Урсуляк

Номер патента: 1833659

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Азизов, Белицкий, Гончаренко, Селезнева, Урсуляк, Яковлев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: висмут-свинец-стронций, кальциевого, купрата, монокристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВИСМУТ-СВИНЕЦ-СТРОНЦИЙ-КАЛЬЦИЕВОГО КУПРАТА с кристаллической структурой фазы 2:2:1:2, включающий нагрев шихты, содержащей Bi2O3, PbO, SrCO3, CaCO3 и CuO, выдержку для гомогенизации расплава и кристаллизацию при охлаждении, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины перехода в сверхпроводящее состояние T и увеличения плотности критического тока, компоненты шихты берут в следующем соотношении, мол.Bi2O3 19,85 20,62PbO 4,41 4,58SrCO3 31,71 32,24CaCO3 13,56 13,82CuO Остальноекристаллизацию проводят на платиновом...

Номер патента: 1371771

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Белицкий, Величко, Деркач, Налогин, Урсуляк

МПК: B22F 3/12, H01F 1/34

Метки: феррогранатов

...полученной шихты заготовок прямоугольной формы массой 70 г.Заготовки помещают в печь с регулируемой атмосферой, поднимают темпеатуру в печи со скоростью 100 С/ч до 351280 ОС. Спекают при давлении кислорода 15 кПа в течение 5 ч. Снижают температуру со скоростью 100 С/ч. Послечего образцы вынимают из печи и передают на механическую обработку. 40Из полученных образцов ферритовмеханической обработкой изготавливарт подложки, на которых измеряют электромагнитные параметры: тбчку Кюри, температурный коэффициент намагниченности насыщения в интервале температур (-60)-(85) С, намагниченность насыщения и тангенс угла диэлектрических потерь.Результаты измерений, а также примеры получения феррограната при других давлениях кислорода при спекании...

Номер патента: 1297140

Опубликовано: 15.03.1987

Авторы: Урсуляк, Яковлев

МПК: B23K 1/19, H01P 1/38

Метки: металлом, пайки, феррита

...786/56 Тираж 626 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР но делам изобретений и открытий 113035, Москва, Я, Раушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано при изготовлении Ферритовых приборов,Целью изобретения является повышение надежности, 5Способ пайки феррита с металлом осуществляют следующим образом.Сборку металлизированного Феррита с металлом осуществляют с зазором, в котором размещают покрытый флюсом припой. Затем сборку нагревают в, нейтральной атмосфере до температуры пайки, выдерживают при этой температуре и охлаждают до комнатной температуры с изотермической выдержкой в течение 5"30 мин при температуре Кюри...

Номер патента: 1168332

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Белицкий, Новокрещенова, Прилепо, Совков, Урсуляк, Шаповалов

МПК: B22F 3/16, C04B 35/40, H01F 1/34 ...

Метки: иттриевого, поликристаллического, феррограната

...ТгО 57 РеОэ (3) согласно которым для комненсации избытка в 3 моль ортоферрита требуется введения 1 моль окиси железа, 45 а для компенеации недостатка в 5 моль ортоферрита - 1 моль окиси иттрия.В пересчете на массовые проценты для компенсации одного процента избыт ка ортоферрита требуется добавка 50 в шихту 0,27 мас,7. окиси железа а при недостатке одного процента ортоферрита - 0,23 мас.7 окиси иттрия,Заданное содержание ортоферрита в обожженной шихте определяют по 55 экспериментальным зависимостям изменения основных электромагнитных свойств спеченного феррограната(1 ц 88 - тангенса угла диэлектрических потерь, йр 8,1 в тангенса угламагнитных потерь, ДЧ - ширина линииФерромагнитного резонанса, , - плотности) от концентрации ортоферритав...

Номер патента: 971922

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Белицкий, Ковалевский, Прилепо, Урсуляк

МПК: C30B 9/00

Метки: кристаллов, раствора, роста, скорости

...состоящий из компонентов раст-ворителя и кристаллообразующих компонентов нагревают до температуры на 30 - 100 С зОвыше температуры начала кристаллизации,при этой температуре раствор выдерживаютдо полной гомогенизации и в него вводяткапилляр, через который подают инертныйгаэ. 25Скорости подачи газа регулируют такимобразом, чтобы через раствор проходило 5 -10 пузырьков в минуту, Давление в системеподачи газа регистрируют микроманометром,Далее раствор охлаждают до температурыниже температуры кристаллизации, содаваязаданное пересыщение, При этом на внутренних стенках капилляра образуются зародыши кристаллов, которые при своем ростеизменяют его внутренний диаметр. За счет35этого происходит увеличение максимальногодавления в газовой пузырьке....

Номер патента: 593707

Опубликовано: 25.02.1978

Авторы: Белицкий, Овчинников, Урсуляк

МПК: B01D 9/00

Метки: кристаллизатор

...в полрсть б, так чтобы уровень рас плава был не выше нижнего края конИческой перегородки 3, после чего корпус кристаллиэатора закрывается крышкой 5 и загружается в печь, в которойсинтезируются"кристаллы,. при нагреве 0 до определенной температуры.Затем печь медленно охлаждают, обеспечивая рост качественных кристаллов.При достижении конечной температурыОроста тигель переворачивают на 180 5 в сторону сетчатой половины конуснойдиафрагмы и расплав переливается вполость 7. Объем полости должен бытьтаким, чтобы уровень расплава не превышал высоту стенок внутреннего ци линдра 2. В результате переливаниярасплава из полости б. в полость 7 выросшие кристаллы оказываются вне расплава.Последующее медленное снижение т 5 пературы обеспечивает...

