Прушинский

Номер патента: 1731436

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Кучеренко, Павлов, Прушинский, Сошников, Якунин

МПК: B22F 3/04, B30B 12/00

Метки: порошковых

...из порошковых материалов содержит контейнер 1 (фиг,1), станину 2 (показана условно), нижнюю 3 и верхнюю 4 пробки, подвижную замыкающую раму 5, матрицу 6 с верхним 7 и нижним 8 пуансонами, Верхняя пробка 4 содержит сквозное отверстие 9 с клапаном 10, Верхняя 4 и нижняя 3 пробки и внутренняя поверхность контейнера 1 образуют рабочую камеру 11 для изостатического прессования, На верхнем торце верхней 5 10 15 20 25 ЗО 35 40 45 50 55 пробки 4 выполнена кольцевая проточка, образующая с внутренней поверхностью контейнера 1 кольцевую полость 12 (фиг.2), Полость 12 связана через ниппель 13 с вакуумной системой, состоящей из вакуумного трубопровода 14, промежуточного бака 15 (фиг,1) и вакуумного насоса (не показан), В нижней части ниппеля 13...

Номер патента: 1521872

Опубликовано: 15.11.1989

Авторы: Исагулов, Ким, Прушинский

МПК: E21C 39/00

Метки: горных, пород, удароопасности

...нагружения образца 2Способ осуществляется следующимобразом,Образец 2 керна исследуемой горной породы помещают в стаканы 1 иустанавливают между плитами 3 гидравлического пресса, Плитами 3 нагружаютобразец 2 в направлении его продольной оси напряжением 6, равным вер -тикальной составляющей напряжения впороде на исслуедмой глубине Н:б, = Н,где- средний объемный вес породмассива,Одновременно образец 2 нагружают в поперечном направлении посредством пуансонов 4 и плит 5 дополнительного пресса, Величина поперечной нагрузки б равна боковому давлению пород2на глубине Н: где- коэфидиеит аокаеога реопора,В результате приложения напряжений в продольном и поперечном направлениях образец 2 испытывает сложную деформацию .сжатия и изгиба. К...

Номер патента: 1519847

Опубликовано: 07.11.1989

Авторы: Лянной, Павлов, Попов, Прушинский, Скороход, Хараман

МПК: B22F 3/04, B30B 12/00

Метки: гидростатического, порошка, прессования

...ч) нзпо,)нитльного с)зка пос 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 редством давления воздуха (0,6 МПа) жидкость через фильтры 23 и 24, источники 14 и 17 давления (сами источники не нагнетают давление в этом случае), предохранительные клапаны 15 и 18 и реверсивные золотники 16 и 19 подается в одну часть (справа) полости 8 низкого давления мультипликатора 7. Поршень 11, перемешаясь влево, вытесняет из левой части полости 8 низкого давления жидкость через реверсивные золотники 16 и 19 и вентиль-отсекатель 31 в секцию 20 дополнительного наполнительного бака. Под действием поршня 11 плунжер 12 перемещается влево, в полости 9 создается давление в 6 МПа (коэффициент мультипликации мультипликатора 7 равен 10), которое через напорный клапан 25...

Номер патента: 1465171

Опубликовано: 15.03.1989

Авторы: Андреев, Долгопят, Клименко, Павлов, Прушинский, Сошников, Хачатуров, Яковчук

МПК: B22D 13/10

Метки: изложница, литья, центробежного

...изложницы, производительности труда и упрощение обслуживания, Изложница имеет двухслойную футеровку.иэ теплоизолирующеговещества, причем первый слой, прилегающий к корпусу, выполнен из губчатого титана с пористостью 2-502,а второй - из карбида титана толщиной 0,2-2 мм. Изложница может использоваться для изготовления втулокцилиндров двигателей внутреннегосгорания, а также других изделий,получаемых центробежным литьем.1 ил,При этом титановая облицовка ввид малой теплопроводности уменьшает ско рость охлаждения детали, а слой карбидов титана (Т С), имеющий высшую температуру плавления (3423 К), резко повышает тепловые сопротивления титановой облицовки и ограничивает физико-химические взаимодействия формы с жидким чугуном, что обеспечивает...

