H01S 3/16 — из твердых материалов

Номер патента: 238026

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бужинский, Жаботинский, Институт, Рудницкий, Цапкин, Цапкина, Электроники, Эллерт

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, генераторов, квантовых, материал, оптических, усилителей

...ковалецтцый характер связей обусловливает малые локальные кристаллические поля. Вследствие этого неоднородное ушцрснце люминесценции в,них значительно м цьшс. Сущсствец 1 О, чпго в преллагаемь 1 х стеклах сцльныс ковалсцтныс связи между238026 А 1 Р,: Л 15 Оа 3 пС 1.,1 х 1 аО1 Мп Окислыредких земельСг Р 01.1 еО 38,528 30 30 0,5 4 42 20 3 3 20 40 2 50 38 9 10 10 70 31 28 25 12 14 10 84 20 35 35 17 14 40 51 20 0,58 7 55,5 5 82 2 Предмет из обретении ия Редактор Т. Ларина Техред Л. Я, Левина Корректор Н. В. Дятлова Заказ 1436(8 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 я н 1 о н 51 ы м и ео м пл е кс я м и, о к 1) у 5 к я 1 о щи ъ...

Номер патента: 321893

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Борисов, Крылов, Уральский, Шульгин

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество•i==, люминесцирующее

...до 136область ест з, 3 веще щелоч тойк яет стоико, не х кислотах,что значивозможногозобретени нрующее вещество на основе поиси европия, двуокиси титана и побия, отлачающееся тем, что, с чения химической и термической оминофора, а также улучшения характеристик, он имеет следую- (в вес. %): Люминесцлуторпой окттятиокиси н15 целью увелистойкости лего цветовыхщий составЕцОз20 ХЬз 05Т 102 44,8 - 45,2 34,2 - 35,0 19,8 - 20,6 висимое от авт. свидетельстваИзобретение относится к люминофорным материалам, используемым в .качестве люминесцирующих покрытий в ртутных лампахвысокого и низкого давления, в кинескопах как обычных, так и для цветного телевидения, а также пригод ых для приготовления люмипесцирующих красок и активных сред приборов...

Номер патента: 423416

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Власенко, Пухлий

МПК: H01S 3/09, H01S 3/16

Метки: квантовыйгенератор, оптический, твердотельный

...волны близкой к той, при которой интенсивность в полосе излучения электролюного вещества максимальна.На фиг. 1 и 2 изображен преОКГ, два варианта.5 ОКГ содержит, подложку 1, слой 2 электролюминесцентного рабочего вещества (активная среда), зеркала - электроды 3 и 4, ж которым прикладывается электрическое напряжение, слой 5, предотвращающий диффузию 10 металла из электрода,в электролюминесцентную пленку в процессе ее нанесения.Устройство работает следующим образом.Путем приложения напряжения к зеркалам - электродам 3, 4 в рабочем веще стве создают сильное электрическое поле10 в/см), достаточное для ударного возбуждения электролюминесценции.На уровнях лримесных центров, которымислужат элементы с незаполненными электрон ными оболочками, при...

Номер патента: 392874

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Атанов, Бужинский, Корягина, Красилов, Поляков, Солоха, Цапкин, Эллерт

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, генераторов, квантовых, материал, оптических, усилителей

...Составитель А. ЗапольскийРедактор Л, Мельниченко Техред Н. Анпрейчук Корректор Н. Бабурка Заказ 4 91 2 424 Тираж 963 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по,пелам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ния урана, марганца, алюмиия цинка и олова, тантала, ниобия, вольфрама, титана ициркония, вводят одно из соединений кальция, магния, стронция бария, бора, скандия,иттрпя или их комбинацию, причем суммарное количество вводимых соединений составляет 2-60 вес.%, а отдельные компонентывведены в следующем соотношении, вес.%:соединения кальция до 30, соединения магния,по 30, соединения стронция до 15, сое-Одинения бария до 50,...

