Патенты с меткой «щелочногалоидных»

Номер патента: 168262

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Надгорный, Степанов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...степени поглощения ультразвука и при достижении 250 С дальнейшее охлаждение ведут практически мгногенно. Способ получения щелочногалоидныхсталлов выращиванием их из расплаваследующей термообработки, отличаютем, что, с целью придания кристаллуства поглощать ультразвук в заданнойни, в расплав вводят примеси галоидньлей двухвалентных металлов, и охлакристалла после отжига осуществляютременной скоростью. крин поигийся свойстепегх сождениес пеПодггисная груггга3 присоединением заявкиИзвестными способами щелочногалоидные кристаллы получают из расплава следующим образом. По окончании выращивания кристаллов их охлаждают до температуры отжига, отжигают, и дальнейшее охлаждение 5 ведут с постоянной скоростью. Получаемые этими способами...

Номер патента: 587427

Опубликовано: 05.01.1978

Авторы: Сартбаев, Скребцов

МПК: G01T 1/20

Метки: активированных, детекторов, излучений, основе, сцинтилляторов, тонкопленочных, щелочногалоидных, ядерных

...световыхода и раз решения.Цель изобретения - увеличение световыходв и разрешающей способности детекторов.Согласно изобретению, указанная цель 1 о достигается использованием в качестве материала подложки .кристалла, близкого до постоянной решетки к материалу пленки и обладающего плоскостями спайности, по которым кристалл скалывают. На поверхность 15 скола, служащую подложкой, осаждают, причем при осаждении подложку поддерживают при оптимальной для данного материала пленки температуре. 20Способ поясняется чертежом.В лодочку 1, нагреваемую пропусканием электрического тока, помещают испаряемую нввеску 2 материала (ытивированного щелочногалоидного сцинтиллятора). Пары материа 25 ла осаждаются на подложке, образуя пленку 4, Температуру...

Номер патента: 949984

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гектин, Чаркина, Ширан

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...По мереповышения температуры за сцет рекомбинации комплементарных центров ихсодержание в облученном кристалле стечением времени уменьшается. Обработка монокристаллов ХаС 1 и КС 1 путем их изотермического отжига притемпературах 150-200 С приводит кполному исчезновению электронных 10(Р, М, К, И) центров, выявляемых оптическими методами, Однако дырочныецентры (7) и дислокационные диполи,образующиеся под действием ионизирующего облучения, при этих температурах устойчивы. Йзотермический отжиг монокристаллов при температурахвыше 200-250 С снимает все наведенные облучением деФекты, Варьированиетемпературы и времени отжига кристалла изменяет спектр деФектов кристаллической решетки, возникших в процессе воздействия на монокристалл...

Номер патента: 1029649

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Карпов, Любинский, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...величины пк, па, пг, Ьк, ЛТ 1, ЬТ 2 и зная величины Ч 1 и Чг, рассчитывают значенияи Чз. В. ростовую печь, в которой перегрев камеры плавления равен величине Н 41, помещают ампулу с расплавом таким образом, чтобы ее дно находилось на расстоянии йх от диафрагмы, Устанавливают скорость перемещения Ч 1. Включают механизм перемещения и в течение времени т опускают ампулу со скоростью Ч 1, Так как расплав в ампуле перегрет незначительно, кристаллизация его начинается в момент пересечения конусным дном ампулы изотермы кристаллизации, Фронт кристаллизации осуществляется выше верхнего среза охлаждаемойдиафрагмы при отводе тепла от фронта крибильное положение фронта кристаллизации в процессе последующего роста кристалла из...

Номер патента: 1431392

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Горилецкий, Неменов, Панова, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...1 анаьТаким же способом при предлагаемьех,значениях технологических етараметровполучецье моцокристаллы йодистого цезия, н ИК-спектре пропусканил которыхотсутствуют 1 еолосы поглощения кислородсодержащих приееесей,Сравнительные данцьее способов по"лученил нысокопраэрачееьех моееокреесталлов по предлагаемому способу и прототипу представлены н табл,. следует из табл.1 способ ет выращивать нысокопрозкристаллы беэ исцользонасеечньех и агрессивных соеди гряэееяющих Окружающую сред нодительееьее затраты времен отонку расеыеана к нырашина док меееьше, чем у иэнестны н,ерозрачцости монокрис" ида калия, ныращенцых ех технологических пара-, ставлены в табл.2.следует, что выход за начения предлагаемых панодит к усложнению тех" цологического...

Номер патента: 1039253

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бобырь, Васецкий, Даниленко, Заславский

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, основе, сцинтилляционного, щелочногалоидных

...освобожденным от органических примесей сырьемпомещают в ростовую печь, плавят в ампулесырье и выращивание ведут, как обычно,методом направленной кристаллизации (т.е. 750-760 С и 560 - 580 С), ампулу перемещают иэ горячей зоны в холодную через. водоохлаждаемую диафрагму со скоростью2 мм/ч, градиент гемпературы в зоне кристаллизации 25 - 30 С/см,Процессы выращивания кристалловИаЦТ 1) с предварительной термо-кислородно-воздушной обработкой сырья в ампулепо методике, описанной в примере 1, проводили с различным количественным составом кислородно-воздушной смеси,содержание кислорода в которой составляло 45,50,55 и 60 об, .Сцинтилляционные параметры детекторов на основе кристаллов Ма 1 Т 1), выращенных в ампулах, подготовленных согласнопримеру...

Номер патента: 1651602

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Горбунов, Классен, Махонин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, оптических, щелочногалоидных, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ИЗ ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ, включающий механическую обработку исходного образца до формы, близкой к требуемой, и прессование его при повышенной температуре между пуансонами соответствующей формы, чистота поверхности которых соответствует требованиям к чистоте поверхности элемента, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптического качества, увеличения производительности и выхода годных элементов, исходный образец берут в виде монокристалла, после механической обработки проводят снятие механически упрочненного слоя химическим травлением и прессование ведут до степени 1,5-5,0% со скоростью 0,02-0,10 мм/мин.