Способ получения кремниевой структуры
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(21) (22) (71) повышение кристаллического совершен" ства перекристаллизованных областеи,Способ включает нанесение пленки молибдена или вольфрама на одну иэ поверхностей кремниевой пластины, форми рование алюминиевых зон требуемых толщины и конфигурации на противоположной поверхности пластины, причем толщина пленки составляет О, 0 1-0, 1 толщины алюминиевых зон, и перемещение зон в поле температурного градиента через пластину до выхода на ее противоположную поверхность, Способ обеспечивает получение кремниевыхруктур, в которых в перекристалливанных областях по сравнению с проинст (72) П.(57) Изобретениегии полупроводникможет .быть испокремниевых .структизготовления дискинтегральных схем относится к технолоовых материалов изовано для получениур, применяемых дляретных приборов иЦель изобретения ст зо ль тотипом отсутствуют включения второй фазы, а плотность дислокаций снижена до (О, 8-5) 10 см ром методом окна линейн Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов скрытые о етку на п сетки, защ нейные раз положную п вышение к рекри- пластиства мощью вакупленку мол и.мниевуром 76ованную вскрытых в избиратель зоны алюми в н стандартой обра"арушенноостей план которгаю ичес вают пласт поле гради которого с ния ествляют в кремни слой ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМРИ ГКНТ СССРОПИСАНИ ИЭ и интегральных схем.Цель изобретения - сталлического совершен сталлизованных областеП р и м е р 1, Кре ну марки КЗФдиамет шиной 0,5 мм, ориентир правлении 1111, подве ной механической и хим ботке до полного удал го слоя.На одну из и стины наносят окисный фотолитографии вскрывают ой формы шириной 80 мкм. на образуйт прямоугольную верхности пластин, Ячейки пценные окислом, имеют лиеры 40 х 40 мм. На противоверхность пластины с по- мной сублимации наносят бдена толщиной 1 мкм. Во окисном слое окнах методом ого смачивания формируют ия толщиной 20 мкм. Нагрену до 1050 С, помещают в нта температур, величинаОставляет 40 С/см, и осуерекристаллизацию участвой пластины путем пере1578238 стине-источнике - 2 10 см. На одну иэ поверхностей пластины-источника наносят пленку молибдена толщиной4 мкм.Далее из пластин подложки и источника собирают композицию таким образом, чтобы зазор между ними составлял 40 мкм, а пленка молибдена, на,несенная на источник, находилась;с внешней стороны композиции. Капиллярным втягиванием формируютв зазоре между пластинами плоскуюзону на основе алюминия толщиной40 мкм. Перекристаллиэацию пластиныис очника путем перемещения расплавленной роны осуществляют в течение2 ч при температуре 1200 С в поле температурного градиента. Затем полученную структуру охлаждают до комнатнойтемпературы .и сошлифовывают слой толщиной 30 мкм со стороны выхода эоны. Полученная структура и-р состоит из пластины-подложки (и-слой) и перекристаллизованной на ней.пластины- источника (р -слой), Перекристаллизо-. ванный слой однороден по электрофизическим параметрам (разброс удельного сопротивления по площади не превышает 47). Плотность дислокаций в нем-2составляет 8 10 смПредлагаемый способ обеспечивает получение .кремниевых структур,в которых в перекристаллиэованных областяхотсутствуют включения второй Фазы, а плотность .дислокаций снижена до (0,8-5) 10 см . Формула изобретения40 Способ получения кремниевой структуры, включающий формирование алюми-.ниевых зон требуемой толщины и конФигурации на рабочей поверхности пе- .рекристаллизуемой пластины кремнияи перемещение эон в поле температурного градиента через пластину до выхода на ее противоположную поверхность, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с. целью повышения кристаллического совершенства перекристаллизованных областей, перед формированием зонна противоположную поверхность пластины наносят пленку молибдена иливольфрама толщиной (0,01-0,1)1, где1 - толщина алюминиевых зон,мещения эон в течение 4 ч до выхода их на поверхность, покрытую пленкои молибдена. Далее пластину охлаждают до комнатной температуры и сошлифо.) вывают слой пластины толщиной 30 мкм со стороны выхода зон.Полученная структура представляет собой набор изолированных р-и-переходов, обраэбванных сквозными пере кристаллиэованными каналами и неперекристаллизованными областями пластины, Отклонение топологии рисунка эпитаксиальных каналов с обеих сторон структуры не превышает 52 от ши рины каналов. Металлографический анализ структуры показал, что перекристаллизованные области не содержат второй фазы, а плотность дисло:;аций в них не превышает плотности 20 ислокаций в неперекристаллизованных областях и составляет 5.10 смП р и м е р 2 Осуществление способа аналогично описанному в примере 1 при следующих отличиях. На од ной из поверхностей кремниевой пластины в окисном слое с помощью метода Фотолцтографии вскрывают окна диаметром 30, 50, 80 и 100 мкм при расстоянии между ними 500-2000 мкм. На противоположную поверхность пластины наносят пленку вольфрама толщиной 0,2 мкм. Избирательным смачиванием получают точечные зоны алюминия толщиной 20 мкм.Полученная структура представляет собой набор р-п-переходов, образованных цилиндрическими перекристаллиэованными каналами и неперекристал- . лиэованными областями пластины. Отклонение топологии рисунка не превышает 77. от диаметра канала, Перекристаллизованные каналы не содержат включений второй фазы, а плотность дислокаций в них аналогична плотности дислокаций в.неперекристаллизованных областях.П р и м е р 3, Две пластины кремния диаметром 7 б мм, толщиной 0,5 мм,ориентированные в направлении 111,одна.из которых - подложка (маркаКЭФ,- 32), а другая - источник (марка КДБ,02), подвергают стандартноймеханической и химической обработке,Плотность дислокаций в пластине-подложке составляет 5"10см , а в пла
СмотретьЗаявка
4421936, 06.05.1988
НОВОЧЕРКАССКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. СЕРГО ОРДЖОНИКИДЗЕ
БАЛЮК АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ, СЕРЕДИН БОРИС МИХАЙЛОВИЧ, ПОПОВ ВИКТОР ПАВЛОВИЧ, ПОЛУХИН АЛЕКСЕЙ СТЕПАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: C30B 19/02, C30B 29/06
Метки: кремниевой, структуры
Опубликовано: 15.07.1990
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1578238-sposob-polucheniya-kremnievojj-struktury.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кремниевой структуры</a>
Предыдущий патент: Способ формирования износостойких покрытий
Следующий патент: Способ получения анионообменного волокна
Случайный патент: Стенд для исследования торцевого выпуска руды