Устройство для выращивания монокристаллов из раствора расплава

Номер патента: 1574696

Автор: Абдуллаев

ZIP архив

Текст

(21) (22) (46) (71) (72) (53) (56) лов,4380312/31-26 01. 12.8730.06.90. Бюл.24 Дагестанский филиа А. А. Абдуллаев 621,315.592 (088.8) Вильке К.- Т. Выра Л.: Недра, 1977, с. АН ССС истал- 5. иванне к 198 р 2 Я ВЫРАЩИВ ОВ ИЗ РАСТВ(5 НИ УСТРОЙСТВО ДЛ МОНОКРИСТАЛЛ АСПЛАВА Изобретение може РА- Р(57) быть исполь ла и ретен ащивания монокриссплава, содержащее еющую загрузочный ю в двухзонной печи, о, с целью управлераствора-расплава, иде трубчатой рамы, ю.цим патрубком, зающий патрубкн соев верхнем горизонатой рамы, а вертиазмещены в разных госудАРстееннцй комитетПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ И К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ Изобретение относится к технике выращивания монокристаллов, используемых в полупроводниковой промышленности.Целью изобретения является управление скоростью потока раствора-расплава.На чертеже представлено устройство, общий вид.Устройство содержит кварцевую Ампулу 1, выполненную в виде трубчатой рамы с присоединенными к ее верхнему горизонтальному участку загрузочным 2 и подпиты-. вающим 3 патрубками. Подпитывающий 3 и загрузочный 2 патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле 1 При этом подпитывающий патрубок 3 запаян с одного конца и изогнут вверх. Ампула 1 размещена в двухзонной печи 4 так, что ее вертикальные участки размещены в разных температурных зонах.Устройство работает следующим образом.Смесь безводного Сг, Сз, Сд и Яе, взятые в соотношении 1:2:2, загружают в ампулу 1 через загрузочный патрубок 2. В процессе загрузки в ампулу 1 помещают затравки. Затем ампулу 1 откачивают до 50мм рт. ст, и запаивают загрузочный патрубок 2. Ампулу 1 устанавливают в печи 4 патрубками 2 и 3 вверх. Включают Я 111 5746 ре вано в полупроводниковои промышленности, Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы. Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающим пагрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула установлена в двухзонной печи. При этом вертикальные участки трубчатой рамы размещены в разных зонах печи. Устройство используют для получения монокристаллов, например Сд Сг 2 Яе 4. 1 ил. печь 4, устанавливают температуру в зонах печи 740 и 760 С. После стабилизации температур в зонах корректируют положение ампулы 1 так, чтобы вертикальные участки рамы были при температурах 760 и 740 С соответственно. При этом происходит перемешивание раствора-расплава в трубчатой раме без нарушения режима кристаллизации. Подбором соответствующих тем ператур Т, и Т обеспечивается возможность управления скоростями конвекционных потоков. Устройство предназначено для получения монокристаллов, например С 4 Сг 5 е,Форму зоб ч Устройство для выр таллов из раствора-ра кварцевую ампулу, им патрубок и размещенну отличающееся тем, чт ни я скоростью потока ампула выполнена в в снабженной подпитыва грузочный и подпитыва динены между собой тальном участке трубч кальные ее участки р зонах печи, 157469 бН, ук Производстве Редактор НЗаказ 1761ИИПИ Гасу Составитель даШ выдкая Техред А. КравчТираж 344арственного комитета по изобретения113035, Москва, Ж - 35, Раушскано.издательский комбинат Патент,ыдоваКорректор Л, ПатайПодписноеи открытиям при ГКНТ СССРнаб., д, 4/5

Смотреть

Заявка

4380312, 01.12.1987

ДАГЕСТАНСКИЙ ФИЛИАЛ АН СССР

АБДУЛЛАЕВ АБДУЛЛА АЛИЕВИЧ

МПК / Метки

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава, раствора

Опубликовано: 30.06.1990

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1574696-ustrojjstvo-dlya-vyrashhivaniya-monokristallov-iz-rastvora-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Устройство для выращивания монокристаллов из раствора расплава</a>

Похожие патенты