G11C 11/36 — диодов, например применяемых в качестве пороговых элементов

Номер патента: 123351

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Пожела, Толутис

МПК: G11C 11/14, G11C 11/36, G11C 5/02 ...

Метки: диодов, матриц, пленочных

...алюминий. Выпрямляющая же ячейка-диод составляется нз двух тонких мсталлнческих электро дов, разделенных тонким слоем кристаллического селена. Материалом для контактного электрода может служить золото или платина, а для выпрямляющего электрода - алюминий илн магний. Нанесение электродов и 15 селена производится в вакууме порядка10 - 4 - 10-з лтм рт. ст, через соответствующие трафареты. В случае нанесения первыми элек тродных полосок 2 из золота или платины (фиг.2) полоски 8 селена наносятся вдоль по лосок 2. Когда первыми наносятся электродные полоски 4 из алюминия, селен наносится поперечными полосками 3 (фнг. 3).Во время напыления селена температураподложки поддерживается в пределах 60 - 25 70-"С. После напыления селена...

Номер патента: 130243

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Бредов, Геллер

МПК: G11C 11/36, G11C 5/02

Метки: диодах, матричное, полупроводниковых

...электроды диодов, объединяемых в строчну 1 о группу проводящим слоем 1, который одновременно выполняет роль строки.Число диодов в строчной группе равно числу гвин матрицы (пли числу разрядов схемы).130243 Предмет изобретения 1. 1 атричное устройство на полупроводниковых диодах с элементами, выполненными в виде многослоиных блоков с общими слоями проводящего и полупроводящего материалов, о т л и ч а ю щ с е с я тем, что,. с целью увеличения плотности монтажа деталей и упрощения процесса производства выполненные в виде указанных блоков строчные группы диодов закреплены в обойме матрицы одна над другой, а соответствующие диоды различных строчных групп соединены между собой полосками фольги, отогнутые концы которых образуют кодовые шины...

Номер патента: 144052

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Мамчиц

МПК: G11C 11/06, G11C 11/36, G11C 19/36 ...

Метки: импульсов, однотактный, регистр, сдвига, феррит-диодный

...1, а второй - в состоянии О.Очередной продвигающий импульс спишет 1 с первого сердечника. При этом на его обмотке 8 возникнет э.д.с., под дей твием которой потечет ток, заряжающий конденсатор 4. Заряд конденсатора длится липв в течение времени перемагничивания сердечника. Далее этот заряд сохраняется на емкости до окончания действия продвигающего импульса, так как триод во время действия импульса закрыт, а диоды 9 не позволяют емкости разрядиться через соседние параллельные пепи.Пссле окончания действия продвигающего импульса триод, 3 открывается и в результате разряда емкости течет ток через триод и обмотку 10 следующего второго) сердечника, записывая в последнем 1. Таким образом, продвигающий импульс переписал 1 с первого...

Номер патента: 145800

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Евдокимов, Куликов, Улановский, Шохат

МПК: G11C 11/36, G11C 5/02

Метки: диодной, матрицы

...линиями), часть операций вводится заново 1 окаймлены одной линией).Сущность предлагаемого способа состоит в следующем. Обезжиренная, обработанная и отожженная алюминиевая фольга подвергается висмутированию с нанесением на нее аморфного селена. После сушки изоляционного материала - бумаги - производится вырубка ее с перфорацией. Далее производится резка фольги на полосы, представляющие собой анодные шины. Эти шины путем горячей напрессовки наносятся на бумагу, при этом селен заполняет перфорированные отверстия145800 в бумаге. После этого производится термическая обработка селенового слоя при температуре 110 в течение 3,5 час. Металлизация матриц (нанесение катодных шин) производится путем набрызгивания сплава кадмия с оловом под...

