Савлук
Установка для обработки воды ионами серебра
Номер патента: 629727
Опубликовано: 15.10.1993
Авторы: Белов, Гейфман, Канниболодский, Кульский, Маляревский, Савлук
МПК: C02F 1/467
...установка для обработки водыуонами серебра, содержащая электролизерс рребряными электродами, питающийэлектролизер источник постоянного тока спереключателем полярности электродов исистему трубопроводов для подачи и отводаводы.Недостатком известной установки является невозможность поддержания постоянной концентрации ионов серебра вобрабатываемой воде при изменении расхода воды, ее солесодержание и поляризации электродов.С целью устранения указанного недостатка предложенная установка дополнительно снабжена датчиком расхода воды,соединенным со стабилизированным по выходу источником постоянного тока,На чертеже представлена принципиальная схема устройства. Она включает электролизер 1 с серебряными электродами, связанный со стабилизированным...
Установка для обработки воды
Номер патента: 1798320
Опубликовано: 28.02.1993
Авторы: Болдырев, Гончарук, Дейнега, Косинова, Лямаев, Савлук
Метки: воды
...мембрану в камере разбавления осмотического аппарата, расположенного ниже растворного бака. При этом вода поступает ДЛЯ ОБРАБОТКИ ВОДЫ бретения: установка сомкнутый контур, включаюбавления осмотического рный бак, второй замкну- чающий промежуточный а воды осмотического апклапан и эжектор, и третур, включающий насос и ы, 1 ил. 1 табл, 1798320снова поступает в бак 5. На участке между камерой 2 и эжектором 6 установлен обратный клапан 6. К линии контура между камерой 2 и обратным клапаном 8 присоединен клапан для впуска воздуха 9,В третьем замкнутом контуре (насосэжектор) вода с помощью насоса прокачивается через эжектор. При этом приток воды в контур осуществляется через всасывающий патрубок эжектора и трубопровод исходной воды, а...
Способ обработки природных вод
Номер патента: 1758017
Опубликовано: 30.08.1992
Авторы: Болдырев, Гончарук, Дейнега, Лямаев, Савлук
МПК: C02F 1/52
...Кроме томость концентрации алюминия в обрабаты- го, медь применяют в качестве металла, об1158017 Таблица 1 ладающего антимикробными свойствами, и его микроколичества, переходящие в раствор в результате катодного растворения,Перед пропусканием воды через загрузку металлы активируют активной щелочью КОН и промывают дистиллированной водой, Обрабатываемую воду подают в резервуар с загрузкой, причем, задаваясь площадью поверхности алюминиевой загрузки и объемом обрабатываемой воды, можно дозировать коэгулянт в необходимой концентрации.Способ позволяет дозировать коагулянт непосредственно в обрабатываемую воду без затрат электроэнергии,Заявляемое соотношение площадей поверхности меди и алюминия, а также время контакта воды с загрузкой...
Способ обеззараживания питьевой воды
Номер патента: 1678770
Опубликовано: 23.09.1991
Авторы: Калиниченко, Потапченко, Савлук
Метки: воды, обеззараживания, питьевой
...показателям соответствующую требованиям ГОСТ 2874 - 82 "Вода питьевая", заражают микроорганизмами Е,соИ в количестве 10 кл/мл, 20 мл зараженной воды помещают в стеклянный бюкс и при помешивании на магнитной мешалке облучают ультрафиолетовым светом с А 257 нм а дозе 0,325 мДж/см (10 секунд аргоноао-ртутной лампой низкого давления ДБ-ЗО, помещенной на расстоянии 110 см от объекта). Затем вносят 0,2 мл раствора СцЗо 4 7 Н 2 О с концентрацией 0,1 мг/мл (концентрации Сц в рабочем растворе составляет 1 мг/л) и через интервалы времени 10, 20, ЗО и 60 мин отбирают пробы для определения числа выживших клеток.Количество меди и дозы облучения выбраны из условий, обеспечивающих 100 обезэа 7 оаживание воды, контаминироаанной 10 микробами на 1 мл, за...
Способ определения бактерицидной дозы дезинфектанта для обеззараживания воды
Номер патента: 1608580
Опубликовано: 23.11.1990
Авторы: Дейнега, Корниевская, Савлук
МПК: G01N 33/15
Метки: бактерицидной, воды, дезинфектанта, дозы, обеззараживания
...(5 В/см) и в течение 5 мин проводят измерения по известной методике, По секундомеру определяют время непрохождения клеткой 1 см, По полученным данным определяют электрофоретическую подвижность 0 - , где 0,0008 - коН 0,0008станта для данных условий измерения, и строят зависимость электрофоретической1 б 08580 Т аблица 1 подвйжности бактерий от концентрациидезинфектантов.Далее от каждой пробы отбирают по1 мл пипеткой и вносят в чашку Петри. послечего заливают расплавленным агаром. Затем чашки термостатируют при 37 С в течение 18 ч. После этого производятвизуальный подсчет выросших колоний, Серия экспериментов повторяется восемь раз.Обеззараженной может считаться вода, 10в которой количество бактериальных клетоккишечной палочки не...
