Способ получения кремниевой структуры

(21) (22) (71) повышение кристаллического совершен" ства перекристаллизованных областеи,Способ включает нанесение пленки молибдена или вольфрама на одну иэ поверхностей кремниевой пластины, форми рование алюминиевых зон требуемых толщины и конфигурации на противоположной поверхности пластины, причем толщина пленки составляет О, 0 1-0, 1 толщины алюминиевых зон, и перемещение зон в поле температурного градиента через пластину до выхода на ее противоположную поверхность, Способ обеспечивает получение кремниевыхруктур, в которых в перекристалливанных областях по сравнению с проинст (72) П.(57) Изобретениегии полупроводникможет .быть испокремниевых .структизготовления дискинтегральных схем относится к технолоовых материалов изовано для получениур, применяемых дляретных приборов иЦель изобретения ст зо ль тотипом отсутствуют включения второй фазы, а плотность дислокаций снижена до (О, 8-5) 10 см ром методом окна линейн Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов скрытые о етку на п сетки, защ нейные раз положную п вышение к рекри- пластиства мощью вакупленку мол и.мниевуром 76ованную вскрытых в избиратель зоны алюми в н стандартой обра"арушенноостей план которгаю ичес вают пласт поле гради которого с ния ествляют в кремни слой ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМРИ ГКНТ СССРОПИСАНИ ИЭ и интегральных схем.Цель изобретения - сталлического совершен сталлизованных областеП р и м е р 1, Кре ну марки КЗФдиамет шиной 0,5 мм, ориентир правлении 1111, подве ной механической и хим ботке до полного удал го слоя.На одну из и стины наносят окисный фотолитографии вскрывают ой формы шириной 80 мкм. на образуйт прямоугольную верхности пластин, Ячейки пценные окислом, имеют лиеры 40 х 40 мм. На противоверхность пластины с по- мной сублимации наносят бдена толщиной 1 мкм. Во окисном слое окнах методом ого смачивания формируют ия толщиной 20 мкм. Нагрену до 1050 С, помещают в нта температур, величинаОставляет 40 С/см, и осуерекристаллизацию участвой пластины путем пере1578238 стине-источнике - 2 10 см. На одну иэ поверхностей пластины-источника наносят пленку молибдена толщиной4 мкм.Далее из пластин подложки и источника собирают композицию таким образом, чтобы зазор между ними составлял 40 мкм, а пленка молибдена, на,несенная на источник, находилась;с внешней стороны композиции. Капиллярным втягиванием формируютв зазоре между пластинами плоскуюзону на основе алюминия толщиной40 мкм. Перекристаллиэацию пластиныис очника путем перемещения расплавленной роны осуществляют в течение2 ч при температуре 1200 С в поле температурного градиента. Затем полученную структуру охлаждают до комнатнойтемпературы .и сошлифовывают слой толщиной 30 мкм со стороны выхода эоны. Полученная структура и-р состоит из пластины-подложки (и-слой) и перекристаллизованной на ней.пластины- источника (р -слой), Перекристаллизо-. ванный слой однороден по электрофизическим параметрам (разброс удельного сопротивления по площади не превышает 47). Плотность дислокаций в нем-2составляет 8 10 смПредлагаемый способ обеспечивает получение .кремниевых структур,в которых в перекристаллиэованных областяхотсутствуют включения второй Фазы, а плотность .дислокаций снижена до (0,8-5) 10 см . Формула изобретения40 Способ получения кремниевой структуры, включающий формирование алюми-.ниевых зон требуемой толщины и конФигурации на рабочей поверхности пе- .рекристаллизуемой пластины кремнияи перемещение эон в поле температурного градиента через пластину до выхода на ее противоположную поверхность, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с. целью повышения кристаллического совершенства перекристаллизованных областей, перед формированием зонна противоположную поверхность пластины наносят пленку молибдена иливольфрама толщиной (0,01-0,1)1, где1 - толщина алюминиевых зон,мещения эон в течение 4 ч до выхода их на поверхность, покрытую пленкои молибдена. Далее пластину охлаждают до комнатной температуры и сошлифо.) вывают слой пластины толщиной 30 мкм со стороны выхода зон.Полученная структура представляет собой набор изолированных р-и-переходов, обраэбванных сквозными пере кристаллиэованными каналами и неперекристаллизованными областями пластины, Отклонение топологии рисунка эпитаксиальных каналов с обеих сторон структуры не превышает 52 от ши рины каналов. Металлографический анализ структуры показал, что перекристаллизованные области не содержат второй фазы, а плотность дисло:;аций в них не превышает плотности 20 ислокаций в неперекристаллизованных областях и составляет 5.10 смП р и м е р 2 Осуществление способа аналогично описанному в примере 1 при следующих отличиях. На од ной из поверхностей кремниевой пластины в окисном слое с помощью метода Фотолцтографии вскрывают окна диаметром 30, 50, 80 и 100 мкм при расстоянии между ними 500-2000 мкм. На противоположную поверхность пластины наносят пленку вольфрама толщиной 0,2 мкм. Избирательным смачиванием получают точечные зоны алюминия толщиной 20 мкм.Полученная структура представляет собой набор р-п-переходов, образованных цилиндрическими перекристаллиэованными каналами и неперекристал- . лиэованными областями пластины. Отклонение топологии рисунка не превышает 77. от диаметра канала, Перекристаллизованные каналы не содержат включений второй фазы, а плотность дислокаций в них аналогична плотности дислокаций в.неперекристаллизованных областях.П р и м е р 3, Две пластины кремния диаметром 7 б мм, толщиной 0,5 мм,ориентированные в направлении 111,одна.из которых - подложка (маркаКЭФ,- 32), а другая - источник (марка КДБ,02), подвергают стандартноймеханической и химической обработке,Плотность дислокаций в пластине-подложке составляет 5"10см , а в пла