C30B 31/20 — легирование путем облучения электромагнитными волнами или облучения частицами

Номер патента: 400137

Опубликовано: 25.02.1974

Авторы: Вахндопа, Вители, Лобачсв, Мельников, Триедина

МПК: C30B 29/22, C30B 31/20

Метки: кристаллов, фотохромного

...юв 1,8 0" и/с.,е сск. В тсчси;е 23 члс при 40 С исхОдцып 1:.рпс.1,1 л Окр 11 пп влетел до плотпости .0=2. р е д м с Г 11 3 0 бе т с 1 и;1 1. Способ полного солллп-л,с целПо обсспсПИЯ КРИСТЛ,ЛОВпроцесса, Образта облучлются2. Спосоо почто в кт 1 ествспользуют екесткИ 15 .3. Способ почто в качествепользуют быстр кристаллов фотохром члющцйсл тем, что Озмогкиости возбу 5 кде ., 001 с.;с и процтсци 5 стлллпчсского смилли лмОпим излучец 1 юм.Т Л И Ч: 1 О ИИ 1 С 51 ТС М эующсго излучения ис ктромлгиитие излуче 1 СЦИЛОТЛ и 1 СП 1; В во все Ц) КР 1 цоцизп и. 1, о оппзи ие эле кристалл гидросо 11 зли. а мм помеш,ают в полИзобретение отцоситсл к способам получсция кристаллов фотохромиого содалитл, которые могут использоваться в виде поликриста 1...

Номер патента: 799523

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Воробкало, Забродский, Зарубин, Ионов, Немиш, Шлимак

МПК: C30B 31/20

Метки: германия, легированного

...материал р-тяпа с большей степенью компенсации или даже материал п-типа, Исходя из изютопного состава естественного элемента гврмания,и сечений реакций Ц, можно рассчитать, что требуемый материал р-типа с К=90% получится в том случае, если, вырастить кристалл германия, состоящий на 63% аз естественного бе и:на 37% - от.изотопа 74(еВ этом материале изотюла 7 обе, дающего основную вримвсь, будет мвньше (21,2% 0,63=13,3%), так чтю .гребуемая коюцентрация (10" см - ) будет достигнута при большей дозе облучения (5,2 10 исм .Таким образом, предложенный способ позволяет получать новые аюлупрювюдниковые,материалы, обладающие однородным ,расп,ределвюием лримесей и в то же время с необходимыми аарамецрами: типом вро,водимости,...

Номер патента: 1055784

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Аникин, Быковский, Ливинцев, Неволин, Фоминский

МПК: C30B 31/20

...после лазерного облучения.15Из фиг. 1 видно,что для тех об,разцов, на которые напыляют пленкиникеля больше 200 А после облучения,лазерным. излучением с потоком мощнос-.ти, равным 510 Вт/смд ток пассивации уменьшается более, чем в 9 раз.Уменьшение тока пассивации свиДетельствует о значительном увеличении коррозионной стойкости стали Х 25в растворе серной кислоты после обработкиРезультаты измерения микротвердости образцов стали Х 25 до и послеобработки представлены в табл. 1.Из табл 1 видно, что использование предлагаемого способа .позволя 30ет увеличить микротвердость сталиХ 25 в несколько раз.П р и м е р 2 . На полированныеобразцы .стали Х 25, имеющие размеры1 х 1 см и толщину 1 мм, напыляют мо-:либден. Напыление производят в вакууме 10...

Номер патента: 1100959

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Беда, Вайнберг, Воробкало, Зарубин

МПК: C30B 31/20, H01L 21/263

Метки: германия, легированного, ядерно

...долю тепловых нейт ,ронов пучка, поглощенную материалом экрана, по формулею- ехр(-Яс), (3) где Я - коэффициент поглощения тепловых нейтронов материалом чехла, д - 25 толщина стенки. Жесткость спектра нейтронов, прошедших через стенку чехла, равна ф Г ф Йф 4 -а. к .ай л т - - --- т Фф фг (Я ) ехр (-1 Й) где ; - .жесткость спектра при облучении без чехла,фр гт ( )ф цПри облучении германия естественного изотопного состава в пучке нейтронов с жесткостью спектра, равной 1",. получается полупроводник р-типа со степенью компенсации, равной 407 лЪ 1 ЙФ+Е )+2 Ра(Ь Фх+Е 31мРр (6 Д+ Е-Рр ) (5)Подставляя в (5) Рр = фт и учитывая, что 45 На фиг. 1 показана зависимость степени компенсации К от жесткости спект" ра нейтронов 3" (кривая 1); на...