Номер патента: 355916

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Алексеев, Бужинский, Гапонцев, Жаботинский, Изынеев, Корягина, Кравченко, Рудницкий, Цапкин

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, генераторов, квантовых, материал, оптических, усилителей

...кальц следующем соотноше вес.Ъ:Окись ФосФораОкислы редкоземельных элемен- тов ретения ллавыб- строй- при окисел метаской системыислов барияя и кадмия,ии компонен 9 3Окись щелочногометаллаОкись бораОкись металла11 группыПредлагаемый активныйобладает следующими хараСечение индуцированногоизлучения ИЙ+з, см Инверсная населенностьпри длительности импульса накачки 0,5 м секи энергии 80 Джейсм з, см Ширина спектра генераЦИИр А в плоском резонаторев сферическомв генераторе с модуляцией добротностивращающейся призмойМикротвердость, кг/ммКоэффициент усиления примощности входного сигнала -10 Вт и ширинеспектра сигнала 2 А, см 1 0,0 б,25Описываемый материал получают следующим образом,ПримерПриготавливают шихту смешиванием следующих, компонентов,...

Номер патента: 432852

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Бужинский, Корягина, Красилов, Солоха, Цацкин, Эллерт

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, генераторов, квантовых, материал, оптических, усилителей

...неотьемлемой состдвно". частьюкоторых являются активные элементьг, пеоб -ходцхго цспользовдтг, дктцвньгй хгдтер:дл созначением термооптцчоской -,остояшой в- .,0гределах (от -5 до -8).10 У С.Целью изоГрете 1;я является созданиестеклообразных дхтивньгх материалов с тер 1,ооптической посто 1 гной в пределах (от -5432852 Щслочцые металлыФосфорЩелочно - земел 1 пые металлыРс дкосемольцые элементыэ 0 ра л 10 1и ц 1 Й иа л 11 аптат, ниоби и золрра1 0 - 65- 30 10 15 25Состаитель А. ЗапольскииТехред Н. Лндрей 1 чук Корректор Н. Бабурка Редактор О. Тюрина Заказ 4912 424 Тп раж с 6 3 Подписное Е 11-П 111 ПИ Государствен ого комитета Совета Министров СССР по делам пзобретс 11 п 1 й и открытий 113035 Осква, Ж, Раушская цаб., д, 4/5Филиал...

Номер патента: 646401

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Баранов, Вещунов, Житников, Романов

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, генераторов, квантовых, материал, оптических

...накачки"в рили Э полосы, С уровня В электрон переход сначала в основное нерелаксированное состояние С (при этом лазер излучает) а затем безизлучательно в основное состояние А. Время жизни в состояниях-йЗ и " С порядка 10 сек, время жиз 7ни на уровне В 10 сек. Таким образом уровни 2, В, С и А образуют высокоэффектйвнуючетьгрехуровневуюсистемудля работы лазера с оптической накачкой.Для создания инверсной населенносги между уровнями не требуется большой мощности накачки, так как населенность уровня С близка к нулю.Перестраиваемый твердотельный лазерс оптической накачкой (фиг. 2) содержит рабочий кристалл 1 с АГ. центрами,о представляющий собой пластинку тотпциной 1 - 2 мм, выколотую вдоль плоскос 25 30 35 50 55 фтей 1001, перестраиваемый...

Номер патента: 1099802

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Жариков, Лаптев, Струве, Хубер, Щербаков

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, лазеров, материал, перестраиваемых, твердотельных

...способных работать с программным управлением частотой следования импульсов и энергией импульсной генерации, импульсной или средней мощности,Известен лазер на парах металлов, работающий в режиме саморазогрева, в котором реализуется режим стабилизации средней мощности генерации при цуговом импульсно-периодическом разряде. Недостатком данного лазера является то, что он не может работать при изменении частоты следования импульсов в широком диапазоне частот,5 О,П, 1099805 А 1 следования импульсов генерации, задатчик энергии импульсов генерации, формирователь импульсов запуска, выход которого соединен с источником дополнительных, це вызывающих генерацию, импульсов и через блок задеркки - с источником возбуждения, о т л и ч а ю щ и й с я...