Способ обеззараживания воды
Номер патента: 1010018
Опубликовано: 07.04.1983
Авторы: Амирагов, Бобе, Гребенюк, Корчак, Омельянец, Савлук, Соболевская, Томашевская
МПК: C02F 1/467, C02F 1/48
Метки: воды, обеззараживания
....являются высокая стоимость и длитель ность процесса обеззараживания, при этом интенсивность процесса невеликаЦель изобретения - интенсификация и удешевление процесса обеззараживания воды от микроорганкзмов,указанная цель достигается тем, что согласно способу обработку воды осуществляют в постоянном электрическом поле при градиенте напряженности последнего 100-500 В/смс П р и м е р Исходную вОду с Обсе"мененную кишечнОЙ палОчкой до кон-центраций :.О мтм, со скОрОстью8 мл/мин пропускают через ячейку,предсав.яющую собой бездиафрагменный прямоугольный электролизер,оборудованный анодомзыполненныч иэ,платиновой полоски размером 18 хх 1 мм,катсд выполнен из нержавеющей стали, Ври градиенте напряжен 2ности 490 В/см-,. что...
Аппарат для получения коагулянта
Номер патента: 874653
Опубликовано: 23.10.1981
Авторы: Гриненко, Дроздович, Кульский, Курган, Савлук, Сайгак
МПК: C02F 1/463, C02F 1/52
Метки: аппарат, коагулянта
...катодом. 30 На чертеже схематически изображенпредлагаемый аппарат,Аппарат содержит корпус 1 скрышкой, инертные электроды 2, алюминиевые электроды 3 и диафрагму 4,Движение раствора через аппарат обозначено стрелками.Были проведены сравнительные опыты, в которых определяли расходэлектроэнергии на получение коагулянта при использовании известного ипредлагаемого аппаратов.Условия опытов: межэлектродноерасстояние 20 мм, площадь инертныхэлектродов 15 см, площадь алюминиевых электродов 15 см, плотность тока на алюминиевых электродах2 мА/см, плотность тойка на инертныхэлектродах 300 мА/см , концентрацияйаС 1 в растворе 25 г/л, расход раствора через аппарат 4 л/ч.При использовании предлагаемогоаппарата расход электроэнергии составил 2, 28 Вт.ч на...
Способ стерилизации питьевой воды
Номер патента: 823307
Опубликовано: 23.04.1981
Авторы: Демьяненко, Корниевская, Кульский, Савлук, Сайгак
МПК: C02F 1/50
Метки: воды, питьевой, стерилизации
...соот.ветствует качеству. питьевой воды.З 2 аЗ 07 Остаточная концентрация хлора обычно равна 0,5 мг/л. 4).Недостатком данного способа является то, что он, как и другие методы, где применяются галогены, требует определенного, довольно длительного времени обеззараживания (60 мин)Цель изобретения - сокращение времени стерилизации воды.,+ ". наличае роста щж аосеие вробм и количестве 1 мя и тиврдув пктательиув среду93 що е0 отсутствие роста, Время действия О юя - ироба отбиралась ораву после введения ивсщу определеииойконцентрации межгаяоидиого соединения.Из полученных данных следует, что водоочистки и снижает ее себестои-.обеззараживание воды межгалоидными мость.соединениями ЛС и Л С 1 достигается формула изобретения при концентрации...
Формирователь тактовых импульсов
Номер патента: 572906
Опубликовано: 15.09.1977
Авторы: Большаков, Пронин, Прушинский, Савлук, Удовик, Федоров, Филиппов
МПК: H03K 5/01
Метки: импульсов, тактовых, формирователь
...33 и 39 открыты и насыщены, На выходе 43 устанавливается высокий уровень напряжения, при этом ток в базу транзистора 39 проходит через резисторы 34 - Зб от вспомогательного источника питания шины 38. Транзистор 40 находится в области инверсного насыщения, При поступлении на вход 42 положительного входного импульса вследствие различного порога срабатывания входных диодно-резисторных переключательных цепей 5 - 8 вначале включаются транзисторы 1 и 2, а затем - последовательно транзисторы 3 и 4.Коллекторным током транзисторов 1 - 3 закрываются последовательно транзисторы 32, 33 и 39, а за счет коллекторного тока транзистора 4 формируется срез на входе 42. Во время действия на входе 42 высокого уровня напряжения на выходе 43 поддерживается...