Номер патента: 1238748

Опубликовано: 23.06.1986

Авторы: Мрочков, Прушинский

МПК: A23J 1/04, A23K 1/10

Метки: белкового, водорастворимого, концентрата, кормового, рыбного

...протолихенин Г 20 Х и протосутилин Г 20 Х, с суммарной протеолитической активностью 75 ед, (120 ед, на 1 кг гидролизуемого сырья - жома). Ферментативный гидролиз твердой части проводят в течение 4 ч при рН 7,8, которое поддерживают с помощью 1 н. раствора МаОН и температры 58 С. После гидролиза рН смеси доводят с помощью 1 н. раствора НС до 7,0. Затем смесь нагревают до 100 С и выдерживают 10 мин. Жидкую часть отделяют от нерастворившегося остатка, осветляют и обезжиривают сепарированием. Нерастворившийся остаток промывают водой в соотношении 1:1 по массе и затем направляют на производство кормовой муки. Гидролизат и промывные воды объединяют с предварительно осветленным и обезжиренным подпрессовым бульоном. Раствор упаривают до...

Номер патента: 1092006

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Павлов, Прушинский, Якунин

МПК: B22F 3/04

Метки: гидростатического, порошков, прессования

...удаляли, оболочку герметизировали, переносили в гидростат иподвергали прессованию гидростатическим давлением,При прессовании титанового порошка марки ПТЭКс размером частицдомм в резиновой оболочке беэ барьерного слоя отделить оболочку отзаготовки, спрессованной давлением110 ИПа, удавалось только разрезавоболочку на продольные полосы шириной 100 мм. При этом на заготовке оставались следы резины. При прессовании этим давлением отсевов титановойгубки с частицами неправильной формы размером до 3 мм было трудно отделить оболочку от прессовки даже после разрезки оболочки на полосы шириной менее 40 мм. При этом на поверхности заготовки оставалось много неотделяемых мелких кусочков резины,которые при дальнейшей обработкезаготовки...

Номер патента: 900984

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Кучеренко, Павлов, Попов, Прушинский

МПК: B22F 3/15

Метки: горячего, изостатического, порошка, прессования

...высокого давления и герметичную капсулу для порошка, о т л и ч а"ю щ е е с я тем, что, с целью повышения производительности процессапрессования, контейнер выполнен внижней части с полостью для аккумулирования рабочей жидкости и снабженарельчатый и предохранительным кла"анами, причем тарельчатый клапан установлен в полости со стороны камерынагрева.Источники информации,принятье во внимание при экспертизе1, Авторское свидетельство СССР11 378234, кл. В 22 Г ЗЛЬ. 19732. Авторское .свидетельство СССРИ 4309 б 1, кл. 8 22 Г 3/14, 1975 3 900984 выполнен в нижней части с полостью для аккумулирования рабочей жидкости и снабжен тарельчатым и предохранительным клапанами, причем тарельчатый клапан установлен в полости со стороны камеры нагрева.На...

Номер патента: 888207

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Бондарев, Иванов, Петров, Прушинский, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, элемент

...3Анод диода 4 подключен к эмиттерутранзистора записи и к шине 6 записи.Элемент памяти работает в трех режимах: хранения, считывания и записи информации,В режиме хранения между шинами 2и 5 устанавливают напряжение достаточное для поддержания бистабильногосостояния тиристора 1, Величина тока 1 охранения, протекающего через включенный тиристор, выбирается минимальнодопустимой (1-3 мкА), Если тиристорвключен (логический "0"), то по цепи. шина 2 - тиристор 1 - шина 5 протекает ток хранения, а транзистор 3и диод 4 закрыты.В режиме считывания повышается потенциал (относительно режима, хране,ния) одновременно на шинах 2 и 6.Если транзистор находился во включен-.ном состоянии, то повышается потенциал на шине 5. Если в режиме хранения тиристор был...

