элемент
...и под тивлеццс кИзвестны пьезоэлектрические элементы памяти, выполненные в виде двух соприкасающихся сегнетоэлектрических пластин возбуждения и генсратора,Предложенный элемент отличается тем, что для увеличения напряжения на нагрузке и улучшения развязки источников в него введена сегнетоэлектрическая пластина управления, помещенная между пластинами возбуждения и генератора и подключенная через реактивное сопротивление к генератору управления.Элемент памяти изображен на чертеже.Элемент памяти представляет собой склеен. ные, покрытые электродами пьезоэлектрические пластины. Генсраторная секция 1 и секция 2 возбуждения жестко поляризованы.При подключении на вход генератора синусоидальных колебаний в образце устанавливаются упругие...
219637
Номер патента: 219637
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Институт, Телемеханики
МПК: G11C 11/06, G11C 27/00
Метки: 219637
...Пр Необходимости электроды 2 3 ъогут быть нс замкнутыми, а нанесены лишь на часть поверхности. 30 В полупроводниковых элементах Холла увеличение толщины элемента для получения большей мощности выходного сигнала обычно ведет к увеличению воздушного зазора ц, следовательно, к увеличению размягнцчцвающего фактора, Это заставляет уменьшать толщину полупроводИкогого элемента, а требуемую мощность сигнала получать с позощыо дополнительных усилителей.В прсдложенном устройстве увеличение пло,цади входных и выходных электродов 2 и 3 не имеет таких ограничений. Это позволяет получить более высокую мощность сигнала на выходе и лучший коэффициент использования магнитного материала сердечника 1.Принцип работы устройства закгночается в следующем.На...
Способ построения систем со многими устойчивыми состояниями динамического равновесия
Номер патента: 219874
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Ков, Сигорский, Ситников
МПК: G11C 11/00
Метки: динамического, многими, построения, равновесия, систем, состояниями, устойчивыми
...способ получения нескольких состояний устойчивого равновесия в колебательной резонансной системе, основанный на периодическом изменении одного из параметров системы, например индуктивности или емко сти. Устойчиьые состояния в известном способе отличаются фазами или отсутствием колебаний и число их ограничено (обычно не более двух - трех).Предлагаемый способ отличается от извест ного тем, что число устойчивых состояний может быть сильно увеличено без увеличения аппаратуры соответствующего устройства.Способ состоит в том, что на резонансный контур с положительной обратной связью по дают напряжение, спектр которого состоит из суммы нескольких гармоник по числу устойчивых состояний системы. При этом контур должен обладать способностью...
Многостабильное устройство
Номер патента: 219875
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Ков, Сигорский, Ситников
МПК: G11C 11/56
Метки: многостабильное
...положительной обра з 1:о с инерционным зьеном, состоящ тектор 1, сглаживающего фильтра теля.1 ержащее ной колесм, что, с величенпя веспя си- конструкс источтым спектной свяей нз деи усилиИзвестны устройства, обладающие несколькими устойчивыми состояниями равновесия. Их недостатком является увеличение оборудования при увеличении числа устойчивых состояний.В предлагаемом заявителями устройстве увеличение числа устойчивых состояний не связано с привлечением дополнительного оборудования. Оно является реализацией способа построения систем со многими устойчивыми состояниями равновесия по авт. св.219874.На чертеже приведена принципиальная схема устройства. Оно состоит из колебательного контура1, У. и С, на который через конденсатор С,...
Регистр последовательного действия
Номер патента: 219888
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Всесоюзный, Дружаев, Средств
МПК: G11C 19/00
Метки: действия, последовательного, регистр
...элементов. Предположим, что в промежуток времени до второго тактового импульса в управляющий канал 1 б запоминающего элемента 5 ячейки 2 будет подан импульс или серия импульсов, которые перебросят выходную струю элемента 5 в канал 15. Если импульс был подан в момент подачи продвигающего тактового импульса, то он прошел через элемент 12 НЕ - ИЛИ и был зафиксирован на запоминающем элементе 10, так как тактовый импульс перекрыл элемент 11 НЕ - ИЛИ.После подачи тактового импульса сигнал прошел в канал 16 элемента 5 ПАМЯТЬ ячейки 2 и перебросил струю в выходной канал 15, с которого поступил сигнал обратной связи в канал сброса 17 запоминающего элемента 10 и привел последний в исходное положение.Третий тактовый продвигающий...