Номер патента: 577444

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Белицкий, Илюшин, Ковалевский, Урсуляк

МПК: G01N 25/02

Метки: жидкой, исследования, компонента, между, подготовки, пробы, распределения, твердой, фазами

...растрескивения от термоудара) вводят затравочныйкристалл, В качестве зетревочного кристал-ла может служить монокристалл, выращенныйиз этого раствора, или кристалл соединения,ца котором может происходить эпитаксиальцси наращивание выпадающей фазы, Затравоч-тный кристалл имеет паз шириной 0,5-1,0 ммМс высотой и длиной в 5-10 раз большей.Затравочный кристалл подвешивается на проволке из устойчивого к денному раснлеву итемпературе материала.Введенный в лечькристалл распопагается над отверстием вкрышке тигля и выдерживается в таком нсложении це менее 10 миц, чтобы температура кристалла и раствора выровнялисьПосле снижения температуры в печи дозаданной величины (циже температуры нече- Ола кристаллизации),и непродслжительцой выдержки...

Номер патента: 562752

Опубликовано: 25.06.1977

Авторы: Белицкий, Илюшин, Урсуляк

МПК: G01N 13/02

Метки: натяжения, поверхностного, твердых, тел

...поверхности твердого телаи на ребре, образованном двумя его плоскостями, и жидкостью с известной величиной поверхностного натяжения.Известный способ недостаточно точен,так как, во-первых, трудно избежать заваловребра между плоскостями и рисок на ребре его пересекающих, вс-вторых, ребродолжно быть линейным, так как всякое егоискривление приводит к дополнительным пгрешностям в измерениях 1 в-третьих, измерение равновесного угла смачивания нагоризонтальной поверхности твердого телапроизводится на капле, следовательно,гоаница соприкосновения жидкости с тверформу окружности, в на тей граница прямая. Р ницы вносит свою систгде 30 Вначале определяют равновесный угол 8, образованный каплей жидкости с известным поверхностным натяжением на...

Номер патента: 516656

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Белицкий, Деркач, Овчинников, Урсуляк

МПК: C03C 5/00

Метки: глазурь

...при температурах выше 800 С,0 Выдержка при максимальной температурене более 10 мин. Охлаждение идет со скооростью 50-100 С/час, Для обеспечения13-14-го классов чистоты поверхности ивысокой плоскопараллельности детали (подложки) полируют, Температура размягчения лож ем,для покрытия де. аержащие б (О,Ъс(0, Ь Оэбесности п вестны глаз з ле ерамики, соБп О . Однак о, они нечество поверх печиваюкрыт ийности д высокое ка ой мех и увеличение еталей из итт нич ий елезистого граимер подложек изобретения яв ната,схем. полученгранате микр ляетс лезисто рытии на иттри выше ние ханическои прочности послед го. Он остигается тем что гл О при рь до- едующем олнительно содержитоотношении компонентЙ 0 35-40, 5 ВаОаО 3-5; ЕиО 4-6 УПодложки микросхе в,...

Номер патента: 508727

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Белицкий, Илюшин, Ковалевский, Урсуляк

МПК: G01N 25/02

Метки: растворов, температурынасыщения

...использована установка для измерения поверхностного натяжения и плотности расплавов по максимальному давлению в 2 о газовом пузырьке. 11 рп выпадепцп кристал.лов на стенках капилляра уменьшается его диаметр и увеличивается максимальное давление в газовом пузырьке, что регистрируется микроманометром.25 Определение температуры начала кристаллизации В 1)аспворе заданного состава производит" я в следующей последовательности.В платиновый тигель загружаются в стро- ЗО гом соотношении компоненты растворителя и508727 5 Формула изобретения Составитель С, Беловодчеико Техред Т. Лященко Корр ктор Л. Котова Редактор Н. Коляда Заказ 5193 Изд,1246 Тираж 1029 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров, СССР по делам изобретений и...

Номер патента: 505939

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Белицкий, Урсуляк

МПК: G01N 13/02

Метки: натяжения, поверхностного, твердых, тел

...материала с поверхностью этого же материала, раоположенной по отношению к горизон О тальной под углом О.На чертеже изображены образец твердого тела, поверхностное натяжение .которого определяют, и его поверхность, смоченная жидкостью, 5Образец должен иметь две расположенные под углом плоские поверхности, отполированные и тщательно очищенные, с четко выраженным ребром между ними.На одну из поверхностей, расположенную 20 строго горизонтально, наносят жидкость с известным поверхностным натяжением, смачивающую поверхность твердого тела и не взаимодействующую с ним. Количество жидкости должно быть таким, чтобы при раствка нии она не смачивала границ горизонтальной поверхности (фиг. 2), Фотографируя форму капли, определяют угол смачивания...