Способ выращивания кристаллов с периодической структурой

Номер патента: 126072

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Благов, Гущин, Зайцев, Лишанский

МПК: B03B 13/06, B03B 7/00

Метки: волнах, колебаний, мелочи, обогащения, стоячих, угольной, ультразвуковых

...устройства.Устройство представляет собой цилиндрический излучатель 1, ось которого расположена вертикально. Пульпа подается из резервуара шламовым насосом в приемную часть 2 и проходит через ультразвуковое поле внутри излучателя. По мере движения пульпы к разгрузочной части 3 излучателя, частицы угля уплотняются, сосредотачиваясь по.коль),цевому цилиндру со средним диаметр - (где Х - длина волн, соз 2даваемых излучателем). Породные частицы сосредотачиваются в узлах колебаний, т. е.,в центре трубы и по периферии, Отвод продуктов разделения осуществляется приемным устройством 4, выполненным в виде трех коаксиальных цилиндров переменного сечения. Внутренний цилиндр ,б сообщается с внешним цилиндром б, по которому отводится...

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 1782323

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Колесников, Кострицкий, Маньянов

МПК: G03H 1/18

Метки: кристаллах, периодических, сегнетоэлектрических, структур

...меньше, чем для электро нов и голограмма "живет" более длительноевремя, чем время, необходимое для работы ОЗУ. Для получения стабильной (живущей несколько лет), контрастной периодической структуры, полученную "протонобусловленную" фазовую голограмму обрабатывают врасплаве монокарбоновой кислоты, В качестве активной среды может быть взята любая монокарбоновая кислота (оксинафтойная, пальмитиновая, бензойнаяФ и др.), служащая источником ионов Н для топотактической реакции протонного заме,+ +щения О =Н, которая преимущественно протекает в областях с повышенной концентрацией протонов (по эстафетному характеру). Следствием этого является дальнейшее увеличение концентрации протонов в вышеупомянутых областях. Сегнетоэлектрический кристалл...

Номер патента: 746264

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Козма, Маслов, Михайлов, Палатник, Фукс

МПК: G01N 23/207

Метки: кристаллов, неоднородностью, периодической, структуры

...Вгю) +аз + Рзсателлиты2- (8 з - 8 з) (Вз 1+В 1 з+Ви Аг 1) (Ви Вгг - Аи А 1 г)+(А 1 г Ви+Аи В 1 г) (Аз - Аэ 1+Аи Ви)14 Третьи Л;(а ) Зо (ак) З;Ог ) оф е8 и 8 - интенсивность 1-тых сателлитов, распоЛоженных со стороны меньших и большихуглов относительно основного рефлекса,Здесь а Ь, и ак, Р, коэффициенты Фурьеразложения периода решетки и структурной амплитуды соответственно, а 1; иЭо - фукнцииБесселя 1-го и нулевого порядка,Из решения системы уравнений находят коэффициенты Фурье-разложения структурной амплитуды а, 1 Зи периода решетки о Ь и,зная концентрационную зависимость структурной50амплитуды и периода решетки, независимо определяют профиль изменения концентрации какпо коэффициентам а, ф, так и по коэффициентам Ь.При упругой...

Номер патента: 543858

Опубликовано: 25.01.1977

Авторы: Батурин, Имамов, Ковальчук, Ковьев, Миренский, Палапис, Семилетов, Шилин

МПК: G01N 23/22

Метки: исследования, кристаллов, совершенства, структуры

...рентгеновских лучей 13, механизм 14 для поворота счетчика излучения 5 относительно осиглавного гониометра 6,25На чертеже обозначено:м0 - ось вращения кристалл-монохроматора;О - ось вращения главного гониометра0-0 - оптическая ось спектрометра;- рентгеновские кванты первичногоизлученияЙ - кванты флуоресцентного излучения;Е - электроны внешней фотоэммиссии,Устройство рабоает следующим образом.Рентгеновские лучи от источника 3 огра-З 5ничиваются по расходимости коллиматором 4,кристалл-монохрома 1 ором 1 и падают подуглом дифракции Ч для выбранной системы кристаллографических плоскостей на исследуемый кристалл 2. Кристалл располо Ожен в геометрии Брагг-дифракции. Дифрагированные им лучи регистрируются счетчиком излучения 5,...