Номер патента: 149948

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Вейц, Кузнецов, Тихонов

МПК: G11C 11/36

Метки: статическая, триггерная, ячейка

...на фнг. 2,г 1 агрузочная прямая аЬ определяет трц устойчивых состояния 1,2, 3, в которых может находиться схема при отсутствии управляющихимпульсов. Для работы в импульсном режиме необходимо выполнениеусловия тс И С, г:с т -- время запаздывания импульса. Благодаря этому удается избежать перераспределение токов в схсмс в моментпрохождения фронта управляющего импульса,Устройство работает следукзщим образом.На вход схемы подается положительный импульс. Так как-. Я,С, то в момент возникновения импульса цапряжение на емкости С нс изменится.,Чалее начинается заряд емкости через диоды Лн Д, и нарастание тока.Так как положительный импульс резко уменынает н 1 нряжение инагрузке Й а ток не успевает изМеннться, то цагрузочная прямая149948 э,...

Номер патента: 155028

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: G11C 11/36

Метки: 155028

...импульс снова распространяется по к нающий элементзашунтирован инддержки использу отличается ктивно-акся кабель,1 шение его надеж вае ьном дио- разомкнунта на туни же схема н эл 2 -диод ТД зашунтир противление мало. ндуктивное сопро а. При переключен ьныи импульс, д ки 1 Для получен ьшой. Через врем еляется на сопро переключение дио абелю, Таким обрпо по- коротие ве- кабеьность отких авное ии Яо такой постуова Дл тивлен ии по лител ия кор ятз,р тивлен да,зом публиковано в Бюллетене изобретений и товарных знаков1 за 19155028 пивший на вход импульс или кодовая группа будут циркулировать в системе любое время, если длительность группы 1 ( тз.Мгновенность срабатывания и емкость такого элемента зависят от скорости переключения...

Номер патента: 160372

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: G11C 11/36

Метки: 160372

Номер патента: 168329

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Савченко, Сидоренко

МПК: G11C 11/36

Метки: диодных, матричных, полосовых, структур

...ЯЬ в атмосфере водорода при температуре 850 С. После этого в полученной п-р-п-структуре 20 электролитическим прорезанием в дистиллированной воде вольфрамовыми нитями ряда борозд производят разметку рядов диодов и шин. Заданное распределение диодов осуществляют удалением п-слоя в соответствую щих местах электролитическим прорезанием катодными иглами лунок в пластине. Затем электролитическим путем осаждают слой металла (например, медь или индий) толщиной 65 - 90 мм, 30 Далее на обе стороны пластины наносят полистироловый рисунок шин (ширина шин 0,8 - 0,9 мм). Незащищенный металл снимают анодным растворением в 10%-ной серной кислоте при плотности тока /=0,1 - 0,15 а/см 2 до обнажения германия. После этого полистирол смывают в толуоле, а...

Номер патента: 180630

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Арцишевский, Завод, Карсумс, Кобленц, Ломас, Мисуловин, Научно, Сельской

МПК: G11C 11/06, G11C 11/36

Метки: атричное, запоминающееустройство, феррит-диодное

...что напряжения на совмещенцых оомотках сердечников прц записи ц считывании имеют разные знаки, поэтому исполнительное устроцство реагирует только ца напряжение одного знака.Принципиальная схема предлааемого феррит-дцодного запомццающего устройства изображена на чертеже,При записи замыкаются соответствующи записываемому разряду выбирающий контакт 1 ц необходимое сочетание контактов 2 в соответствии с принятым для фиксации кодом. По обмоткам 3 выбранных прц этом сердечников 4 соответствующего столбца матрицы протекает ток записи, который благодаря наличию развязывающих диодов 5 в другие сердечники це протекает, Ъ казанные выше сердечники перемагнцчцваотся в состояние 1, запоминая тем самым принятую цнформаццккПри счцтывашш...

