Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов yba2cu3o7-
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(й)е 1 гг г В О авторскому свидетельств ЩИХ МОНОКРИС 2 3 1 отемперату рных вкпкиает расп и бария(1) в ржку распп град/ч до затаппы атжигают припод давпением пученные кри- хпроводацего перехода ЬТ а 0,5 Кс СОЮЗ СОЗЕТСИИХСОЩЬЛИСтИ П:СКЯХЯСаГОСУАУСПтВИОВ ПИПтОПИСАН(5 Щ Авторское свидетельство СССР й 1522792, каС ЗОВ 9/06, 29/22, 1988.СЮИ, Оайпфоп аМ 1 Ргервгабоп оЗцреасйщ СгувЬЬ о УВСО//ОФ СтоЭоцй - 1988, ч 91; й 3, р 308-31 1.ОИор аЫ Фуад рзвВ упб Нупа 3 апа 1 увВооваазО 7//М Сто Оива, 1988,чв, й 3,р 255-260,РМЮег аЮ Ргерагатюп а 1 б апа 1 увв Юу 8 а 2 зо 7 9 пФ С ФМ//щж 19%р.153-1 ь 5, ф 1, р.421-422.(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕВВЕРАБРЕТЕНИЯ ТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯТАЛВОВтВа Сц О -оэт(57) Способ получениясверхпроводацих монокристИспопьзование: в обпасти сверхпроводников - ВТСП, Способ павпеве оксидов иприя (111), меди корундовом тигпе на воздухе, выде его охпаждение со скоростью 1- 4 вердеваниа Извпеченные крист 420 - 480 С в течение 24 - 72 ч ниспорода вепичиной 3- 4 атм, По теплы имеют температуру свер хода Т 90 К и вепичину этого пере Способ экономичен 1 табаДавле- Время ние кис- выдержлорода, ки, ч Темпе- Тс, К Тс, К Примечание и/и ратураотжига,ТфС Рвтм 450 50 Не соответствует изобретениюТо же УВагСиз 07 - д 1,7 10 10 32 УВагСиЗ 07- д УВагСцз 07 - д Увагсцз 07 - д . УВагСиз 07 - д УВвгСиз 07-д 1,7 24 24 24 80 24 72 55 77 450 525 380 480 450 2 3 4 5 6 40 1,7 3,0 З,О 90 90 Согласно изобретению То же 3,0 с 0,5 ф) 8 9 10 3,0 72 48 30 24 450 450 420 480 90 90 90 90 УВагСцз 07. - д УВагСиз 07 - д УВагСиз 07 - д УВагСиз 07 - д ЯО,Б 4,0 Я 0,50,5 4,0 3,0 5 0,5 ф) Чувствительность определения Тс 0,5 К,Изобретение относится к области получения монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников ВТСП), в частности УВагСцЗ 07- д .Цель изобретения - улучшение сверхпроводящих свойств материала Тс. 90 К,ЬТс Я 0,5 К) без удорожания процесса(т,е. без замены корундовых тиглей на платиновые);Цель достигается тем, что в известном способе получения монокристаллов УВагСцз 07- д включающем расплавление смеси оксида иттрия( П), меди(П) и бария(П) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1-4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и отжиг в атмосфере кислорода, последний проводится при давлении 3-4 атм,Нижний предел давления кислорода при отжиге определяет минимальное давление кислорода, позволяющее насытить монокристалл кислородом до оптимальной концентрации в температурных и временных условиях, укаэанных в прототипе. Верхний предел интервала давлений определяется возможностями аппаратуры,П р и м е р. В корундовые высокоплотные тигли помещают навеску массой 1000 г. В качестве исходных компонентов исполь 4эовапись ВаО "осч".УгОз "осч", СиО "чда",которые перемешивают при соотношении,мол.;У 01,5 2-45 ВаО 17,8-29СцО69-78.В укаэанной области концентраций вприведенном ниже режиме росли наиболеекрупные кристаллы(2-3) х 2-4 И 0,1-0,07) мм .10 Принадлежность кристаллов фазеУВагсиз 07- д подтверждалась рентгенофаэовым анализом. Тигель с шихтой помещался в печь электросопротивления, Синтезпроводился в следующем режиме; нагреве 15 ние со скоростью 50 град/ч до 1030 С, выдержка при Т " 1030 С в течение 1,5-3,0 чпри реверсивном вращении тигля. Охлаждение со скоростью 2 град/ч в интервале 1030-880 С, со скоростью 50 град/ч от 880 до20 400 С и далее в режиме выключенной печи.Монокристаллы освобождались от затвердевшего расплава выкапыванием и отжигались в условиях, приведенных втаблице.25 Таким образом изменив по сравнениюс прототипом условия отжига, удалось без.замены корундовых тиглей на платиновыеулучшить сверхпроводящие характеристикидо уровня лучших на сегодняшний день об 30 резцов,. Тираж Подписное НПО "Поиск" Роспатента113035; Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Заказ 7 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 Формула изобретенияСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ т Ва 2 СцзОт-д, включающий расплавление смеси оксидов иттрия (И), меди (И) и бария (И) в корундовом тигле на воздухе, изотермическую выдержку расплава, охлаждение со скоростью 1 - 4 град/ч до затвердевания, извлечение выросших кристаллов и их отжиг, в атмосфере кислорода, от личающийся тем, что, с целью улучшения сверхпроводящих свойств без удорожания процесса, отжиг кристаллов ведут под давлением кислорода величиной 3-4 этм,10
СмотретьЗаявка
4818815/26, 27.04.1990
Научно-исследовательский институт "Домен"
Шибанова Н. М, Яковлев Ю. М
МПК / Метки
МПК: C30B 29/22, C30B 33/02, C30B 9/12
Метки: yba2cu3o7, высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводящих
Опубликовано: 20.03.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-1800858-sposob-polucheniya-vysokotemperaturnykh-sverkhprovodyashhikh-monokristallov-yba2cu3o7.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов yba2cu3o7-</a>
Предыдущий патент: Радиоизотопный толщиномер покрытий
Следующий патент: Радиоизотопный толщиномер
Случайный патент: Способ получения бис-2, 3, 5, 6-тетрахлорпиридил-4-тио алканов