C30B 15/12 — методы двойного тигля

Номер патента: 133238

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронов, Дашевский, Титова

МПК: C30B 15/12

Метки: вытягивания, монокристаллов, полупроводниковых, тигель

...трубкой 3. Во внутренний сосуд 1 помещается навеска материала с примесью в нужной концентрации, которая должна быть равназаданной концентрации в выращивасмом кристалле, поделенной накоэффициент распределения. Во внешний тигель помещается чистыйматериал или материал с примесями выбранной концентрации, Соединительная трубка 8 имеет такую длину и диаметр, при которых можнопренебречь днффузней примеси из внутреннего сосуда во внешний, Поддержание постоянной концентрации примеси в расплавс достигаетсяподпиткой материалом из внешнего тигля. Размеры сообщающихся сосудов и пх соотношение определяются по формуле, в зависимости отприроды лсгирующей примеси.Путем соответствующего подбора формы внешнего тигля осуществляется программнос питание...

Номер патента: 1384209

Опубликовано: 23.03.1988

Авторы: Вернер, Манфред, Рольф

МПК: C30B 15/12

Метки: тигель, холодный

...5 и 6, позволяющих быстро и просто заменитьтрубки 1 и 3 в случае выхода их изстроя. Распределительное кольцо 2 струбками 1 и 3 соединено с несколькими входными и выходными патрубками7 и 8 для охлаждающей среды, Целесообразно для защиты трубок 1 от коррозии наносить на них защитное покрытие. В случае медных трубок хорошозарекомендовало себя родиевое покрытие .толщиной 6 мкм.Дно 9 тигля состоит из опорногоэлемента 10, выполненного из диэлектрического материала, пластины 11из диэлектрического материала, например кварца, инертного по отношениюк расплаву и кольца-держателя 12, 40также выполненного из диэлектрического материала, например оксида алюминия. Основной элемент 10 можетбыть выполнен из термостойкой синтетической смолы. В нем...

Номер патента: 1433420

Опубликовано: 23.10.1988

Авторы: Дитер, Рольф

МПК: C30B 15/12

Метки: тигель, холодный

...имеет центральное отверстие 16, В данном примере круглое отверстие имеет диаметр8 мм, внутренний диаметр контейнера76 мм, высота цилиндрической стенки20 мм а толщина стенки 2 мм,ФКонус соединен со стенкой контейнера 11 таким образом, что образуется выступающая на 2-3 мм кромка17.Стрелками на фиг, 2 и 3 показанонаправление конвекционных токов врасплаве в зависимости от расположения отверстий в контейнере,Устройство работает следующимобразам.Тигель заполняют исходным порошкомграната, например, ЫСаО . Генераторы, возбуждающие индукционные катушки 8 и 9, включают одновременно,Предпочтительно, чтобы энергия пода"валась сначала в элемент 6 через индукционную катушку 9 и нагревала егодо температуры выше точки плавленияматериала граната...

Номер патента: 904347

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Асланов, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/12, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, основе, сложных

...механизма 10 подачи через трубку 11. В процессе подачи шихты образуется слой гарнисажа 15,удерживающий образовавшийся расплав,Различный перегрев расплава определяет эффективность его очистки. Перегревниже 100 С не дает существенного эффектапо очистке сырья и улучшает качество кристаллов незначительно,Перегрев в сторону более высоких тем 10 ператур, свыше 150 ОС, ограничивается температурой плавления материала тигля.Поэтому можно считать предлагаемый диапазон перегрева расплава оптимальным,П р и м е р. Выращивают монокристалл15 УЗА 5-012:Иб, Общий вес загрузки исходного сырья при этом составляет 4200 г.После получения заданного уровня расплава увеличением мощности йсточника индукционного нагрева уменьшают толщину20 слоя гарнисажа...