Номер патента: 886013

Опубликовано: 30.11.1981

Авторы: Бажанов, Бархоткин, Вернер, Гаврилюк, Козырь, Преснухин, Прушинский, Садовский

МПК: G06G 7/26

Метки: функциональный

...выходепреобразователя присутствует сигнал положительной полярности с амплитудой, равной амплитуде входного сигнала, .При поступлении на вход преобразователя напряжения отрицательной полярности на прямых и инверсных выхо." дах компаратора б и цифрового мультиплексора 8, а также на управляющихвходах ключей 3, 4 и 5 присутствуют логические сигналы, противоположные логическим сигналам, соответствующим положительному входному напряжению, При этом ключи 3 и 4 открываются, замыкая обратную связь операционного усилителя, 2, а ключ 5 закрйвается. Кнеинвертирующему входу операционногоусилителя 1 через открытый ключ 4подается нулевой потенциал с выходаоперационного усилителя 2, работаю 1щего в режиме повторителя, неинвертирующий вход...

Номер патента: 880631

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Кучеренко, Павлов, Попов, Прушинский

МПК: B22F 3/15

Метки: горячего, изостатического, порошка, прессования

...встроен нагреватель 7, выполненный в виде многовиткового водоохлаждаемого индуктора, Устройство снабжено также магнитными экранами 8, В верхней камере 3 расположена капсула 9 с порошком, отделенная теплоизолнрующим элементом 10 от пуансона 11 и теплоизолирующим элементом 12 от камеры высокого давления 2. Капсула 9 с теплоизолирующими элементами установлена на уплотнительном кольце 13. Устройство может быть установлено на столе 14 пресса или на какой-либо другой опоре,Внутри камеры высокого давления помещена жидкость, объем которой при нормальных условиях равен или немного больше разности объемов камеры высокого давления , и капсулы, ограниченной с двух сторон теплоиэолирующими элементами.Устройство работает следующим образом.В нижнюю...

Номер патента: 822208

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Бархоткин, Вайсман, Выдолоб, Гаврилюк, Козырь, Прушинский

МПК: G06G 7/22

Метки: синус-косинусный, цифроаналоговыйпреобразователь

...выводтретьего масштабного резистора - совходом второго операционного усилителя.На чертеже приведена схема преобраэователя,Преобразователь содержит цифровой управляемый резистор 1, состоящий из и весовых резисторов 2 о 2 н ,переключателей 303 ни первого 45масштабного резистора 4, первый ивторой операционные усилители Ь иб, первый и второй резисторы 7 и 8обратной связи, первый и второй нходА,еь," Чт(8 У 4+ оцф 2) 0 Ь(у 9+Все коэффициенты дроби (2) независимы, в этом случае погрешностьаппроксимации функции О Ощ ь 1 ГЙ 9/2аюк всоставляет менее 0,03 в дйапазонеизменения аргумента 0641Описанный преобразователь реализует приближение н зависимостиЕ 8)" соьфис. погрешностью не более 0,03 в томжедиапазоне изменения аргумента при управлении...

Номер патента: 768559

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Кучеренко, Павлов, Попов, Прушинский

МПК: B22F 3/04

Метки: изостатического, порошка, прессования

...как источник давления, так и схема его соединенияс рабочим контейнером).Устройство работает следующим образом. После загрузки рабочего контейнеравысокого давления, внутреннее пространство его закрывается пробками 15 и 16, асиловое замыкание осуществляется рамой 18.Устройство может работать по трем режимам.1, Нагрев прессуемого порошка с последующим прессованием.2. Одновременый подъем температуры идавления в рабочем контейнере.3. Повышение давления с последующимнагревом.При работе устройства по первому режиму, когда в рабочем контейнере отсутствует избыточное давление, поддерживающий клапан открыт и в полость 3 подается жидкость от насосной установки, свободно протекающая через полость и клапан 10 на слив. Индивидуальная...

