Устройство для получения профилированных кристаллов из эвтектических композиций

(51 30 В 15 БРЕТЕН ДЕТЕЛЬС з распла нороднос ние ние лов, Устр формообра ис гел инсти ель. Ф вып ковой пове грева его б ности прикреплеы с капиллярными ны съемные элеме ои ство зволяет вес аналами. У роцесс выт ист гивания те крис приПолу ЕНИЯ ПРОФИ- ЗВТЕКТИЧЕСплоском фро чены криста ции ИаР-СаЕ тин. Кристал роструктуру ко компози и пласную миквте в стержне ся к техн лы имели однор в вытягиил Примереской компози эвтектияет собо Получениеции КаР-СаР3 представлпечь сопротграфита с вм и внутре в ател илиндр ыполне ческую ную из 7,4 10 6 10 вл я ди нешн метром метром нним д10 м оих ысото анавсоезиг. 4,ое эл ти котор менты 6, лярные к о прикреплены съе а пил енты овых закрепл олец 8.асположравкой ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИПРИ ГННТ СССР ОПИСАНИЕ К АВТОРСКОМУ СВ(54) УСТРО 1 СТВО ДЛЯ ПОЛУЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ Р 3КИХ КОМПОЗИЦИЙ(57) Изобретение относитлогии получения кристалл Изобретение относится к технол гни получения профилированных изд лий вытягиванием из расплава. Целью изобретения является пов шение однородности микроструктурь кристаллов. На фиг1 показана схема устр ства для получения профилированнь кристаллов иэ эвтектических компо ций; на фиг. 2 - разрез А-А на фи Устройство включает тигель 1 дл расплава, установленный в подстав 2 и размещенный в полости нагрева ля 3, соединенного с токоподводом В тигле 1 закреплен сплошной форм образователь 5, к боковой поверхнв которых выполнен налы 7. Съемные эл ны с помощью молибденНад формообразователен затравкодержательО,2а. Обеспечивает пов и микроструктуры йство содержит тиователем (Ф) и налнен сплошным. К В контакт с нагревателем уст ливают термопару ТПП, которую диняют с системой регулировки температуры ВРТ(не показаны).Тигель 1 объемом 5,81 О м сЭ углублением в центре его дна для установки формообраэователя 5 также изготавливают иэ графита,Затравка 10 представляет собой часть кристалла ранее выращенной эвтектической композиции того же состава, что и выращиваемое иэделие. Размеры поперечного сечения затравки 10 выбирают исходя из того, чтобы он покрывал как весь торец формооб рлзовлтеля 5, тдк и кдпиллярцые каналы 7.В качестве затравки 10 может бьтьиспользован моцокристалл более лег 5копллнкого компонента, входящего всостав эвтектической композиции. Формообразонатепь 5 из молибдена представляет собой сплошной стержень ди 3 -2аметром 3 10 м и длиной 4,1 10 м.Изготавливают также устройства, вкоторых Формообраэонатель 5 представляет собой стержень диаметром 1,210 м, а также пластину с попереч.3цым сечением (210) 1 О м, длиной4,1 10 м.Верхний торец Формообразонателя,который является его рабочей поверхностью, обрабать 1 вают на токарномстанке, шлифуют на наждачной бумагес зерном 50/40, 40/28, 28/20, а затем полируют алмазными пастая с зерном 14/10, 10/7, 7/5, 5/3, 2/1,1/О мкм,Капиллярные каналы 7 изготовлены 25из платиновой трубки внутренним диаметром 0,9 10 м, а наружным 1,1"10 м, длиной 2,5 10 м и закреплены на боковой поверхности формообразователя 5 с помощью закрепляющих колец, изготовленных иэ материала, невзаимодействующего с расплавом, в данном случае из молибдена.В углубление тигля 1 устанавливают формообразователь 5, вокруг которого размещают кристаллы ИаГ и СаГв соотношении 58 и 42 об.Б, что соответствует соотношению компонентовв точке энтектики. Затем тигель 1устанавливают ца подставку 2 и помещают в нагреватель 3, после чего припомощи центроночцого кольца производят центровку тигля 1 относительнооси нагревателя 3Устройство помещают н герметичную кристаллизациоцную нодоохлаждаемую камеру (це показана), откачинлкт ее до давления-г1,33 10 Н м , а затем производятнапуск инертного газа до давления5,9 10 Ни . Для нагрева расплавадо необходимой температуры, равной1130 К, и гомогенизации через понижающий трансформатор и токонводы нанагреватель 3 подают напряжение 612 В, 11 осле этого, температуру расплава (Тр) понижают до значения, пре-,нышающего энтектическую температуруна 10-20 С.1 Темперлтуру рдсплдвд подбирают тлк, чтобы тсцпцицл пленки расплава цдд рлбочей поверхностью Ьормообразондтеля 5 це преньш 1 лла 0,3 мм, н конкретном случае Т =1102 К,Прц соприкосновении с рабочей поверхностью затравка 10 подплавляется, образуя тонкую пленку расплава на рабочей поверхности, которая соединяется с расплавом, находящимся в капиллярных каналахВытягивание профилиронанного кристалла ведут с плоским Фронтом кристаллизации, обусловленным плоской изотермой над всей рабочей поверхностью Формообразонателя, исключая места выходов капиллярных каналов.Получены кристаллы в вице стержзней диаметром 410 и 1,2 1 О м и пластины с поперечным сечением (2" 10) 1 О м., На боковой поверхности кристаллов имелись наросты диаметром, равным диаметру капиллярных каналов. Эти наросты легко могут быть сошлифонаны,Металлографическое исследование поперечньх шлифов показало, что микроструктура кристаллов является однородной, морфология фаз одинакова по всей площади поперечного сечения.Кроме того, преимуществом устройства является возможность замены при необходимости как Формообразонателя, так и капиллярных каналов и возможность использования с ними формообразонателей с любой конфигурацией рабочей поверхности.формула и з о б р е т е н и яУстройство для получения профилированных кристаллов из эвтектических композиций, включающее тигель для расплава, размещенный в полости нагревателя, формообразонатель, закрепленный н тигле, капиллярные каналы для подачи расплава на торец Формообразонателя и затранкодержатель с затравкой, установленный над Формообразондтелем, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения однородности микроструктуры кристаллов, формообрлзовлтель выполнен сплошным и снабжен съемными элементами, закрепленными на его боковой поверхности, в которых выполнены капиллярцые каналы.1551749 Составитель Г.Золотоваактор Н,Рогулич Техред М.Дидык А.Обруча оррек аж 342 Заказ 309 одписное роизводственио-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина,ВНИИПИ Государственного 113035, омитета поосква, Жобретениям и открытиям при ГКНТ СССРРаушская наб., д, 4/5