Номер патента: 204689

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Кузьмин

МПК: G11C 11/36, G11C 11/52

Метки: диодах, низкочастотный, реле, триггер

...реле 2. В случае выклю чения реле 3, когда якорек контакта 3, переходит вновь к левому контакту, через контакт 1 включается реле 2. Одновременно через диод б подхватывается реле 1. В момент перелета якорька от контакта 3 т реле 1 обесто чивается. Однако благодаря шунтированиюего обмотки диодами 4 и б постоянная времени т, реле 1 на отпускание возрастает, При этом обеспечивается неравенство т, )1, где г - время перелета якорька контактной груп пы 3 а от одного контакта к другому,3Реле 1, таким образом, подхватывается через диод Б, не успев выключитыся и разорвать цепь реле 2. Включаясь, реле 2 подготавливает собственную цепь подхвата (контакт 2,) и разрывает цепь реле 1. Два реле 1 и 2, следовательно, оказываются включенными,При...

Номер патента: 256821

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Сычев

МПК: G11C 11/36, G11C 5/02

Метки: диодно-матричный, коммутатор

...подключена к управляющему ключу, через который подается питание только в выбранную строку в момент срабатывания.Недостатком известных устройств является 10 то, что быстродействие ограничено наличием паразитных емкостей диодов и монтажа.В предлагаемом устройстве повышение быстродействия достигается тем, что к выходу коммутатора подсоединен управляемый ключ, 15 форсирующий переходные процессы после окончания выходного сигнала.На чертеже приведена одна из возможных схем диодно-матричного коммутатора для табличной обработки данных, реализующего 20 функцгио установки в одиночное состояние одного из,разрядов регистра выхода, на который записывается результат табличной обработки операндов.Устройство, работает следующим образом. 25 На...

Номер патента: 239384

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кутлер, Ойжес

МПК: G11C 11/36

Метки: перерывахпитания, состояние, сохраняющий

...18 и 19, перейдет в состояние, когда транзистор э будет насыщен, а транзистор 4 закрыт. При этом сердечник, если он был перед отключением питания в состоянии +Вч (состояние триггера соответствовало такому, когда на коллекторе транзистора 2 был низкий потенциал), перейдет с крутым фронтом в состояние - Вч, и с обмотки ге считается сигнал, который поступит на вход 12 триггера и всрнет его в состоя. ние, соответствующее тому, которое было до отключения питания. Диод 7 не будет заперт В момент считывания, так как отрицательный потенциал иа его аноде с делителя на сопротивлениях 1 э и 14 появится лишь черсз определенное Время благодаря емкости 20.Если сердечник был в состоянии Вч, то считывания не произойдет, и триггер останется в...

Номер патента: 267698

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Максимов, Техьй, Хавкин

МПК: G11C 11/36

Метки: библиотека

...числовых обмоток 2(или первичных обмоток координатных трансформаторов),Катодные выводы диодных диодных сборок 3 сразующими шину У, сое пример, попарно между собой и с концами числовых обмоток 2. Конструкция запоминающего устройства представляет собой блок 4, из 128 числовых пластин, прошитых непрерывными разрядными проводами.Числовая обмотка 2 пластины выполнена таким образом, что ее начало 5 и конец 6 выведены на общую торцовую т оверхность со взаимно противоположных ее концов.Для удобства монтажа пластины в блоке располагаются последовательно повернутыми относительно друг друга на 180 вдоль продольной осиЭто увеличивает шаг между выводамп числовых обмоток 2 и обеспечивает возможность расположения восьми блоков дешифратора 7 с...

Номер патента: 270814

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/36

Метки: запоминающее

...получают смещение в прямом направлении от источника тока 18. На фиг. 2 характеристика ТД изображена кривой 40, а линия смещения - прямой 41. Так как источник 18 имеет очень большое сопротивление, линия смещения располагается почти горизонтально, Примем, что точка 42 означает хранение 0, а точка 43 - хранение 1. Различные ТД могут хранить различную информацию (или 0, или 1), следовательно, в точке 19 суммарное напряжение будет колебаться в зависимости от записанной информации в разряде, так как в состоянии 1 на ТД будет повышенное напряжение, а в состоянии 0 - пониженное. Конденсатор 25 разделяет по постоянной составляющей точку 19 и формирующую схему 21,Допустим, что формирующая схема 21 вы.дает положительный импульс (или же...