Сдвигающий регистр
Номер патента: 219889
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Гергель, Елеонский, Научно, Осипов, Свидзинский
МПК: G11C 19/36
Метки: регистр, сдвигающий
...на эту же з трех рядом располорезистор подключен к тания, причем каждый к одной и той же шиСдвигающие регистры, выполненные в виде интегральной твердой схемы, известны.Предложенный регистр отличается от известных тем, что он выполнен на монокристаллической полупроводниковой пластине, 5 являющейся общей базой диодов, эмиттеры нанесены на эту же пластину, а каждый из трех рядом расположенных диодов через резистор подключен к одной из трех шин питания, причем каждый третий диод подключен 10 к одной и той же шине питания.На фиг. 1 приведена схема сдвигающего регистра; на фиг. 2 - временная диаграмма.Регистр представляет собой последовательный ряд диодов 1 - 7, база которых изготов лена из единой монокристаллической пластины, Каждый третий...
Двоичный счетчик импульсов
Номер патента: 219897
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Вайнер, Джики, Манук, Чхеидзе
МПК: G11C 19/00, H03K 23/40
Метки: двоичный, импульсов, счетчик
...2, элементы ИЛИ 3, элементы 4 задержки в разрядах, элемент 4 задержки на входе в полусумматор и полусумматор б,Время задержки в элементе 4 выбираетсяравным сумме всех элементов 4 задержек вразрядах, каждая из которых равна временисрабатывания триггера.Схема работает следующим образом.Прп отсутствии нарушений и сбоев вход 0 ной сигнал распространяется по основномусчетному регистру до триггера Тт, который вданный момент находится в положении О, иперебрасывает его в положение 1, С единичного выхода триггера Т, с помощью диффе 5 реп цирующей цепочки получается положительный импульс, который подается на ячейкуИЛИ. Далее импульс распространяется поцели индикатора ошибки и подается на входпол сумматора.0 Время прохождения импульса от входа...
Счетчик импульсов
Номер патента: 219932
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Вычислительной, Зибинь
МПК: G11C 11/56
...способом.Устройство работает следующим образом.Предположим, что транзисторы 1 и 7 заперты. Тогда остальные транзисторы в обоих триггерах через цепи связи удерживаются в открытом состоянии. Ток нагрузки протекает 5 0 15 20 25 ной техники Латвийской СС через транзистор 2, сопротивление 1 б, диод 17 и транзистор 8. Базовый ток к транзистору 2 поступает через транзистор 8, сопротивление 15, диод 18 и сопротивление 5, а к транзистору 8 - через транзистор 2, диод 19, сопротивление 14 и сопротивление П. Через сопротивление 13 ток не протекает, так как диод 20 заперт. Диоды 17, 18, 19 и 20 можно исключить, если на нагрузке допустимо обратное напряжение.При поступлении пускового импульса положительной полярности на вход устройства триггер,...
Магнитный запоминающий и логический элемент
Номер патента: 220313
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Титов
МПК: G11C 11/08
Метки: запоминающий, логический, магнитный, элемент
...импульсов возбуждения и восстановления (разумеется, с амплитудами, достаточными для персмагничивания по всей длине стержня), состояния, приведенные на фиг, 2 и 4, будут сменять друг друга, не вызывая сигнала на выходной обмотке 9, намотанной так, как это показано на фиг, 3 и 4.Однако, если одновременно с действием импульса возбуждения по входной обмотке 10 подать управляющий ток указанного на фиг. 5 направления, то для переключения магнитного потока по верхнему рабочему стержню будут созданы более благоприятные условия, в результате чего большая часть потока, перекл 1 очсиная источником потока, замкнегся именно через этот стержень (см. фиг. 5). В этот момент на выходной обмотке 9 будет иметь место сигнал, определяемый разностью...
