Сильницкая

Номер патента: 1665732

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Барышев, Большаков, Геркен, Калашникова, Коломина, Куратьев, Михеев, Сильницкая, Шестаков, Янчук

МПК: C30B 15/36, C30B 29/28

Метки: выращивания, гадолиний-скандий, галлиевого, граната, монокристаллов

...точность ориентации торца затравки относительно кристаллг 3 графиескбЙ плОскОсти (112; В дгух взаимно перпендикулярных направленилх по мдкслмуму отражений второго г 1 орядка ,22412 Г)1224 =-) 15 5)4 . %24 ="7" 576)24 == 7 17 . д 224 =.измсренцое измеренноеРазориентдция торца затравки относительна кристаллаграфической плоскости (12 у в двух Взаимна перпендикулярных ндправлецилх составляет 7 и 15, Общая разориентацил торца прямоугольной затравки относительно кристаллогрдфической плоскости находится согласна номограмме и не пОевышает 0 18.о РддарИЕНтацИЮ бОКОВЫХ грИНЕй ПрЛМОугольной затравки относительно кристдллографических плоскостей 1221) и (110няхсд 57 т также В двух Взаимно герпецдикуЛЛРЦЫХ НЯПРДВЛЕНИ 5 Х ПО МДКСИ 14 УМУ ОТГ 3 д 1-...

Номер патента: 476230

Опубликовано: 05.07.1975

Авторы: Буслаев, Джуринский, Зайцев, Карпов, Пахомов, Пашкова, Сильницкая, Сорокина

МПК: C01G 5/00

Метки: вольфрамата, двойного, серебра-индия

...по о. Тсмепсрату гц ти тсх 1 сратя овиан Опр: 850 С. Бзсня вщс с",; Роно10 чс,с е и тва ра цл 1 . - т: 3 о О р с т с и и льфрамата счаюссИсс 5 с тонко из ВЦЛИ 5, ечсние 6 - м и отжив течение Изобрстсичс может найт; примепение в ооластеи электронной техники в виле ксрамеики и для выращивания монокристаллов, облалающпх цгастичцыми свойствами.Прслложец способ,получения ввойеиого вольфрамата серебра-иилияпо,которому проводят взаимолсйствис тонко измельчснных вольфраматов сорсбра и ицлия, взятых в эквимол 5 рноз (1: 1) соотношениири температуре 600 - 650 С в течение 6 - 24 час с последующим перстирацисм и отиигом при тсхпсратурс 800 в 8 С в течение 10 - 30 час.П роп м с р. Смесь, солсржащую 20, 70 г вольфрамата серебра и 43,45 г вольфрамата...