Номер патента: 280543

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ещин, Красюк, Медведев, Меськин, Сорокин

МПК: G11C 11/36

Метки: запоминающее

...Число групп соответствует числу управляющих ключей К., а число информационных диодов в группе - числу управляющих ключей К,. Запоминающее устрой ство способно хранить К К одноразрядныхчисел.В каждой группе аноды информационныхдиодов соединены с анодом источника света, который оптически связан со своим фотопрп емпиком. Все фотоприемники электрическисоединены параллельно и подключены ко входу разрядного усилителя считывания.Для хранения и разрядных чисел необходимо использовать и схем, показанных на чер теже. Число управляющих ключей дешпфратопов адреса при этом можно не увеличивать.В исходном состоянии управляющие ключидешпфраторов адреса выключены, цепи информационных диодов и дподных источников 30 светл обесточены, фотоприемники...

Номер патента: 324651

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Московский, Сапслькиков, Старосельский

МПК: G11C 11/36

Метки: ганна, диодах, запоминающий, элемент

...в процессе ссздяиия коптя ктов яв,1 ястся цеконтро:Н 1)уем 11 х и иевосироизвОдимым процессом. В идстоящсс время отработана техносоздаии 51 Омиеских коцтяктов к арсгаллия, ири которой гороговое значениетричсского поля близко к тсоретичезиачсииО 3,3 кпс.ч. Такие диодь 1 имстотболинес отцошсиие максимальногок минимальному, однако оии ие могутистользоваиы для соз;1 дния описаицогомицдюп,его элемситд ввиЭ того, чтов таких диодах обрдзуегся цд участке вьа це вблизи катода. Следовательно, осцонедостатком прототипа являются жетреоовяния к хдряктсристи 1 се кятодногот акта диода.Заказ 246/16 Изд. М 1856 Тираж 448 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, гК, Раугнская наб., д, 4/5пр,...

Номер патента: 337780

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Степкин

МПК: G06F 3/14, G11C 11/36

Метки: накопитель, тиристорах

...индикаторными ламнами Л (Л), разделительных диодов Д 1 - Д 10 (Д"1 - Д 10), схемы разрешения записи, включающей общий катодный резистор тхф) и ключ запрещения К (К 1), и ключа сброса К 2(К 2). Накопитель управляется положительными импульсами Епоступающими с выходов опрашиваемого регистра, в котором записано в десятичной системе число от 0 до 9, и сигналами адреса А(Л) и сброса С(С), вырабатываемыми схемой коммутации каналов, 337780Предложенное устройство работает следующим образом.В исходном состоянии в каждом из регистров записана какая-либо цифра, например, включены тиристоры Т 1 и Т 2, а ключи К 1 и К 1 открыты, создавая падение напряжения на резисторах Я и Р(Ел), равное напряжению Ек источника смещения. Напряжение Ек выбирается не...

Номер патента: 344405

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: G11C 11/36

Метки: запоминающее, пороговое

...состояния.Однако эти устройства конструктивно сложны и их функции сравнения и запоминания обеспечиваются различными элементами устройства, что приводит к большой задержке передачи сигнала, и, следовательно, весь цикл сравнения и запоминания происходит сравнительно медленно.Для создания быстродействующего, простого и надежного порогового запоминающего устройства, срабатывающего только от первого во времени превышения входным сигналом заданного порога срабатывания, функции сравнения и запоминания обеспечивает один элемент устройства, а именно - триггер с эмиттерной связью, выход которого соединен со входом электронного ключа, а коллекторное питание входного транзистора триггера осуществляется по цепи обратной связи с выхода электронного...