Номер патента: 1141968

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Денисов, Козлов, Константинов, Цогоева

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

...метакриловуюкислоту и полиметилметакрилат, в качестве органического красителя содержит оксазин 1 или оксазин 17 при следующем соотношении ингредиентов,мас .:Оксазин 1 .0,004-0,08или оксазин 17 0,003-0,04Метакриловаякислота 10-15Полиметилметакрилат Остальное.Лазерное вещество приготовляютследующим образом. 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50 0,0000 1 г, переносят в коническуюколбу и добавляют туда расчетное количество метакриловой кислоты. Смеьвстряхивают 10-15 мин и добавляютк ней 0,03-0, 7 инициатора (в качестве инициатора используют азо-бис-изобутиронитрил) и расчетное количествометилметакрилата. Массу размешиваютдо полного растворения твердых частичек. Конец растворения определяютвизуально. Раствор фильтруют черездва фильтра: фильтр...

Номер патента: 1316530

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Денисов, Краснов, Сивоволов, Цогоева

МПК: H01S 3/16

Метки: лазер

...нужной геометрической формы (например в виде плоскопараллельных пластин, дисков). В данном примере твердотельный активный элемент выполняется в виде дисков, толщина которых 8 мм, диаметр 50 мм, Основной диск твердотельного активного элемента лазера выполнен из сополимера метилметакрилата (ММА) с метакриловой кислотой (МАК) при соотношении 9:1; концентрация красителя 9-диэтиламинобензо-а 1"феноксазинона(оксазин 17) 4 1 О моль/л . Толщина диска 8 мм, диаметр 50 мм.Для испытаний твердотельный активный элемент, выполненный в виде двух дисков из сополимера ММА и МАК, активированных каждый родамином бЖ и оксазином 17 соответственно, помещают в недисперсионный резонатор лазера, образованный зеркалами 3 и 4, Рабочие поверхности дисков...

Номер патента: 1609462

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Витольд, Владислав, Габрел, Марек, Мечислав

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

...кристаллизациииз расплава по одному из известных 45методов Чохральского, Бриджманна либоэонной плавки. Наиболее удобным способом изготовления монокристалловгаллиевых геленитов щелочных земельи лантана с примесями ионов Ы яв3+ляется способ вытягивания монокристалла из расплава по методу Чохральского. Согласно этому методу расплавполучается путем расплавления в иридиевом тигле смеси особо чистых порошкообразных окисов металлов, входящих в состав выращиваемого монокристалла. Состав расплава в принципетакой же, что и состав монокристалла. Допустимы небольшие отклонения в границах ат".7. Вместо окислов можно использовать карбонаты тех металлов, которые при нагревании разлагаются, преобразуясь в соответствующие окислы, а затем...

Номер патента: 1308131

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Билан, Войтович, Гринкевич, Кононов, Михнов, Усков, Черенда

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазера, среды

...еще1меньшее центров, поглощающих в области 850 нм. При-облучении этихкристаллов происходит перераспределение электронов уже между двухвакантньпчи центрами, и концентрацияцентров с большим числом электроноввозрастает, Для проведения этого процесса достаточна доза облучения26 - 269 Кл кг , При дозах менее26 Кл кгне успевает установитьсядинамическое равновесие по электронным состояниям, обеспечивающее увеличение концентрации центров, Дозыболее 260 Кл кг не имеют практической целесообразности, Однако при-облучении, как и вначале при нейтронном, возникает и неактивное поглощениедругими дефектами. Для ихустранения проводится повторная термообработка при температурах 720770 К в течение 1-1,5 ч. При этомпет необходимости увеличивать температуру...