Номер патента: 1550953

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: C30B 29/20, C30B 31/20

Метки: алюминия, оксида

Способ обработки оксида алюминия для электронно-оптического излучателя, включающий нейтронное облучение и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра малоинерционного излучения при длительности импульсов свечения под действием электронного облучения < 5 нс, флюенс нейтронов выбирают в интервале 1 1019 - 1 1020 н/см2, а термообработку проводят при 1300 - 2200 К.

Номер патента: 1322728

Опубликовано: 27.03.1999

Автор: Мартынович

МПК: C30B 29/20, C30B 31/20

Метки: кристаллов, лазерной, основе, среды

Способ получения лазерной среды на основе кристаллов Al2O3 с центрами окраски путем облучения выращенного кристалла потоком быстрых нейтронов с последующей дезактивацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации центров окраски с полосой оптического поглощения в области длин волн 0,74 - 0,95 мкм и снижения оптических потерь в спектральной области генерации 0,92 - 1,15 мкм облучение ведут при плотности потока 1 1018 - 4 1024 нейтрон/см2 и после дезактивации кристалл нагревают до 600 - 830 К с...

Номер патента: 1137788

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Банеева, Гордеев, Николаенко, Самсонов, Шаталин

МПК: C30B 29/04, C30B 31/20

Метки: алмаза, электропроводного

Способ получения электропроводного алмаза, включающий облучение его нейтронами и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения заданного электросопротивления в диапазоне 1011 - 10-1Ом см независимо от природы исходного алмаза, облучение ведут флюенсом нейтронов 3 1019 - 1,5 1021 нейтрон/см2 с энергией более 0,5 МэВ при температуре 70 - 500oC, а отжиг при давлении 10-1 - 1010 Па и температуре 300...

Номер патента: 1005511

Опубликовано: 10.05.2000

Автор: Забродский

МПК: C30B 29/06, C30B 31/20

Метки: кремния, легированного

Способ получения легированного кремния путем выращивания его, облучения медленными нейтронами и отжига, отличающийся тем, что, с целью получения материала n- или p-типа проводимости с заданной степенью компенсации, в кремний в процессе выращивания вводят германий, атомарную долю которого x определяют из соотношениягде К - заданная степень компенсации полученного материала;КGe - степень компенсации нейтронно легированного германия;m = -1 или +1 соответственно в материале n- или p-типа проводимости; - содержание изотопов...

Номер патента: 826810

Опубликовано: 27.03.2006

Авторы: Газин, Милько, Промыслов, Скворчевский

МПК: C30B 31/06, C30B 31/20, F28F 13/18 ...

Метки: легирования, теплообменника

1. Способ легирования теплообменника путем нанесения на его поверхность легирующего материала и обработки ее лазерным лучом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества легирования, легирующий материал предварительно переводят в газообразное состояние и наносят его одновременно с обработкой поверхности лазерным лучом путем бомбардирования поверхности образованными газами, при этом дополнительно накладывают на них ускоряющее магнитное поле.2. Устройство для легирования теплообменника, содержащее лазер с блоком питания и фокусирующую систему, отличающееся тем, что, с целью повышения качества легирования, оно дополнительно содержит конусообразный тубус, установленный между...

Номер патента: 1331140

Опубликовано: 10.06.2007

Авторы: Вербицкая, Гринштейн, Гучетль, Еремин, Соболев, Строкан, Шек, Шлимак, Шокина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/20

Метки: высокоомного, кремния

Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней изменение концентрации электрически активных центров N, причем для облучения используют слитки с величинами концентрации акцепторной примеси на торцах и