Номер патента: 399005

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Баранов, Вигдорчик, Гуревкч, Малофеев, Мандич, Самарин

МПК: G11C 11/36, G11C 8/10

Метки: двухступенчатый, дешифратор

...с иаОпитс;см, что при)одиг к усложнению схемы упр Я 3;сиия ВЪ, к ведсник) схем стро. бирования, стабилизации тока считывания, фораПру 0 цгх элементов, 20Целью изобретения является повышснис на. дсжности рабопя двухступенчатого дсшиф)1- тора, построенного ня мачшпых псрсклочятелях тока, Зто достигастся тем, что дешифратор содержит во второй ступени, н ы)ходов 2 б которой разбиты на т груни, дополнитсльныс диоды и уиралясмые дроссели с обмоткачи управгсн 51, усгановки и запирающими обмотками; начала запирающих Омоток )прав:1 ясмых дроссс;сй через допогпштельныс диоды ЗО подклочсны к соответсгвующим группам ыходов 13 тОрОЙ с унсн и дсии фр ят 01) я, а кон -- иИнс гНт;ния:снн)р;1 К)1)1; Об)зотк у и р я51 с н 15н ) 1 н51 с а 1х д ) О с с с,1...

Номер патента: 399914

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Чубов

МПК: G11C 11/36, G11C 5/02

Метки: диодной, матрицы

...ацалогичцо указаццому ыше. При этом образуется устройство, показанное ца чертеже.На чертеже приняты следующие обозцачеция: титацовые полоски 1 - 4 и оксцдироац.цые медные полоски 5, 6.Полученное устройство скрепляют л к) бы ч цзизвестцых способов ц формуот поочсрсдцым 5 пропусканием постоянного токацротцоположных иаиралециях, Напряжеццс формо ки 10 - -15 в; оптимальная плогцость г)11 0,8 - 1 а/см, продолжительность 10 )2 чиц.Образоваццыеказанным спосооом тзл;1 х О решетки ве 11 гильцые элемс 1)гылад 1)р зковыраженной асимметрией вольт-ампсрцоц .арактерис ики. Кратцость прямых и обрг) гцгх т 01 ОВ при цеоольцПх гапр 51 жеццях д)сПг 11 десятков тысяч.5 Оригинальным свойством узлового эг Псаявляется способность резко увеличиаь )-...

Номер патента: 372578

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Клейнерман

МПК: G11C 11/36

Метки: ri-iill, л-б, памятиf-ff, элемент

...отрицательной пол я р н остью.Таким образом, предложенный элемент памяти имеет потенциальную форму представ ления дискретной информации. жащии диоды Ганектродами к раз Элемент памяти, содО подключенные одними Предложенное устройство относится к области вычислительной техники.Известны элементы памяти, содержащие диоды Ганна, подключенные одними электродами к разнополярным клеммам источника питания, резистор и конденсатор.Однако такие устройства сложны и недостаточно надежны в работе.Предложенный элемент памяти отличается тем, что в нем другие электроды диодов Ганна соединены между собой и подключены через резистор к входному выводу элемента, а через конденсатор - к клемме нулевого потенциала источника питания.Это позволяет...

Номер патента: 373771

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Карахан

МПК: G11C 11/36

Метки: библиотека, патентш4еш14еская

...закрыт.20 Такое состояние элемента может сохраняться,если запоминающий конденсатор 3 заряжен, азапоминающий конденсатор 4 разряжен, Когда на входе 9 восстанавливающий сигнал увеличивается с - Е до О ф), запоминающий кон 25 денсатор 3 медленно разряжается током обратно смещенного р - а-перехода, образованного стоковой областью транзистора 2, Восста) Для определенности полагаем, что в качестве ин.формационного используются МДП.транзисторы с р.ка.30 налом,373771 Составитель Р, Яворовская Техред Л. Богданова Корректор Н, Аук Редактор Б, Наикина Заказ 1440/14 Изд.130 б Тираж 576 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб д, 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 новление за,ряда на...

