Мамута

Номер патента: 536527

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Аракчеева, Иванов, Мамута, Прушинский, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...коллектор и-р-и транзистора 8, бава которого связана с числовой шиной 7, а эмиттер его - с шиной питания (смещения) 9. З 5Ячейка памяти работает в трех режимах;режим хранения; режим записи информации и режим считывания информаптл.В режиме хранения информации прямым смещением напряжения на переходе база - 4 О эмиттер открыт и насыщен транзистор 8, а, следовательно, смещены в прямом направлении переходы эмиттер - база транзисторов 5 и б, и происходит непосредственная инжекция носителей в базы гг-р-гг транзисторов 1 45 и 2.Если один из транзисторов 1 или 2, например транзистор 1, насыщен и инверсный коэффициент усиления по току этих транзисторов В=1, то обратный ток эмиттера насы щенного транзистора 1 переключает на себя ток инжекции...

Номер патента: 494767

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Аракчеева, Мамута, Прушинский, Удовик, Федоров, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...протекающий через переход транзи, Яворовская тор Л, Утехина Корректор Т. Фисенко хред амышникова аказ 196/14 Изд, Мо 129 ИПИ Государственного ко по делам изобре 113035, Москва, Ж, Тираж 648 итета Совета Мин ений и открытий Раушская наб., дПодписноев СССР Типографи пр. С ва стора 5. Этот транзистор входит в насыщение, его переход база - коллектор (который является одновременно переходом база - эмиттер транзисторов 1 и 2) смещается в прямом направлении, и большая часть базового тока ответвляется за счет инжекции неосновных носителей в этот открытый переход. Ток, протекающий по переходам эмиттер - база транзисторов 1 и 2, вызывает вторичную инжекцию в коллекторы этих транзисторов, являющиеся базами транзисторов 3, и транзисторы 3 и 4...

Номер патента: 444249

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Белопольский, Иванов, Мамута, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 19/28

Метки: разрядный, регистр, сдвигающий

...7 и 8. Передача информации происходит с помощью управляющих тактовых импульсов р, и р которые подаются соответст венно по шинам 9 и 10. Изменение величин токов при переходе из режима хранения в режим передачи информации осуществляется путем использования тактовых импульсов питания ср, и ср 4, приложенных соответственно к 25 шинам 11 и 12.Сдвигающий регистр работает следующимобразом.Пусть к шине управляющих тактовых импульсов 9 приложен низкий уровень потенциа- ЗО ла (ячейка 1 работает в режиме хранения ин.формации) и двухэмиттерный транзистор 3 ячейки насыщен, а транзистор 4 закрыт. В момент времени 1, на шине 9 потенциал увеличивается, а на шине 10 уменьшается, Ток насыщенного транзистора 3 переключается во второй эмиттер этого...