Номер патента: 726511

Опубликовано: 05.04.1980

Авторы: Иванов, Маркин, Прушинский, Тарасов, Удовик, Филиппов

МПК: G05F 1/44

Метки: источник

...Составит ль В.Мосинуфрич Корректор МПодписноекомитета СССРи открытийшская наб., д, 4/5од ул Проектная 4 Редактор О. СтенинаЗаказ 674/42 Техред Тираж арствен изобрет Ж - 35, тэ, г. К. Ш956ногоений ЦНИИПИ Госпо делам113035, Москва, илнал ППП вПат Рау жго 3 зистора 9, коллектор которого подключен к базе транзистора 1, Базы транзисторов 5, 6 и эмиттер транзистора 9 через резисторы 10, 11 и 12 соответственно соединены с шиной 4, а коллектор транзистора 8 - с шиной 2.Источник стабильного тока работает следу ощим образом.Коллекторный ток эталонного транзистора 5 независимо от его коэффициента усиления остается постоянным и равным отношению падения напряжения на эмиттерном переходе опорного транзистора 6 к вели чине сопротивления резистора...

Номер патента: 572906

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Большаков, Пронин, Прушинский, Савлук, Удовик, Федоров, Филиппов

МПК: H03K 5/01

Метки: импульсов, тактовых, формирователь

...33 и 39 открыты и насыщены, На выходе 43 устанавливается высокий уровень напряжения, при этом ток в базу транзистора 39 проходит через резисторы 34 - Зб от вспомогательного источника питания шины 38. Транзистор 40 находится в области инверсного насыщения, При поступлении на вход 42 положительного входного импульса вследствие различного порога срабатывания входных диодно-резисторных переключательных цепей 5 - 8 вначале включаются транзисторы 1 и 2, а затем - последовательно транзисторы 3 и 4.Коллекторным током транзисторов 1 - 3 закрываются последовательно транзисторы 32, 33 и 39, а за счет коллекторного тока транзистора 4 формируется срез на входе 42. Во время действия на входе 42 высокого уровня напряжения на выходе 43 поддерживается...

Номер патента: 565328

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Иванов, Крюков, Маркин, Прушинский, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...второго переключающего р-и-р транзистора соединен с коллектором второго токозадающего р-и-р транзистора, эмиттеры переключающих р-и-р транзисторов подключены ко входам ячейки памяти,30 коллекторы и-р-и транзисторов соединены сдополнительной шиной тактовых импульсов,ММВ Составитель А. Воронинюрина Техред 3. Тараненио Корректор А, Степанова Редактор Заказ 1654/19ЦНИИП Изд.609 осударственного к по делам изоб 035, Москва, Ж 3Тираж 738омитета Совета Минисетений и открытий5, Раушская наб д. 4/ ПодписноеСССР 5 ипография, пр. Сапунова,Йа чертеже представлена принципиальная схема описываемой ячейки.Первый эмиттер первого двухэмиттерного п-р-п транзистора 1 соединен с базой второго двухэмиттерного п-р-п транзистора 2, с коллектором...

Номер патента: 543013

Опубликовано: 15.01.1977

Авторы: Маркин, Прушинский

МПК: G11C 19/28

Метки: памяти, регистра, сдвига, ячейка

...многоэмпттерного транзистора 2, к базе второго многоэмиттерного транзистора 3, к базе первого дополнительного транзистора 4, и первому входу 5, к первому дополнительному входу 6 и через первый резистор 7 - и катоду диода 8, анод которого соединен с шиной тактовых импульсов 9. База второго транзистора 1 О соеднепа с коллектором транзистора 3, с базой транзистора 2, с базой второго дополнительного транзистора 11, со вторым входом 12, со вторым дополнительным входом 13 и через второй резистор 14 - с катодом диода 8. Коллектор транзистора 1 объединен с первым выходом 15, а коллектор транзистора 10 - со вторым выходом 16. Коллектор транзистора 4 связан с первым дополнительным выходом 17, а коллектор транзистора 11 - со вторым...