Способ контроля однородности цилиндрических тонких ферролагнитных пленок
Номер патента: 220314
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Ершое
МПК: G11C 11/14, G11C 29/00
Метки: однородности, пленок, тонких, ферролагнитных, цилиндрических
...индукция насыщения, Н - поле анизотроппи, а второй горизонтален и находится на оси Х на 20 расстоянии, равном В,. Воздействие синусоидального переменного поля с амплитудой Н, на материал с такой магнитной характеристикой приводит к появлению во вторичной э д.с.третьей гармоники, зависимость амплитуды 25 которой Е,от амплитуды Н, выражаетсяследующей формулойгде Е, - амплитуда третьей гармоники, О, - амплитуда переменного поля, д и Н - толщина н поле анизотропии контролируемого участка пленки, А - коэффициент, зависящий от числа витков вторичной обмотки Л, радиуса подложки Я, частоты переменного поля 1 и индукции насыщения В, материалов пленки (которую предполагаем равной индукции насыщения массивного материала):А= (16 л ЯРВ,) зВсе...
Долговременное оптическое запоминающееустройство
Номер патента: 220315
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Бродолин, Виленский, Драчев, Кан
МПК: G11C 11/42, G11C 17/00
Метки: долговременное, запоминающееустройство, оптическое
...угловую модуляцию пучка по двум независимым координатам. Система, состоящая из дополнительного отрицательного линзового растра 4 и коллектива, направляет референтный луч на носитель информации (например, кристалл с обеспечивающимися Ф-центрами, расположенный вблизи главных плоскостей объектива б). Объектив б изображает линзовый растр 4 на зеркально подобный ему растр с положительными микролинзами. Кодирующий растровый блок позволяет в каждый момент времени определять положение луча ОКГ и обеспечивает его установку по заданному адресу, Записанный в микрокадрах на фотопластине 8 код проектируется на параллельно действующий приемник. Система обратной связи замыкается через компарагор П 1 на отклоняющее луч устройство,Отраженный зеркалом 2...
Ассоциативное запоминающее устройство
Номер патента: 220316
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Петров
МПК: G11C 15/00
Метки: ассоциативное, запоминающее
...напряжений с и0 на разрядные шины. Код 1 соответствуетподаче на правую разрядную шину напряжения Ь и на левую напряжения 0 (шина заземляется), код 0 - подаче напряжения (на5 левую разрядную шину и напряжеия 0 - направую (например, на 1-й разряд подаетсякод 1, а на 3-й - код 0). Разряд, на когорый не подаегся код признака (закрытыймаской), обозначен Ф, обе шины этого раз 0 ряда заземляются (например, разряды 2, Ь - 1,Ь). На чертеже обозначены Д - диоды, Гд -напряжение, компенсирующее падение напряжения на диодах, а - количество слов, Ь -количество разрядов в слове, На чертеже изо 5 бражены еще две дополнительные разрядныешины с и и, соединенные резисторами Р совсеми горизонтальными шинами,Устройство работает следующим образом.Если код...
Ассоциативное запоминающее устройство
Номер патента: 220317
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Петров
МПК: G11C 15/00
Метки: ассоциативное, запоминающее
...различны. Разрядам прямого и обратного кода, не закрытым маской, присваивают вес р, который должен быть наибольшим весовым коэффициентом.Устройство 7 осуществляет умножение прямого и обратного кода каждого разряда на весовой коэффициент данного разряда, напряжения с его выхода подаются через дроссели 4 на разрядные шины матрицы сопротивлений, При этом сумма разрядных токов является величиной, характеризующей степень совпадения признака и данного слова. Чем больше сумма разрядных токов, тем больше слово отличается от признака, Таким образом, при считывании слов в порядке возрастания сумм разрядных токов будет осуществляться упорядоченный вывод информации.Так как туннельные диоды обладают относительно малыми входными сопротивлениями, то...
Устройство для чтения информации
Номер патента: 220318
Опубликовано: 01.01.1968
МПК: G11C 7/02
Метки: информации, чтения
...стробирование и подавляются как 20 когерентные (помеха от заднего фронта импульса опроса), так и некогерентные (помеха от записи) с сигналом опроса помехи. На че ройство мотка трансфо входная чтения,обмоткартеже изображено 1 - трансформаточтения (записи),рматор, 4 - обмоти выходная обмот тое уст - об описываер записи,3 - соглака запретаки, 7 - уаничительный резистования, 10 - генер редмет изобретения сующийбиб Устрой смин ающех содержащ 0 личаютдее во для чтен устройстве е согласую ч тем, что,илительор, Эатор за троб Предлагаемое устройство относится и цифровым устройствам автоматики, телемехан ки и вычислительной техники.Известные устройства для чтения информации в запоминающем устройстве (ЗУ) с линейной выборкой, содержащие...
