Постоянное запоминающее устройство
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 444246
Автор: Свердлов
Текст
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ю 444246 Саюэ Советских Социалистических Республик(32) ПриоритетОпубликовано 25.09.74, Бюллетень М 35Дата опубликования описания 28.04,75 осударстевнный комите Совета Министре по делам изобри открыти) Заявитель ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСТВО Изобретение касается автоматики и вычислительной техники и относится к запоминающим устройствам (ЗУ).Известно запоминающее устройство, содержащее МОП-транзисторы с плавающим за твором, матрицу числовых шин и матрицу разрядных шин, подключенную через дополнительные МОП-транзисторы к шине питания.В таком устройстве наряду с запоминающим транзистором используется дополнительный 10 ключевой транзистор. Это значительно увеличивает общее количество элементов ЗУ, особенно в ЗУ большой емкости, где собственно запоминающая матрица занимает основное место. 15Цель изобретения - упрощение устройства, Для этого в каждый запоминающий транзистор устройства введен дополнительный затвор, изолированный от плавающего затвора слоем диэлектрика, причем дополнительные 20 затворы транзисторов одного числа соединены числовой шиной, стоки транзисторов одного разряда соединены с разрядной шиной, а истоки - с шиной нулевого потенциала.На чертеже изображена схема устройства. 25 Схема представляет собой матрицу, содержащую разрядные шины 1, 2 и числовые шины 3, 4. Шины 1 и 2 транзисторами 5 и б соединены с источником напряжения 7 (для р-канальных транзисторов имеет - Упп,). В узлах 30 матрицы включены запоминающие транзисторы 8 - 11. Каждьш запоминающип транзистор (в данном случае р-канальный) имеет по два затвора. Один из них, плавающий, выполнен из поликристаллического кремния или молибдена и изолирован от подложки слоем ЯО 2. Поверх плавающего затвора нанесен еще один слой 510 на котором расположен дополнительный затвор.Схема работает следующим образом, Прп записи информации включаются транзисторы 5 и б тех разрядов, где должна быть записана 1. Этп транзисторы подают напряжение - Ьпп, на стоки запоминающих транзисторов, объединенных разрядной шиной 1. На одну нз числовых шин подается отрицательное напряжение /зап Напряжение Сзап уменьшает величину пробивного напряжения транзисторов. Под действием напряжения Упп, в транзисторе 8 происходит пробой стокового диода и плавающий затвор в нем заряжается, В транзисторах, на управляющих затворах которых напряжение Кап отсутствует, величина напряжения Ьоказывается недостаточной для пробоя стока. Накопленный заряд на плавающем затворе транзистора 8 соответствует записи в нем 1.При считывании на числовую шину подается напряжение, величина которого является средней между наибольшим и наименьшим значе444246 П р ед м ет изобретения Составитель К. Малкис Редактор А. Морозова Техред В. Рыбакова Корректоры; В, Петрова и О, Данишеваказ 973/9 Изд.475 ЦНИИПИ Государственного комит по делам изобретени Москва, Ж.35, РаушсТираж 591 Подписноеета Совета Министров СССРй и открытийкая наб., д. 4/5 ипография, пр. Сапунова, 2 ниями пороговых напряжений запоминающих транзисторов. Это напряжение открывает запоминающие транзисторы, хранящие 1 и оставляет в неизменном (запертом) состоянии транзисторы, хранящие 0. Информация может быть определена по напряжению на разрядных шинах 1 и 2. Постоянное запоминающее устройство, содержащее запоминающие МОП-транзисторы с плавающим затвором, матрицу числовых и подключенную через дополнительные МОП- транзисторы к шине питания матрицу разрядных шин, отл и ч а ющееся тем, что, с це лью упрощения устройства, в нем в каждый запоминающий транзистор введен дополнительный затвор, изолированный от плавающего слоем диэлектрика, причем дополнительные затворы транзисторов одного числа соединены 10 с числовой шиной, стоки транзисторов одногоразряда соединены с разрядной шиной, истоки - с шиной нулевого потенциала.
СмотретьЗаявка
1888380, 23.02.1973
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4783
СВЕРДЛОВ АЛЬФРЕД САМУИЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающее, постоянное
Опубликовано: 25.09.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-444246-postoyannoe-zapominayushhee-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Постоянное запоминающее устройство</a>
Запоминающий элемент на моп-транзисторах
Номер патента: 277856
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Карахан
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающий, моп-транзисторах, элемент
...транзистора 4 и стоковой области транзистора 2. Запоминающий эле мент имеет вход 9 для подачи восстанавливающего сигнала. Описываемый элемент не требует постоянного источника питания,Открытое состояние одного из транзисторов 1 или 2 и закрытое состояние другого поддерживаются за счет наличия или отсутствия заряда на паразитных конденсаторах 7 и 8 благодаря подаче на вход 9 восстанавливающих сигналов медленно нарастающего и медленно спадающего напряжения (цепи записи информации в запоминающий элемент и цепи считывания на чертеже не показаны).Предположим, что транзистор 1 открыт, а транзистор 2 закрыт. Такое состояние запоминающего элемента может сохраняться, если паразитный конденсатор 7 заряжен, а паразитный конденсатор 8 разряжен. Если...