Номер патента: 536527

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Аракчеева, Иванов, Мамута, Прушинский, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...коллектор и-р-и транзистора 8, бава которого связана с числовой шиной 7, а эмиттер его - с шиной питания (смещения) 9. З 5Ячейка памяти работает в трех режимах;режим хранения; режим записи информации и режим считывания информаптл.В режиме хранения информации прямым смещением напряжения на переходе база - 4 О эмиттер открыт и насыщен транзистор 8, а, следовательно, смещены в прямом направлении переходы эмиттер - база транзисторов 5 и б, и происходит непосредственная инжекция носителей в базы гг-р-гг транзисторов 1 45 и 2.Если один из транзисторов 1 или 2, например транзистор 1, насыщен и инверсный коэффициент усиления по току этих транзисторов В=1, то обратный ток эмиттера насы щенного транзистора 1 переключает на себя ток инжекции...

Номер патента: 512575

Опубликовано: 30.04.1976

Авторы: Иванов, Прушинский, Савлук, Филиппов, Чистяков

МПК: H03K 13/24

Метки: двухканальный, дешифратор

...и 30 подключены соответственно к коллекторам и эмиттерам транзисторов 13, 14, 21 и 22, а базы транзисторов 27, 28, 29 и 30 соединены соответственно с базами транзисторов 14, 21, 22 и 13. Между выходами дешифратора 15, 16, 25 и 26 и положительной шиной 7 включены нагрузочные резисторы 31, 32, 33 и 34,Двухканальный дешифратор работает следующим образом,Ко входам 3 и 4 приложен высокий уровень потенциала. Током через резистор 5 открывается транзистор 8 и суммарным током через резисторы 5 и 17 - транзисторы 13 и 30. Аналогично током через резисторы 6 и 18 второго канала открываются транзисторы 14 и 27, Транзисторы 21, 22, 28 и 29 в этом случае закрыты, так как напряжение на коллекторах насыщенных транзисторов 8 и 9 составляет У, - . Ув и...

Номер патента: 494767

Опубликовано: 05.12.1975

Авторы: Аракчеева, Мамута, Прушинский, Удовик, Федоров, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...протекающий через переход транзи, Яворовская тор Л, Утехина Корректор Т. Фисенко хред амышникова аказ 196/14 Изд, Мо 129 ИПИ Государственного ко по делам изобре 113035, Москва, Ж, Тираж 648 итета Совета Мин ений и открытий Раушская наб., дПодписноев СССР Типографи пр. С ва стора 5. Этот транзистор входит в насыщение, его переход база - коллектор (который является одновременно переходом база - эмиттер транзисторов 1 и 2) смещается в прямом направлении, и большая часть базового тока ответвляется за счет инжекции неосновных носителей в этот открытый переход. Ток, протекающий по переходам эмиттер - база транзисторов 1 и 2, вызывает вторичную инжекцию в коллекторы этих транзисторов, являющиеся базами транзисторов 3, и транзисторы 3 и 4...

Номер патента: 491998

Опубликовано: 15.11.1975

Авторы: Аракчеева, Иванов, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...транзисторов 3 и 4 задается базовым током этих транзисторов через диод 13 и резистор 14. 11 ереключающие транзисторы р - п - р-типа 5 и 6 в этом режиме закрыты, так как закрыты эмиттеры двухэмиттерных транзисторов 1 и 2, подключенные к разрядным шинам 8 и 9, а падение напряжения на диоде 13 недостаточно для открывания переключающего транзистора, база которого подключена к коллектору насыщенного двухэмиттерного транзистора.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. В момент считывания потенциал на шине питания 10 увеличивается. Это ведет за собой увеличение потенциала на шине смещения 11, к которой подключены эмиттеры переключающих транзисторов 5 и 6, Транзистор 5 открывается, так как база его...

Номер патента: 479154

Опубликовано: 30.07.1975

Авторы: Белопольский, Маркин, Прушинский, Филиппов

МПК: G11C 19/36

Метки: импульсным, питанием, регистр, сдвигающий

...11 импульсного питания.Сдвигающий регистр работает следующимзо образом, 3Пусть на ильине 10 действует положительный тактэвый импульс из последовательности р, При этом триггерная ячейка 1 работает в режиме хранения и передачи информации. Положим, что транзистор 3 триггерной ячейки 1 открыт,и насыщен, а транзисторы 4 и 5 закрыты.В этом случае небольшая (около 1/5) часть тока, текущего через резистор 8, идет на поддержание насыщенного состояния транзистора 3, А остальная часть (около 4/5) идет на включение переключающего транзистора 6. Включение переключающего транзистора 6 триггерной ячейки 1 вызывает закрывание транзисторов 3 и 6 триггерной ячейки 2.С приходом на шину 11 положительного тактового импульса из последовательноститранзистор 4...