Номер патента: 1195874

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Батяев, Белькова

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО, содержащее хлорид неодима, неорганический хлорид и соединение цинка, отличающееся тем, что, с целью уменьшения агрессивности и токсичности вещества при сохранении мощности излучения лазера, оно в качестве неорганического хлорида содержит хлорид галлия, а в качестве соединения цинка - хлорид цинка при следующем соотношении ингредиентов, мас.%:Хлорид неодима 2,3 - 5,5Хлорид цинка 20,5 - 28,7Хлорид галлия 69,0 - 74,0

Номер патента: 1695801

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Егранов, Непомнящих, Отрошок, Черняго

МПК: H01S 3/11, H01S 3/16

Метки: активных, вещество, затворов, лазерных, пассивных, сред

ВЕЩЕСТВО ДЛЯ АКТИВНЫХ СРЕД И ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ на кристаллах LiF с F-2-центрами окраски, содержащее ионы Mg++ и водорода, отличающееся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих F-2-центров, оно содержит водород в концентрации 0,02 - 0,32 мол.% и Mg++в концентрации 0,004 - 0,08 мол.%.

Номер патента: 1528278

Опубликовано: 09.01.1995

Авторы: Егранов, Непомнящих, Отрошок, Татаринов, Чернов, Черняго

МПК: H01S 3/11, H01S 3/16

Метки: активных, вещество, затворов, лазерное, пассивных, элементов

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристаллов фторида лития с F-2 - центрами окраски, отличающееся тем, что, с целью повышения концентрации F-2 - центров окраски, работающих при комнатной температуре, и понижения неактивных потерь, введен гидрид лития в концентрации 0,02 - 0,4 мол.%.

Номер патента: 1662315

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Большаков, Куратьев, Скворцов, Хромов, Янчук

МПК: H01S 3/16

Метки: активный, галлий-скандий-гадолиниевого, граната, кристалла, лазеров, твердотельных, элемент

...Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 1205 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 1 Ц 1 Изобретение относится к лазерной технике и может быть использовано при разработке лазеров с повышенными энергетическими параметрами.Цель изобретения - повышение предельных энергетических параметров,П р и м е р. Активный элемент представляет собой цилиндр, изготовленный посредством оптико-механической обработкикристалла галлий-скандий-гадолиниевого 10граната (ГСГГ),. Диаметр активного элемента 3 мм, длина 50 мм, концоентрация ионов активаторайб 3,5 10 см з, концентрацзия ионовсенсибилизатора Сг 4 10 см . На полированные рабочие торцы элемента нанесены однослойные...

Номер патента: 1667588

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Житнюк, Куратьев, Михеев, Шестаков

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО на основе окислов гадолиния Gd2O3, галлия Ca2O3, скандия Sc2O3, неодима Nd2O3 и хрома Cr2O3, отличающееся тем, что, с целью увеличения мощности лазерного излучения, оно дополнительно содержит окись магния MgO при следующем соотношении ингредиентов, мас.%:Cd2O3 - 50,7 - 56,9Ca2O3 - 29,0 - 35,4Sc2O3 - 3,5 - 18,0Nd2O3 - 0,2 - 5,0Cr2O3 - 0,002 - 3,0MgO - 0,002 - 1,0.

Номер патента: 1322948

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центрами, активная, лазерная, лития, монокристалла, окраски, основе, среда, фторида

АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ.1. Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски, концентрация F2-центров соответствует коэффициенту их оптического поглощения в интервале 100 - 700 см-1.2. Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами , включающий облучение монокристалла ускоренными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски,...

Номер патента: 1447220

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерной, окраски, приготовления, среды, центрами

СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ С F+3-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, включающий облучение монокристалла LiF потоком ускоренных частиц, отличающийся тем, что, с целью снижения порога генерации, облучение проводят в течение интервала времени от 1 10-8 до 6 с с плотностью потока не менее 2 1012 частиц/см2.

Номер патента: 1393290

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.

Номер патента: 1538846

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Перунина, Соцердотова

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерный, материал

ЛАЗЕРНЫЙ МАТЕРИАЛ, выполненный в виде неорганического соединения на основе фторидов с центрами окраски, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, неорганическое соединение взято в виде оптической керамики.