Логическое запоминающее устройство
Номер патента: 220626
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Смол
МПК: G11C 15/00
Метки: запоминающее, логическое
...и напряжение, которое удерживаетво включенном состоянии. При подаче положительного импульса на клемму 5 или б выключается тиристор 26 или 27, что соответствует записи О или 1, а на клемму 3 или 4 - выключается тиристор 16 или И. Подавая напряжение на клеммы 1 и 2, получают сигнал на выходных клеммах 7 и 8, если включен тиристор 26 и выключен тиристор И или включен тиристэр 27 и выключен тиристор 16.Таким образом, запоминающая ячейка становится проводящей от клемм 1, 2 к клеммам 7, 8, если информации 1 или О ее левой половины соответствует информации О или 1 в правой половине.При одновременной подаче на клеммы 3 и 4 положительного импульса, в результате чего выключаются тиристоры 16 и 13, возникающее в ячейке проводящее состояние от...
Магнитный элемент
Номер патента: 221048
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Ленинградский, Тимофеев
МПК: G11C 11/06
...считы вания информации и обмотка восстановления проходят согласно через основное и встречно через диаметральное отверстие. Такое выполнение элемента позволяет усилить выходной сигнал. 10На фиг. 1 схематически показан предлагаемый магнитный элемент; на фиг. 2 - распределение остаточных магнитных потоков в зонах вокруг диаметрального отверстия.Магнитный элемент содержит сердечник 1 15 с диаметральным отверстием, обмотки записи 2 и 3, обмотку считывания 4, обмотку восстановления 5 и выходную обмотку б.Запись информации в элемент памяти может осуществляться любым известным спосо бом.Нестирающее считывание информации производят путем поочередной подачи импульсов тока в обмотку считывания 4 и в обмотку восстановления 5. Выходной сигнал...
221763
Номер патента: 221763
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Свердлов
МПК: G11C 11/08
Метки: 221763
...пару ограничивающих отверстий егопроходит печатный проводник, образующий 25короткозамкнутый виток,Это позволяет уменьшить индуктивностьэлемента.На чертеже изображена часть многоотверстной ферритовой пластины. 3 Между рабочими отверстиями 1 расположена пара ограничивающих отверстий 2. Печатный проводник д проходит сквозь ограничивающие отверстия, образуя короткозамкнутый виток.Когда через рабочие отверстия 1 проходит по печатному проводнику 4 ток, в пластине вокруг рабочих отверстий возникает магнитное поле, создающее магнитный поток. При возникновении или изменении магнитного потока вокруг рабочих отверстий в короткозамкнутом витке, соединяющем ограничивающие отверстия, индуктируется ток, магнитное поле которого направлено встречно с...
221764
Номер патента: 221764
Опубликовано: 01.01.1968
Автор: Изобрет
МПК: G11C 15/00, G11C 7/00
Метки: 221764
...т. е. присваивают этим разрядам определенные весовые коэфсЬициенгы.Возьмем в качестве весовых коэ ицпентов ффе=у - 115 элеэеаты ряда ае; =К+ ад ари К=1, П 1=-1,т=тПо=2, П;=4, Пг=8 и т. д. В качестве весовых коэффициентов разрядов следует выбирать различные, не равные друг другу элементы ря да. Если какие-либо разряды из е не участвуют в упорядочении информации, им присваивают весовой коэффициент О, а остальным г - е разрядам присваивают весовой коэффициент тр=лу.гг, где л; - наибольший из весовых 25 коэффициентов, которые присвоены разрядам,закрытым маской. Таким образом, всем разрядам присвоены некоторые весовые коэффициенты.Найдем теперь зве.30 дения прямого к код221764 Составитель А. А, СоколовРедактор Л, А. Утехина Техред Л. Е....