Устройство для получения монокристаллических слоев

своз советснихсоцидлистичесниРЕСПУБЛИН 15554 ОО А 1 5 С ЗОВ 23/О ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ЕТЕЛЬСТВУ АВТОРСКОМ ехн м,.ОНО спользоиковых е и может бь здания полуп воднив ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТпО изоБРетениям и ОТКРытиямПРИ ГКНТ СССР(56) Данилин Б.С. Вакуумная тв производстве интегральных сИ.: Энергия, 1972, с. 1 11.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯКРИСТЛЛЛИЧЕСКК 1 СЛОЕВ(57) Изобретение может быть ивано для создания полупроводн Изобретение от лупроводниковой техник ть использовано для со роковых приборов,11 елью изобретения является получение слоев с идентичными параметрамина двух противополояных сторонах под"ложки.На чертеже представлено устройсто, общий вид.Устройство содержит несущее основание 1, на котором закреплена рамка2 из измерительной стали, Рамка 2 выполнена раздвижной в вертикальном игоризонтальном направлениях и служитдля изменения относительного расположения и крепления на ней узлов устройства, На основании 1 установлениспаритель 3 с испаряемым веществом,подогреваемый спиралью 4, Устройствоснабжено двумя тепловыми дефлекторами 5, соединенными с испарителем 3при помощи паропроводов 6. Последниесоединены между собой горизонтальной приборов и обеспечивает получениеслоев с идентичными параметрами надвух противоположных сторонах подложки. Устройство содержит вакуумную камеру с испарителем. Над испарителемразмещены два тепловых дефпектора;соединенные с испарителем паропроводами. Между собой паропроводы соединены горизонтальной трубкой, в которой размещена подложка. Де.лекторызакреплены шарнирно с воэможностьюизменения угла наклона в вертикальной и горизонтальной плоскостях. 1 ип.: трубкой 7, в которой на равном рас стоянии от дефлекторов 5 размещена подложка 8, снабженная нагревателем 9. Трубка 7 имеет индивидуальный нагрев.Каждый тепловой дефлектор 5 имеет сферическую отражающую поверхность,. рана выполненную из пластины, спираль 10, фд юстировочные 11 и фиксирующие 12 винты. Крепят дефлекторы щарпирно в С верхней части рамки 2 с воэможностью изменения угла наклона при помощи юстировочных винтов 11 как в вертикальнри так и в горизонтальной плос костях, что позволяет ориентировать поток частиц испаряемого вещества в нужном направлении. Угловую ориен- тацию дефлекторов 5 осуществляют юстировочными винтами 11, Расстояние 1 в между.дефлектором 5 и подложкой 8 30 мм, от испарителя 3 до центра отражающей поверхности теплового дефлектора 5 60 мм. Расстояние меяду элементами устройства регулируют с . помощью рамки 2.Устройство работает следующим образом.Напыляемое вещество - селен помещают в испаритель 3, Верхняя сдсть испарителя 3 закрыта заслонкой (не показана), Все устройство помещено в вакуумную камеру (не показана), которую откачивают до давления остаточных газов 5 10 -10 мм рт.ст. Одновременно с откачкой производят нагрев испарителя 3 до 250 С для удаления газов, .содержащихся в селене, тепловых дефлекторов 5 до 230-250 С, паропровода 6 и трубки 7 до 225 С, подложки 8 до 180-190 С. Температуру каждого дефлектора контролируют индивидуальными термопарами и в процессе напыления корректируют. Подложка 8 экранирована от теплового поля трубки 7, После установления указанных режимов температуру испарителя 3 уменьшают до 220 С и открывают заслонку, начинается процесс напыления,Поток молекул и частиц испаряемо го вещества, покидая поверхность расплава, поступает по паропроводу 6 к дефлекторам 5, тепловое поле которых приводит к перераспределению собственной энергии частиц и позволяет по лучить усредненный по энергии и скорости молекулярный поток и направляет его к подложке 8, Собственную энергию частиц испаряемого вещества, попавших в тепловое поле дефлектора 5, можно35 выразить через коэффициент аккомодации, описывающий поведение молекулярного газа вблизи нагретой поверхности.Тепловым полем дефлекторов 5 можноизменять не только энергию частиц, нои управлять скоростью роста пленки иконцентрацией молекулярного пучка и,как следствие этого, увеличивать получения качественного, однородногопо толщине монокристаллического слоя,Это дает возможность использоватьпредлагаемое устройство для серийногонапыления монокристаллических слоевселена при изготовлении приборов сдвумя идентичными рабочими поверхностями. качество монокристаллическихслоев контролируют электронограммами. Формула изобретенияУстройство для получения монокристаллических слоев, включающее вакуумную камеру, размещенный в ней испаритель и установленную над ним подложку, сцабженную нагревателем, о тл и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью получения слоев с идентичными параметрами на двух противоположных сторонах подложки, устройство снабжено двумя тепловыми дефпекторами, соединенными с испарителем паропрово" дами и между собой горизонтальной трубкой, в которой размещена подложка на одинаковом расстоянии от дефлекторов.1555400 Составитель И.Давьдова дактор О, Голов ач Техр ец А. Кравчук Корректор.Л. Бескидписно Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагари Заказ 540 Тираж 341ВНИИПИ Государственного комитета по из113035, Москва, Ж,етениям и открьггиям при ГКНТ ССущская наб., д, 4/5