Способ выращивания кристаллов -liio3
Формула | Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1309621
Автор: Рубаха
Формула
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ -LiIO3, основанный на методе испарения, включающий испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения себестоимости кристаллов, рост кристаллов проводят при температуре t, связанной с кислотностью
исходного раствора соотношением
1,5 - 0,007 (t - t0), где
- кислотность раствора при температуре t0, при этом кислотность
выбирают из интервала 0,8 - 2,0, а температуру t - из интервала 40 - 102oС.
Описание


Целью изобретения является повышение производительности способа и снижение себестоимости выращенных кристаллов.
П р и м е р. Рабочий раствор готовят вымешиванием до насыщения в воде при 20оС соли LiIO3 квалификации ОСЧ и йодноватой кислоты HIO3 ОСЧ в количестве 150-160 г/л. Измеренная кислотность рHto раствора равна 1,71. После вымешивания раствор фильтруют через фильтр пористости. При той же температуре раствор заливают в стакан и вводят в него затравку. Последняя представляет собой пластину Z-среза от естественного кристалла с поперечным размером 10 мм. После зарядки кристаллизатора в нем постепенно, в несколько этапов, температуру повышают до рабочей, равной 70оС. Такую температуру в течение всего процесса выращивания поддерживают с помощью контактного термометра и нагревателя. Кристалл растет из затравки за счет испарения воды. Скорости роста его при этом следующие: в направлении Z скорость Vz равна 3,4 мм/сут, в направлении Х скорость Vx 1,7 мм/сут. При таких скоростях роста кристалл с поперечным размером 40 мм вырастает за 11-12 сут. Из выращенного кристалла изготавливают элементы для нелинейной оптики.
Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано в электронной технике. Цель изобретения - повышение производительности способа и снижение себестоимости выращенных кристаллов. Способ включает испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, которая связана с кислотностью исходного раствора pH t0 следующим соотношением:
pHto


выбирают из интервала 0,8 - 2,0; t - из интервала 40 - 102oС. Скорость роста кристаллов 3,4 мм/сут. Кристаллы используют как элементы в нелинейной оптике.
Заявка
3845790/26, 22.01.1985
Институт прикладной физики АН СССР
Рубаха В. И
МПК / Метки
МПК: C30B 29/10, C30B 7/02
Метки: liio3, выращивания, кристаллов
Опубликовано: 20.03.1996
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1309621-sposob-vyrashhivaniya-kristallov-liio3.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания кристаллов -liio3</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления сверхтвердого композиционного материала
Следующий патент: Способ получения клея
Случайный патент: Оптрон