Магнитный монокристаллический материал
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1517384
Авторы: Александрова, Бушуева, Захарюгина, Петров
Формула
МАГНИТНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ на основе феррограната, содержащий кальций, ванадий, индий и железо, отличающийся тем, что, с целью уменьшения намагниченности насыщения и снижения величины поля магнитной кристаллографической анизотропии в кристалле, он содержит компоненты в соответствии со следующей формулой:
{Ca3}[Fe2-y-zInyNbz](Fe3-xVx)O12,
где Х 1,36 1,41;
Y 0,22 0,25;
Z 0,09 0,14,
а отношение индия к ниобию равно 2,20 3,02.
Описание
Цель изобретения уменьшение намагниченности насыщения и снижение величины поля магнитной кристаллографической анизотропии материала.
Новизна предлагаемого материала заключается также в отличном от прототипа соотношении окиси индия и окиси ниобия, а именно 1,86-2,55 (в прототипе 3,15-4,2), в пересчете на элементы In:Nb=2,20-3,02.
Состав предлагаемого материала может быть выражен следующей формулой:
Ca3Fe5-x-y-zVxInyNbzO12, где Х=1,36-1,41; Y=0,22-0,25; Z=0,09-0,14.
Материал имеет намагниченность насыщения 4 Мs в интервале 50-150 Гс, поле магнитной кристаллографической анизотропии (НА) менее 25 Э, при ширине кривой ФМР (ферромагнитный резонанс)
Н=0,3-0,8 Э.Экспериментально установлено, что при отношении окиси индия к окиси ниобия, отличном от предлагаемого (1,86-2,55), получаемые монокристаллы имеют поле магнитной кристаллической анизотропии больше 25 Э. Кроме того, при отношении окиси индия к окиси ниобия больше 2,55 невозможно получить монокристаллы с намагниченностью насыщения меньше 150 Гс.
П р и м е р. Материал выращивают раствор расплавным методом и с использованием в качестве растворителя оксида свинца по следующему режиму (температура указана внутри раствор расплава); нагрев до 1220оС, выдержка при этой температуре 10 ч, охлаждение до 1140оС со скоростью 3оС/ч, от 1140оС охлаждение со скоростью 0,5оС/ч.
На выдержке и при охлаждении от 1140оС до 1060оС тигель с раствором-расплавом реверсивно вращают в течение 15 с со скоростью 20-30 об/мин с паузой 5 с.
В таблице приведены составы и свойства полученного материала в зависимости от состава кристаллообразующих компонентов.
Как следует из данных, представленных в таблице, предлагаемый материал (примеры 2, 3, 4) обладает комплексом параметров, необходимых для создания ферритовых приборов, работающих в "нижней" части СВЧ диапазона: намагниченность насыщения 4
Мs=50-150 Гс, поле магнитной кристаллографической анизотропии НА менее 25 Э, ширина кривой ферромагнитного резонанса Н=0,3-0,8 Э.Основной положительный эффект от применения предлагаемого материала заключается в расширении частотного диапазона (снижение граничной частоты до 100-500 мГц) работы СВЧ-приборов за счет снижения намагниченности насыщения до 50 Гс и поля магнитной кристаллографической анизотропии до значений менее 25 Э при малых значениях ширины кривой ФМР 0,3-0,8 Э.
Изобретение касается ферритовых монокристаллических материалов, используемых для создания твердотельных СВЧ-приборов, в частности приборов, работающих в диапазоне дециметровых и метровых длин волн. Обеспечивает уменьшение намагниченности и снижение величины поля магнитной кристаллографической анизотропии. Кристалл имеет химическую формулу: {Ca3} [Fe2-y-zInyNbz](F3-xVx)O12, где х 1,36 1,41, у 0,22 0,25, z 0,09 0,14, а отношение In к Nb равно 2,20 3,02. Достигнута намагниченность насыщения 4
Ms= 50-150 Гс поле магнитной кристаллографической анизотропии 
А не менее 25 Э, ширина кривой ферромагнитного резонанса H = 0,3 - 0,8 Э. Приборы работают в интервале частот 100-500 МГц. 1 табл. Рисунки
Заявка
4320008/26, 26.10.1987
Александрова М. В, Петров В. В, Захарюгина Г. Ф, Бушуева Т. Н
МПК / Метки
МПК: C30B 29/28, H01F 1/10
Метки: магнитный, материал, монокристаллический
Опубликовано: 10.11.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1517384-magnitnyjj-monokristallicheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Магнитный монокристаллический материал</a>
Способ измерений скоса легкой оси анизотропии магнитной пленки
Номер патента: 514254
Опубликовано: 15.05.1976
Автор: Коперсако
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, измерений, легкой, магнитной, оси, пленки, скоса
...применение двухполярного импульса поля обеспечивает 30 перемагничпвание материала пленки по преРЕНИЯ СКОСАИ МАГНИТНОЙ ПЛЕНКИ дельному циклу, при этом импульсы э.д.с, практически не зависят от начальной намагниченности пленки и определяются величиной угла скоса легкой оси анизотропии исследуемого участка пленки.Компенсация величины э,д.с., наведенной в подложке, осуществляется за счет пропускания через подложку электрического тока, имеющего постоянную 1 и переменную 1 составляющую, синхронизированные с перемагничивающим полем, Закономерность изменения импульсов э.д.с. в зависимости от величины постоянной составляющей тока 1 показана на фиг. 1, из которой ясно, что величина импульса э.д.с. изменяется однотонно, независимо от...