Номер патента: 1597069

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1407368

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активная, лазерная, среда

ЛАЗЕРНАЯ АКТИВНАЯ СРЕДА на основе монокристалла фтористого лития с F2= F+3 -рабочими и сопутствующими F3 - центрами, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога генерации F+3 - центров при одновременном повышении оптической устойчивости F2 - центров, концентрации рабочих центров соответствуют коэффициентам оптического поглощения на длине волны 460 нм в интервале 27 - 37 см-1 для F+3 -, в интервале 33 - 99 см-1 для F2 - центров и в интервале 0,01 - 2,3 см-1 на длине волны 380 нм для F3 - центров.

Номер патента: 1018573

Опубликовано: 10.04.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Токарев

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазерная, пассивных, среда, элементов

ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ на основе монокристалла с центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью повышения устойчивости кристалла к действию оптического излучения и расширения спектрального диапазона, она выполнена на основе монокристалла окиси алюминия.

Номер патента: 1565321

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Васильев, Добрынина, Дубинский, Игнатьева, Корягина, Кузнецов, Кулешов, Семашко, Серова, Сулейманов

МПК: H01S 3/16

Метки: вещество, лазерное

ЛАЗЕРНОЕ ВЕЩЕСТВО, содержащее органический краситель родамин 6Ж или родамин С и сополимер метилметакриалата с метакриловой кислотой с соотношением компонентов 9 1 (мас.), отличающееся тем, что, с целью увеличения фотостойкости, оно дополнительно содержит карбонат эрбия при следующем соотношении ингредиентов, мас.Родамин 6Ж или родамин С 0,010 0,015Карбонат эрбия 0,5 1,0Сополимер метилметакрилата с метакриловой кислотой 98,985 99,490

Номер патента: 1676409

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Григоров, Мартынович, Миронов

МПК: H01S 3/16

Метки: алмазе, нз-центров, образования, окраски

СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ НЗ-ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В АЛМАЗЕ, включающий облучение алмаза с А-агрегатами азота ионизирующим излучением с энергией не менее 1 МэВ, отжиг алмаза в инертной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации НЗ-центров при одновременном снижении концентрации паразитных центров поглощения в полосе люминесценции НЗ-центров, облучают алмаз с однородным распределением по объему А-агрегатов и с их концентрацией не менее 1018 см-3 дозой ионизирующего излучения 100-120 част/см2 на каждый А-агрегат, воздействуют на алмаз в течение 0,1 1 ч и инфракрасным излучением с длиной волны 7 12 мкм, при этом разогревают алмаз до температуры 700 800 К и отжигают алмаз в инертной...

Номер патента: 1102458

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чепурной, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазеров, пассивных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ ЛАЗЕРОВ на основе монокристалла фтористого лития, содержащего ионы гидроксила, включающий облучение монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД генерации и эффективности модуляции лазеров, облучение производят при температуре от -195 до -40oС дозой в интервале 108 109Р.

Номер патента: 1123499

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Васильев, Волкова, Исянова, Лобанов, Максимова, Парфианович, Симин, Цирульник

МПК: H01S 3/16

Метки: активных, аподизирующих, диафрагм, затворов, лазерных, лазеров, материал, пассивных, элементов

МАТЕРИАЛ ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ЛАЗЕРОВ, ПАССИВНЫХ ЛАЗЕРНЫХ ЗАТВОРОВ И АПОДИЗИРУЮЩИХ ДИАФРАГМ на основе монокристалла LiF с центрами окраски, содержащего ионы гидроксила OH-, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД лазера при комнатной температуре, он дополнительно содержит примесь кислорода О-- при следующем соотношении ингредиентов, мол.ОН- 10-1 1О-- 10-3 10-2LiF Остальное

Номер патента: 814225

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Бубнова, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, лазера, твердотельного, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ЛАЗЕРА на основе монокристалла фторида лития, включающий загрузку шихты, выращивание монокристалла из расплава с последующим облучением его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического коэффициента усиления за счет увеличения концентрации рабочих центров, шихту дополнительно измельчают и увлажнаяют, а облучение монокристаллов производят с дозой 107 4 107 рентген при температуре от 50 100oС.

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.