Фигура

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 1657164

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Барта, Бенеш, Йирса, Кордач, Фигура, Штука, Шунка

МПК: A61B 17/22

Метки: волной, конкрементов, разрушения, сфокусированной, ударной

...1. На фиг.3 изображено выполнение искрового разрядника 9, при котором одно острие водяного искрового рэзрядни ка 9 находится в плоскости, проходящей через фокус эллиптического отражателя 1, а другое острие расположено в направлении его основной оси. Импульсный конденсатор 5 в этом случае установлен на оси эллипти ческого отражателя 1 в его нижней части. В обоих случаях (фиг.2 и 3) можно регулировать расстояние между остриями искрового разрядника 9.От высоковольтного источника 10 по стоянного тока (фиг.4) через резистор 13 заряжается вспомогательный конденсатор 11, от которого через дроссель 12 импульсно заряжается импульсный конденсатор 5,к которому присоединен искровой разрядник 9, генерирующий ударную волну давления. В цепи зарядки...