Способ выращивания монокристаллов l т о

Номер патента: 1562363

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

ZIP архив

Текст

1562363 кристаллов 1.1 ТаО лимитируется только обьемом загруженного реактива иемкостью рабоцей аппаратуры при процих физико-химицеских параметрах гидротермального процесса,Формула изобретения 20 Составитель Е. ЛебедеваРедактор А, Иотыль Техред Л,Сердюкова Корректор В, Кабаций е е ее е е е е ее ее Заказ 1038 Тираж 344 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент, г. Ужгород, ул. Гагарина,101 П р и м е р 2. В автоклав, футер ванный медью, помещают твердую ФбзУ 1 1 ТаОз, затем заливают смешанный водный раствор 1,1280 и Н 02 концентрацией 25 и 10 мас.Ф соответственно, Объемное соотношение Чь о /5:1,3, а отношение жидкой фа 2 2 фзы к твердой/= 4:1,1. Автоклав герметически закры вют и помещают в двухзонную печь сопротивления. Температура зоны раст" варения равна 430 С, температурный перепад равен 30 С, При данном нагреве давление жидкой Фазы составляет 530 атм. Процесс получения 1,1 ТаО;, протвкает по схеме, описанной в примере 1. Средний размер монокристаллов 1 1 ТдОз от 3 до 4 мм,Предложенный способ эффективен, прост в техническом оформлении, воспроизводим, не требует дорогостоящей футеровки, позволяет получать цистые монокристаллы ЬаТаОз и увеличивать 25 их размеры при пониженных температурНЫх параметрах процесса, цто необходимо для их практического использования в кацестве рабочих элементов в приборах специального назначения.При этом количество получаемых моно 1. Способ выращивания монокристаллов 1,1 Та 01, включающий растворение твердой фазы 1,1 ТаОЗ в водном растворе, содержащем соединение лития и Н 202, и рост кристаллов при высоких температурах, давлениях и нал чии температурного перепада между зоной растворения и зоной роста, о т л ич а ю щ и й с я тем, цто, с целью увелицения размеров монокристаллов, в качестве соединения лития используют 1,д 2 БО, процесс ведут при концентрации Ь 1 БО и Н 202 20-25 и 8- 10 мас. соответственно и их объемном соотношениизо /Ч и оЬ 2 Ф 2 2 ;1,0) - (5,0;1,3), температуре 380- 430 С, давлении 450-530 атм и температурном перепаде 20-30 С.2. Способ по и. 1, о т л и ц а ющ и й с я тем, цто соотношение объемов жидкой и твердой Фаз берут рав" ным (3,0:1,0) - (4,0:1,1).

Смотреть

Заявка

4469417, 29.07.1988

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. С. У. УМАРОВА АН ТАДЖССР

ПОПОЛИТОВ ВЛАДИСЛАВ ИВАНОВИЧ, ЦЕЙТЛИН МИХАИЛ НЕВАХОВИЧ, ЯШЛАВСКИЙ КЕМАЛ СЕЛЕМЕТОВИЧ, ДЫМЕНКО ТАТЬЯНА МИХАЙЛОВНА

МПК / Метки

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов

Опубликовано: 07.05.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1562363-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-l-t-o.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов l т о</a>

Похожие патенты