Номер патента: 468360

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Маркин, Прушинский

МПК: H03K 3/286

Метки: д-триггер

...фиксирующий диод 15,подключена база второго иниертирующеготренииоторе 16, коллектор которого, объелнненнюй о ре . эистором 17, образует прямой. выход 18, Общая точеа резисторов 12,.14, 17 подключена к шине питания 19, Змиттеры входного транзистора 1 образуют входы И 20 и 21 Ьтриггера, а коллектор и эмиттер переключающего транзистора 3 - входы 22 и 23 расширителя по ИЛИ,, д-триггер.работает следующим образом.При появлении на входах 20 и 21 потенциала высокого, уровня с приходом очередного тактового импульса ток от источника тактовых импульсов через резистор 2 течет в базы транзисторов 3 и 8 и открывает их, На выходе 13 устанавливается низкий уровень потенциала. Одновременно током коллектора транзистора 8 открывается транзистор 11 и через...

Номер патента: 444249

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Белопольский, Иванов, Мамута, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 19/28

Метки: разрядный, регистр, сдвигающий

...7 и 8. Передача информации происходит с помощью управляющих тактовых импульсов р, и р которые подаются соответст венно по шинам 9 и 10. Изменение величин токов при переходе из режима хранения в режим передачи информации осуществляется путем использования тактовых импульсов питания ср, и ср 4, приложенных соответственно к 25 шинам 11 и 12.Сдвигающий регистр работает следующимобразом.Пусть к шине управляющих тактовых импульсов 9 приложен низкий уровень потенциа- ЗО ла (ячейка 1 работает в режиме хранения ин.формации) и двухэмиттерный транзистор 3 ячейки насыщен, а транзистор 4 закрыт. В момент времени 1, на шине 9 потенциал увеличивается, а на шине 10 уменьшается, Ток насыщенного транзистора 3 переключается во второй эмиттер этого...

Номер патента: 444245

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Аракчеева, Прушинский, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...3, так как на разрядный эмиттер 5 этого транзистора подается низкий уровень потенциала. Транзистор 3 насыщается и током эмиттера обратной связи 9 закрывает транзистор 4. Схема переключалась в другое состояние, После записи информации напряжение на шине питания уменьшается, ток насыщенного транзистора 3 переключает. ся в эмиттер 7 хранения и в резистор 11 а ячейка переходит в режим хранения информации уже в новом состоянии.Ток в режиме хранения информации может быть на несколько порядков меньше тока, включающего усилитель считывания информации и тока, переключающего ячейку в другое состояние в момент записи информации, чем обеспечивается малая потребляемая мощность. В то же время в схеме предусмотрен высокий уровень токов в режимах...

Номер патента: 444244

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Аракчеева, Прушинский, Пуппинь, Савлук, Удовик, Филиппов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...хранения информации. Переключающие транзисторы р - и - р типа 5 и 6 в этом режиме закрыты и 15 не влияют на работу схемы.Пусть перед считыванием информации двухэмиттерный транзистор 1 был насыщен. При подаче положительного импульса считывания - записи на числовую шину 7 открывает ся транзистор 5, так как база его оказывается подключенной к насыщенному транзистору 1, Эмиттерный ток насыщенного транзистора 1 резко увеличивается, что обеспечивает резкое повышение напряжения на разрядной 25 шине 8 и быстрое включение усилителя считывания 12. При этом за счет коллекторного тока транзистора 5 обеспечивается увеличение тока базы транзистора 1, необходимое для поддержания его в насыщенном состоянии, ЗО так как коллектор ного тока нагруз очного...