Усилитель считывания
Номер патента: 531192
Опубликовано: 05.10.1976
Авторы: Домнин, Маковий, Савлук, Федоров
МПК: G11C 7/06
Метки: считывания, усилитель
...источники тока 3, 4, транзисторы 5, 6 противоположного типа проводимости, 531192резисторы 7 - 9, инверсно включенные транзисторы 10, 11, промежуточный усилительный каскад 12 и логический каскад 13,Усилитель считывания работает следующим образом.При подаче сигнала "О" с микромощной логической ячейки на вход Т усилителя считывания коллекторный ток транзистора 1 резко уменьшается. При этом на вход 1 усилителя считывания подается сигнал "1", Положительный импульс на. пряжения на коллекторе транзистора 1 отпирает инверсно включенный транзистор 10 и за счет источника тока 4 он вводится в режим насыщения. В результате потенциал эмиттера становится близок потенциалу его коллектора, потенциал базы трачзистора 10 - потенциалу его коллектора, и...
Ясейка памяти
Номер патента: 521605
Опубликовано: 15.07.1976
Авторы: Домнин, Маковий, Петров, Савлук, Федоров
МПК: G11C 11/40
...базового тока транзистора 3, ВтоЗО рое кольцо, симметричное первому, состо-, ит иэ соединенных между собой коллек, тора транзистора 4 с базами транзисторов 1 и 7,:коллектора транзистора 7 и базы транзистора 4 с катодом диода 6. ;ЗбПри повышении потенциала беэ транзистдров 2 и 8 потенциал. коллектора транзис тора 8 и первого эмиттерв транзистора 2 понижвются,что приводит к увеличению тока 1 4 О через прямосмещеипый диод 5 а этов своЬ, ,очередь приводит к увеличению тока базы транзистора 3 и к повышению коллекториого тока этого транзистора, Повышение тока коллектора транзистора 3 ведет к увеличе ,р нию базовых токов трвнисторов 2 и 8, т. е, к еще большему повышению потенциала баз .транзисторов 2 и 8. Весь процесс происходит.:в...
Двухканальный дешифратор
Номер патента: 512575
Опубликовано: 30.04.1976
Авторы: Иванов, Прушинский, Савлук, Филиппов, Чистяков
МПК: H03K 13/24
Метки: двухканальный, дешифратор
...и 30 подключены соответственно к коллекторам и эмиттерам транзисторов 13, 14, 21 и 22, а базы транзисторов 27, 28, 29 и 30 соединены соответственно с базами транзисторов 14, 21, 22 и 13. Между выходами дешифратора 15, 16, 25 и 26 и положительной шиной 7 включены нагрузочные резисторы 31, 32, 33 и 34,Двухканальный дешифратор работает следующим образом,Ко входам 3 и 4 приложен высокий уровень потенциала. Током через резистор 5 открывается транзистор 8 и суммарным током через резисторы 5 и 17 - транзисторы 13 и 30. Аналогично током через резисторы 6 и 18 второго канала открываются транзисторы 14 и 27, Транзисторы 21, 22, 28 и 29 в этом случае закрыты, так как напряжение на коллекторах насыщенных транзисторов 8 и 9 составляет У, - . Ув и...
Устройство для контроля полированных пластин
Номер патента: 507771
Опубликовано: 25.03.1976
Авторы: Гвоздевский, Иванов, Савлук, Щевелев
МПК: G01B 11/24, G01B 11/30, G01B 9/02 ...
Метки: пластин, полированных
...расположен над полупроэрачным зеркалом так, что его горизонтальная плоскость служит опорой для контролируемой пластины,В предлагаемом устройстве эталонный25 ический клин закреплен постоянно, акбгерентное излучение направлено через него, коллиматор и полупрозрачное зеркало на поверхность контролируемой пласти,ны, вплотную прилегающей к горизонталь ной поверхности клина, Такое взаимное расположение частей устройства, а также расположение контролируемой пластины по отношению к эталонному клину позволяет устранить операцию по выставлению оптического клина в процессе контроля, и, следовательно, повысить производительность контроля., На чертеже изображено описываемое уст; ройство.Оно содержит источник когерентного из 5 лучения-лазер 1,...