Номер патента: 377882

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Канорушкин, Смол

МПК: G11C 11/36

Метки: запоминающее

...приборы удерживаются во включенном состоянии током, протекающим через резисторы 9 от источника 32 напряжения.Напряжение источника 30 смещения отрицательно и запирает диоды 3 при отсутстиви импульсов записи ца шинах 17, 18. Выключение четырехслойного прибора элемента памяти, расположенного, например, в левом верхнем углу чертежа, происходит с помощью ключей 25, 27, которые умецьшьчот па равную величпну напряжение на шинах 19 и 21, и при увеличении напряжения на шине 17. При этом диод 3 открываетсл, и напряжение ца его катоде становится больше цзпрлжеццл ца аноде четырехслойного прибора, вследстгче чего четырехслойный прибор выключастсл. Ес,-.ц цапрлжеде ца шинах 19 и 21 це былоо снижено, то цапрлжепгие на катоде диода д даже в...

Номер патента: 444243

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Сапельников, Старосельский

МПК: G11C 11/36

Метки: запоминающий, элемент

...элемент, содержащ анна и конденсаторы. Однако этосвойственны малый диапазон ус т боты, жесткие допуски на напряж ия и плохая помехозащищенность.В предлагаемом запоминающем элементе последовательно с диодом Ганна включен дополнительный диод Ганна, шунтированный 10 конденсатором, что позволяет расширить область устойчивой работы.На фиг. 1 изображена схема запоминающего элемента; на фиг. 2 - вольтамперная характеристика домена сильного поля. 15Описываемый запоминающий элемент состоит из двух одинаковых последовательно соединенных диодов 1 и 2 Ганна, один из которых зашунтирован конденсатором 3. Диоды подключены к источнику 4 постоянного на пряжения К величина которого превышает удвоенное значение порогового напряжения /, каждого...

Номер патента: 490180

Опубликовано: 30.10.1975

Авторы: Айзенштат, Липин, Лукина, Люзе

МПК: G11C 11/36

Метки: памяти, ячейка

...14 и 15диода 1 Ганна и в областях 16 и 18 диода 2Ганна напряженность электрического поллблизка к пороговому значению и выше минимального поля поддержания домена, а в области 17 напряженность электрического поляниже этой величины.Запись 1 проводят подачей импульса отрицательной полярности на катод 9 диода 1.В результате, в области 14 образуется домен,дрейфующий к аноду, Достигнув конца щелц11, домен распространяется на все сечениедиода 1 Ганна (области 14, 15), вызывалуменьшение тока в резисторе 3 и, как следствие, увеличение напряжения в области 16диода 2. Это приводит к образованию доменав области 16 у катода 4.После того, как в диоде 1 домен разрядится у анода, он вновь образуется в этом диоде,так как наличие домена в области 16 диода...

Номер патента: 682950

Опубликовано: 30.08.1979

Автор: Мельник

МПК: G11C 11/36

Метки: регистр, сдвига

...промежуток Т,) на шину 19 единичный выход триггера 10 через элемент 14 подключается ко входу триггера 11, нулевой выход триггера 10 через элемент 15 - ко входу триггера 11, единичный выход триггера 11 через элемент 13 - ко входу й, триггера 10, а нулевой выход триггера 11 через элемент 12 - ко входу 5 триггера 10.Из непрерывных серий СИ 1 и СИ 2 по шинам 16 и 17 выделяются пакеты импульсов Г 1 СИ 1 и ПСИ 2 (фиг. 2, д, е), которые в течение временного интервала Т, поступают на выходы триггеров 10 и 11. Поскольку формирователь 9 на триггерах 10 и 11 представляет собой триггер со счетным входом, то он осуществляет пересчет импульсов ПСИ 1 и ПСИ 2 по модулю два.Выходные сигналы триггеров 10 и 11, используемые для регистра как тактовые...

