Ячейка памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 444245
Авторы: Аракчеева, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов
Текст
20 25 зо как для каждой ячейки в отдельности, так и общим для ряда ячеек в зависимости от степени развития технологии.В момент считывания информации напряжение на шине 13 питания повышается. Соответственно повышается напряжение на резисторе 11 и на разрядном эмиттере б насыщенного транзистора 4, который подключен к разрядной шине 15. Часть тока от источника питания, протекая в разрядную шину 15 через насыщенные транзисторы 1, 2 и 4, включает усилитель считывания - записи 17. На выходе усилителя 17 формируется импульс, соответствующий записанной информации.После считывания информации напряжение на шине 13 питания уменьшается и ячейка переходит вновь в режим хранения информации, не меняя своего состояния.Для записи информации на одной из разрядных шин, к примеру на шине 14, с помощью усилителя 16 считывания - записи устанавливается низкий уровень потенциала. Тогда, после повышения напряжения на шине 13 питания ток, протекающий через коллектор насыщенного транзистора 1, переключается в базу транзистора 3, так как на разрядный эмиттер 5 этого транзистора подается низкий уровень потенциала. Транзистор 3 насыщается и током эмиттера обратной связи 9 закрывает транзистор 4. Схема переключалась в другое состояние, После записи информации напряжение на шине питания уменьшается, ток насыщенного транзистора 3 переключает. ся в эмиттер 7 хранения и в резистор 11 а ячейка переходит в режим хранения информации уже в новом состоянии.Ток в режиме хранения информации может быть на несколько порядков меньше тока, включающего усилитель считывания информации и тока, переключающего ячейку в другое состояние в момент записи информации, чем обеспечивается малая потребляемая мощность. В то же время в схеме предусмотрен высокий уровень токов в режимах записи и считывания информации, что обеспечивает высокое быстродействие ячейки памяти.Ячейка памяти изготавливается обычными методами интегральной технологии, применяемыми при производстве схем на биполярных транзисторах. П р едм ет изобретенияЯчейка памяти, содержащая два многоэмиттерных и - р - и транзистора, эмиттер первого из которых соединен с базой второго, а эмиттер второго - с базой первого и два токозадающих р - л - р транзистора, о т л и ч а ю щ а яс я тем, что, с целью увеличения быстродействия и уменьшения потребляемой мощности, каждый многоэмиттерный транзистор п - р - и типа содержит по дополнительному эмиттеру которые через резистор подключены к шине источника питания, а коллекторы многоэмиттерных транзисторов п - р - и типа подключены к базам транзисторов р - п - р типа, соеди. ненным между собой.Тираж 591комитета Совета Минисетений и открытийаушская наб., д. 45 Изд. М 476ЦНИИПИ Государственногопо делам изоМосква, Ж.35,каз 97 Типография, пр. Сапунов Яб дактор А. Морозова Подппснов СССР
СмотретьЗаявка
1880840, 07.02.1973
МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНЖЕНЕРНО ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Р-6644
ПРУШИНСКИЙ ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ, ФИЛИППОВ АЛЕКСАНДР ГОРДЕЕВИЧ, УДОВИК АНАТОЛИЙ ПАВЛОВИЧ, САВЛУК АНАТОЛИЙ СТЕПАНОВИЧ, АРАКЧЕЕВА ИННА АНАТОЛЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Опубликовано: 25.09.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-444245-yachejjka-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти</a>
Предыдущий патент: Ячейка памяти
Следующий патент: Постоянное запоминающее устройство
Случайный патент: Жаровня для окуривания кирпича-сырца