Д-триггер на полевых транзисторах
Номер патента: 1347153
Опубликовано: 23.10.1987
Авторы: Гаврилюк, Краснопольский, Механцев, Рысухин
МПК: H03K 3/286, H03K 3/353
Метки: д-триггер, полевых, транзисторах
...транзистор 6 закрыт, ЛД 1 и ЛД 2имеют ВАХ, изображенную в виде кривых 1 О и 11 (фиг.2) соответственно.Для записи кода "1" необходимо ньтактирующий вход 7 подать логический "нуль", а затем восстановить потенциал логической "1". Тогда при переходе сигнала на тактирующем входе 7 от "О" к "1" откроется лямбда-диод, имеющий большее значение максимального тока, в данном случае откроется 10 ЛД 1, так как 1 м ) 1 м, . Изменение 50 15 20 25 ЭО Э 5 40 во время действия на тактирующем входе 7 "единичного" потенциала хранения сигнала на 0-входе 8 не приво-. дит к изменению состояния триггера, поскольку появление нулевого потенциала на П-входе 8 не изменяет формы ВАХ ЛД 2.При записи кода "О" на Э-входе 8 действует нулевой потенциал, транзистор 6...
Стабилизированный источник питанияпеременного напряжения
Номер патента: 809116
Опубликовано: 28.02.1981
МПК: G05F 1/44
Метки: источник, питанияпеременного, стабилизированный
...резистивный делитель напряжения, состоящий из резисторов 11 - 13, ичерез переход эмиттер-база дополнитель- З 0ного транзистора 4 сравниваются с пробивным напряжением стабилитрона. Изменение напряжения на эмиттерах транзисторов 1 и 2 преобразователя зависит от температуры окружающей среды, нагрузки ивходного напряжения. Дополнительныйтранзистор 4 компенсирует это изменениеза счет изменения напряжения фиксациина базах основных транзисторов, поэтомустабильность выходного напряжения значительно повышается. Нестабильность выходного напряжения при этом определяется коэффициентом усиления дополнительного транзистора и коэффициентами, характеризующими степень связи бааы дополнительного транзистора с входной шиной источника питания и...
Кварцевый генератор
Номер патента: 1109855
Опубликовано: 23.08.1984
Авторы: Власенко, Корзун, Разумовский, Шпота
МПК: H03B 5/32
...соединения стоков р- и и-канального МОП-транзисторов и точкой соединения из затворов, второго резистора, который включен между истоком р-канального МОП-транзистора и шиной питания, третьего резистора, который включен между истоком и-канального МОП-транзистора и общей шиной, блок управления состоит из. резистивного делителя, который включен между шиной питания и общей шиной, парафазного усилителя, вход которого подключен к отводу резистивного делителя, р- и и-канального МОП-транзисторов, истоки которых подключены соответственно к шине питания и общей шине, затворы которых соединены соответственно с инверсным и неинверсным выходами парафазного усилителя, а стоки - с истоками соответственно р- и и-канального МОП-транзисторов инвертора,...
Автовыключатель для телевизора
Номер патента: 1561120
Опубликовано: 30.04.1990
Авторы: Гордеев, Гриненко, Фельдман
МПК: H01H 47/32
Метки: автовыключатель, телевизора
...делителе 26, включенном в цепь истока полевого транзистора 1 О. Со средней точки резистивного делителя 26 снимается напряжение, достаточное для создания режима насыщения биполярного транзистора 25. Этот ток, протекая через обмотку электромагнитного реле 13, удерживает контакты 42 и 43 в замкнутом состоянии. Это состояние реленеустойчиво. По.мере заряда конденсатора 7 напряжение на его обкладках повышается, а ток заряда снижается, что приводит к снижению выходных токов транзисторов 10 и 25. В некоторый момент времени .ток через обмотку реле 13, включенного в цепь 40 коллектора транзистора 25, достигает такого значения, при котором контакты 42 и 43 размыкаются, и телевизор отключается.В момент времени, предшествующий размйканию...
Предыдущий патент: Ячейка памяти
Следующий патент: -разрядный регистр сдвига
Случайный патент: Устройство для управления стрелочным переводом