Ячейка памяти
Номер патента: 491998
Опубликовано: 15.11.1975
Авторы: Аракчеева, Иванов, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...транзисторов 3 и 4 задается базовым током этих транзисторов через диод 13 и резистор 14. 11 ереключающие транзисторы р - п - р-типа 5 и 6 в этом режиме закрыты, так как закрыты эмиттеры двухэмиттерных транзисторов 1 и 2, подключенные к разрядным шинам 8 и 9, а падение напряжения на диоде 13 недостаточно для открывания переключающего транзистора, база которого подключена к коллектору насыщенного двухэмиттерного транзистора.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. В момент считывания потенциал на шине питания 10 увеличивается. Это ведет за собой увеличение потенциала на шине смещения 11, к которой подключены эмиттеры переключающих транзисторов 5 и 6, Транзистор 5 открывается, так как база его...
-разрядный сдвигающий регистр
Номер патента: 444249
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Белопольский, Иванов, Мамута, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 19/28
Метки: разрядный, регистр, сдвигающий
...7 и 8. Передача информации происходит с помощью управляющих тактовых импульсов р, и р которые подаются соответст венно по шинам 9 и 10. Изменение величин токов при переходе из режима хранения в режим передачи информации осуществляется путем использования тактовых импульсов питания ср, и ср 4, приложенных соответственно к 25 шинам 11 и 12.Сдвигающий регистр работает следующимобразом.Пусть к шине управляющих тактовых импульсов 9 приложен низкий уровень потенциа- ЗО ла (ячейка 1 работает в режиме хранения ин.формации) и двухэмиттерный транзистор 3 ячейки насыщен, а транзистор 4 закрыт. В момент времени 1, на шине 9 потенциал увеличивается, а на шине 10 уменьшается, Ток насыщенного транзистора 3 переключается во второй эмиттер этого...
Ячейка памяти
Номер патента: 444245
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Аракчеева, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...3, так как на разрядный эмиттер 5 этого транзистора подается низкий уровень потенциала. Транзистор 3 насыщается и током эмиттера обратной связи 9 закрывает транзистор 4. Схема переключалась в другое состояние, После записи информации напряжение на шине питания уменьшается, ток насыщенного транзистора 3 переключает. ся в эмиттер 7 хранения и в резистор 11 а ячейка переходит в режим хранения информации уже в новом состоянии.Ток в режиме хранения информации может быть на несколько порядков меньше тока, включающего усилитель считывания информации и тока, переключающего ячейку в другое состояние в момент записи информации, чем обеспечивается малая потребляемая мощность. В то же время в схеме предусмотрен высокий уровень токов в режимах...
Ячейка памяти
Номер патента: 444244
Опубликовано: 25.09.1974
Авторы: Аракчеева, Прушинский, Пуппинь, Савлук, Удовик, Филиппов
МПК: G11C 11/40
...хранения информации. Переключающие транзисторы р - и - р типа 5 и 6 в этом режиме закрыты и 15 не влияют на работу схемы.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. При подаче положительного импульса считывания - записи на числовую шину 7 открывает ся транзистор 5, так как база его оказывается подключенной к насыщенному транзистору 1, Эмиттерный ток насыщенного транзистора 1 резко увеличивается, что обеспечивает резкое повышение напряжения на разрядной 25 шине 8 и быстрое включение усилителя считывания 12. При этом за счет коллекторного тока транзистора 5 обеспечивается увеличение тока базы транзистора 1, необходимое для поддержания его в насыщенном состоянии, ЗО так как коллектор ного тока нагруз очного...
Составной сложный инверторв п 1 ьр-шц •ifoerptnnkvulk слу1, г sua
Номер патента: 420124
Опубликовано: 15.03.1974
Авторы: Большаков, Пронин, Прушинский, Савлук, Удовик, Федоров, Филиппов
МПК: H03K 19/08
Метки: инверторв, сложный, слу1, составной, ьр-шц, •ifoerptnnkvulk
...заряда в цих. Приэтом транзисторы 1, 2 и 3 закрыты, а транзисторы 20 и 21 открыты и насыщены благодаря протеканию тока от источника 24 через резисторы 22 и 23. На выходе 26 инвертора уста навливается высокий уровень потенциала,близкий по величие к напряжецио источника 19 питания.При поступлении на вход инвертора положительного импульса в момент достижения ЗО входным напряжением порогового зцаченилИзд,1396ПИ Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, Раушская ирая 811 ета Мини крьпийд. 4/5Подпнснов СССР на Типография, пр. Сапунова,происходит переключение тока во входныхдиодных цепях. При этом за счет заряда, накопленного в диодах 4, 5 и 6, в цепях базытранзисторов 1, 2 и 3 создается мощный импульс тока,...