Прибор для испытания материала на твердость путем дробления
Номер патента: 63153
Опубликовано: 01.01.1944
Автор: Койфман
МПК: G01N 3/50
Метки: дробления, испытания, прибор, путем, твердость
...и другими шарами, однако при этом методе испытания не поддается точному измерению работа, затрачиваемая на дробление зерен.Предлагаемыи прлбор дает более удовлетворительные результаты испытания на твердость материалов зернистой структуры, обеспечивая дробление по методу, приближающемуся к методу дробления во вращающихся камерах с шарами, и точнссть учета затрачиваемой на дрсбление работы,На чертеже фиг, 1 изображает бсксзой вид прибора; фиг. 2 - разрез прибора по А - А на фиг. 1,Прибор заключает в себе неподвижное освовакие 1 с плоской или всгкутой поверхностью для помещения на ней слоя 2 испытуемсто материгла. На этом основании над слоем материала свободно располагается цилиндр 3 с подвешенным к его с:и маятником 4.Прк качании...
Способ и прибор для определения кристаллографических осей в кусках кварца произвольной формы
Номер патента: 79793
Опубликовано: 01.01.1949
МПК: G01N 21/23
Метки: кварца, кристаллографических, кусках, осей, прибор, произвольной, формы
...точкой пересечения нитей окуляра. После этого столик стопор ится.При таком положении куска оптическая ось является перпендикуляром к поверхности площадки, а грань положительного ромбоэдра лежит в плоскости, образуемой источником света и осью трубы,Затем горизонтальная шкала 0 поворачивается на необходимое (по условиям среза) количество граду. сов, в соответствующем для каждого среза направлении плюс или минус, и закрвпляется стопором, Разметочная дуга устанавливается в нужное положение (по условиям среза), и кистью наносится направление разделки куска на нластины,Первоначальное юстирование прибора производится посредством черного зеркала с двумя перекрещивающимися линиями, устанавливаемого под углом 5147, на площадку (при снятом столике...
Способ измерения скоса легкой оси анизотропии магнитной пленки на цилиндрической подложке
Номер патента: 636564
Опубликовано: 05.12.1978
Авторы: Ильин, Коперсако, Костылев, Сергеев
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, легкой, магнитной, оси, пленки, подложке, скоса, цилиндрической
...ось цилиндрической поверх- переходными процессами при разрушающем ности магнитной пленки расположена водействии, при количестве тактов горизонтально и значение записанной 10 -10 начинается переход в насыщеэинфоРмации таково, что на ближнейние, Верхняя граница 10 определяетГ 0 вк наблюдателю поверхности магнитной ся допустимой длительностью цикла,пленки, небольшой участок которой Наиболее оптимальная величина коли- обозначен цифрой 1 (фиг. 1), верти- чества тактов лежит в диапазоне 10кальная составляющая 5 намагниченности направлена вверх. Обозначим угол,Зависимость степени разрушения который составляет легкая ось 3 с от величины импульса внешнего магнит- окружностью 2 нормального сечения ного поля имеет монотонный характер,...
Способ определения ориентации оси легкого намагничивания и поля анизотропии магнитных пленок
Номер патента: 1023265
Опубликовано: 15.06.1983
МПК: G01R 33/12
Метки: анизотропии, легкого, магнитных, намагничивания, ориентации, оси, пленок, поля
...плоскости пленки,пленку устаавливают таким образом,цтобы. ось ее вращения совпадала сномалью к поверхности пленки, освещают пленку поляризованным светом ис помощью анализатора и микроскопанаблюдают зарождение доменной структуры, вращают пленку вокруг оси,совпадающей с нормалью к плоскостипленки, подбирают ориентацию и напряженность магнитного поля такимобразом, цтобы в момент зарождениядоменная структура имела полосовойхарактер, снимают зависимости продольной и поперечной (относительнооси вращения пленки) компонент напряженности магнитного поля, соответствующих моменту образования домен"ной структуры от угла поворота плен"гки, пред ста вляют полу ченную з ависимость в виде рядов Фурье и опреде,ляют константы и ориентацию...
Предыдущий патент: Катодолюминофор белого цвета свечения
Следующий патент: Способ отбеливания текстильного материала
Случайный патент: Штемпель