Номер патента: 425332

Опубликовано: 25.04.1974

Авторы: Московский, Пронин, Прушинский

МПК: H03K 5/01, H03K 5/12

Метки: двухканальный, импульсов, формирователь

...делам изобретенийи открытийЖ, Раушская наб.,д. 4/5 Заказ Тираж ЦНИИ комите СССР оскв ипография, пр, Сапунова,3Формирователь работает следующим образомм.С приходом на вход 17, например, положительного перепада напряжения фиксирующий диод 9 закрывается, транзистор 1 огкрывается. При этом коллекторным током транзистора 1 и током через резистор 4 быстро рассасывается избыточный заряд в базе транзистора 2, который был открыт в период действия отрицательного перепада на входе 17, После закрывания транзистора 2 и рассасывания избыточного заряда в базах транзисторов 6 и 112 происходит включение ускоряющего транзистора 5, выходного транзистора 11, и на выходе 18 формируется положительный импульс,На стадии формирования положительного фронта...

Номер патента: 420124

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Большаков, Пронин, Прушинский, Савлук, Удовик, Федоров, Филиппов

МПК: H03K 19/08

Метки: инверторв, сложный, слу1, составной, ьр-шц, •ifoerptnnkvulk

...заряда в цих. Приэтом транзисторы 1, 2 и 3 закрыты, а транзисторы 20 и 21 открыты и насыщены благодаря протеканию тока от источника 24 через резисторы 22 и 23. На выходе 26 инвертора уста навливается высокий уровень потенциала,близкий по величие к напряжецио источника 19 питания.При поступлении на вход инвертора положительного импульса в момент достижения ЗО входным напряжением порогового зцаченилИзд,1396ПИ Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, Раушская ирая 811 ета Мини крьпийд. 4/5Подпнснов СССР на Типография, пр. Сапунова,происходит переключение тока во входныхдиодных цепях. При этом за счет заряда, накопленного в диодах 4, 5 и 6, в цепях базытранзисторов 1, 2 и 3 создается мощный импульс тока,...

Номер патента: 372098

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Белов, Липаев, Панков, Прушинский

МПК: B60T 7/08, F16D 65/30

Метки: гусеничной, привод

...зафиксированном положении исполнительных механизмов.Привод управления содержит рычаг управления 1, шарнирно установленный на оси 2 промежуточного рычага 3, и зубчатый сектор 4, жестко закрепленный на раме гусеничной машины. На промежуточном рычаге 3 установлены собачка б и пружина б, взаимодействующие между собой. На рычаге управления 1 шарнирно установлен флажок 7, связанный тягой В с кнопкой 9, и жестко закреплен палец 10. В случае выполнения привода управления с гидроусилением (см. фиг. 2) рычаг управления соединен тягой 11 с рычагом 12 гидроусилителя 13, силовой рычаг 14 которого связан с промежуточным рычагом 3. Промежуточный рычаг 3 соединен тягой 1 б с бортфрикционом и тормозом. Работает привод следующим образом.При управлении...

Номер патента: 352539

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кпмарский, Прушинский, Щербинина

МПК: C01B 33/00, C23F 1/32

Метки: кремния, травления

...кремнидля травления используют верхнюю фадвухфазной системы, образуемой азеотропнсмесью прошглового спирта и воды с добакой 1 - 2 вес. % пгдроокггси,калггя, и травлние,ведут прп кегпеции. Это обеспечивает увеличение скорости 20 травлешгя в 3 - 4 раза и уменьшецине подтравливания окисной пленки.Г 1 р и м е р. В качестве исходных материалов используют кристаллическую гидроокцсь калия марки ХЧ, пропиловый спирт хгаргчг 25 ХЧ и деионцзи рова иную воду, Взяв 71,7 вес. % прогпглового спирта и 28,3 вес. % воды, получают азеотропную смесь, в которогй растворяют 1 - 2 вес. % кристаллической гидроокиси калия. 30 В результате ооразуется двухфазная система, верхнюю фазх которой отдслягот с помощью делительцоц воронки и исгользу от для...