Номер патента: 702411

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Журавский, Селигей, Тростянецкий

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40

Метки: дешифратор, запоминающего, устройства

...12 открыты,Аналогично закрывается один из транзисторов 6 и открывается соответствуюший транзистор 11, остальные транзисторы 6 открыты, а транзисторы 11 закрыты, Закрытый транзистор 6 запираетсоединенный с ним диод 14, На соединенной с диодом 14 шине 2 повьппаетсянапряжение, т. е. происходит возбуждение шины 2. Ток опроса возникает в одной шине 4, подключенной одним концомк возбужденной шине 2, а другим концом - к возбужденой шине 1, соединенной с открытым транзистором 5. В остальных шинах 4 подключенных к возбужденной шине 1, ток опроса не возникает, так как аноды диодов 14 имеютнизкий уровень напряжения, равный падению напряжения на циодах 14 и открытых транзисторах 6, Резистор 1 3является тбкозадающим, Диод 14, соединенный с...

Номер патента: 773727

Опубликовано: 23.10.1980

Автор: Милошевский

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...работает следующимобразом.Пусть б - гатенциал точки- 7,. 8, 9, 10). Пусть также напрякение обратного пробоя диода 5 меньше напряжений обратного пробоя перехадон сток в подлож транзисто - рон 1 - 4Если разность потенциалов Ч7 достаточна для того, чтобы триггер, состоящий из транзисторов 1-4, имел два устойчиных состояния, но меньше, чем напряжение обратного пробоя диода 5 (режим хранения инФормации), .о ЗЭ может при этом находиться н любач из днух устойчивых состояний . В первом состоянии (пусть оно соответствует, например "О" двоичной инфор.ации транзисторы 4 и 2 закры.сы, а 3 и 1 - открыты, Во второй состоянии( соответствующем "1" двоичной информации) транзисторы 4 и 2 открыты, а 3 и 1 - закрыты. В обоих со"таяниях мощность,...

Номер патента: 773728

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Заброда, Кардащук, Лесничий, Максимчук, Мержвинский, Мороз-Подворчан

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40, G11C 5/02 ...

Метки: матричный, накопитель

...образом.В режиме записи на шину 15 подают нулевой потенциал, а на шину 13положительный потенциал, например2-5 В, на одну иэ шин 10 и 14 подаюттоки выборки. В результате открываются транзисторы 9 и 11, соединенныес выбранными шинами, и подключаютодну из числовых шин 1 к общей шине 15.Остальные шины 1 остаются отключенными от общей шины 15, так какв цепочке транзисторов 9, 11 этихшин хотя бы один оказывается закрытым.На одну иэ шин 8 подают потенциал записи, а на остальные - нулевойпотенциал. При этом транзисторы 5,подключенные к выбранной числовойшине 1 переходят в режим насыщения,а остальные находятся в режиме отсечки. В соответствии с записываемойинформацией на выходные шины 6 пода-.ется ток записи или нулевой потенциал. В...

Номер патента: 773738

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Кузнецов, Потемкин, Уральский

МПК: G11C 11/36, G11C 11/40

Метки: запоминающий, элемент

...и четвертый МДП-транзисторы 1-4, образующие триггер 5, разрядную шину 6, адресную шину 7, пятый МДП-транзистор 8, диод 9, тактовую шину 10 и шестой МДП-транзистор 11.Устройство работает следующим образом.При записи логической ф 1" в исходном состоянии на шины 6 и 7 подается логическая "1", а на шину 10-"О". За логический "0" принимается нижний уровень напряжения (В), а за логическую "1" - верхний уровень (ь+Е 1 ). В этом случае транзистор 8 закрыт, а транзистор 11 открыт и в триггере 5, состоящем из транзисторов 1-4, хранится информация полученная от предыдущей записи. В следующий момент времени снимается питание триггера 5, т.е, на шину 10 подается "1" и транзистор 11 закрывается. Далее идет перепись "1" с шины 6 в триггер 5, для...