Способ получения пленок n о

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН НИЕ БРЕТЕН А ВТОРСКОМУ С ТЕЛЬСТВУ 98957 .01.8 ,06.8 ится к ростук получению оксидов метальностью термоБюл. У 24 А,А,Соко при высоких яет повысит 8)у 1.,Рег 1 пвесггоп сгапяог п 1 оЬ 1 пш 74, Р 52,ь пленок з эпи- ат 1 10 кту паряют давлен на мон окриснную изиния,чаютИЬО-,ивостью я С.В.,и оГ .Ро 1 усгуяЬу ярцгГег 1 пд.3, У 11, р.462 пол ал К. Полу состава устоич 1 табл ри пия к получениюк оксидов ме аллов и относи пле таксиальн стаб элек постыл те при высок обладающи трических пературахЦелью т вои зобрете ической повы- пленок я является стойчивост ие терм структуры ения а счет у эпитаксиальной В вакуумн кислорода камереи давпос- гольП р и м е р 1. создают атмосферу ленин 1 10 Торр о тоянного потекания еспечение с помощью ругих ан атого вентиля при с влени парциально газов5 10 ичивость эпитакнивают по харакменений, проислон 7 ру структурных ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРНЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР.1.РЬуя., 192272-2280.М. И. С., БЬогпаБ., Ргерагаг 1 оЕ 11 щя оЙ МЬОе 1 Г., 1985, ч. СОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ИЬО.Изобретение касается рост спарения ниобия испол электронно-лучевую пушку с от нием луча в магнитном поле на(57) Изобретение относкристаллов, конкретноэпитаксиальных пленоклов, обладающих стабилэлектрических свойствтемпературах, и позволтермическую устойчивоссчет улучшения их струтаксиальной. Ниобий исмосфере кислорода при3 1 О Торр и осаждаютталлическую подложку,фторфлогопита или оксиднагретую до 1050-1150эпитаксиальные пленкибладающие термическойпри нагреве до 1150 К. с катодом, полностью оптически заэкранированным от испаряемого источника и подложки. Ниобий помещают в центре медного водоохлаждаемого тигля и испаряют. Осаждение ниоби производят на монокристаллическую подложку иэ фторфлогопита, нагретую до 1100 К, со скоростью 2 А с-, При таких условиях на подложке получают эпитаксиальную пленку состава КЬО .Фазовый состав и кристаллическую структуру пленки исследуют на электронном микроскопе ЭМВл. Электронно-графическим анализом показывают, что пленка диоксида ниобия монофазна по составу и эпитакспальна по структуре.Термическую устосиальной пленки оце1490167 25 лице. Температураподложкиград, К Давление кислорода, Р,Торр 5 1 О 1 10 1100 1100 5 103 10810 1100 1100 1100 1 10 1000 1 10 1 1 О 1050 1150 1 10 1 10 1200893 ходивших при нагреве непосредственно в колонке электронного микроскопа. Нагреву подвергают двухслойные элементы пленка-подложка толщину коФ5 торых берут соответственно 50 и 10 нм, Такой элемент получают при отделении пленки с помощью желатины от подложки, когда вместе с пленкой отрывается тонкий слой слюды.10При нагреве до температур ниже 1150 К в пленке каких-либо заметных изменений структуры или фазового состава не наблюдают. При нагреве до температур выше 1150 К фиксируют начало взаимодействия пленки с моно- кристальной подложкой, что ведет к образованию новых фаэ и нарушению однородности пленки.П р и м е р 2. Процесс проводят, как в примере 1, но изменяют давление кислорода и температуру подложки.Данные по структуре и термической устойчивости пленки приведены в табП р и м е р 3. Процесс проводят, как в примере 2, но подложку выполняют из кристалла оксида алюминия, 1 Характеристика структуры и термической устойчивости полученных пленок та же, что в таблице.Таким образом, способ позволяет получить эпитаксиальные пленки ИЬО которые обладают эпитаксиальной стру" ктурой, высокой термической устойчивостью до 1150 К, в то время как по способу-прототипу пленки ИЬО растут только поликристаллическими и при нагреве выше 900 К претерпевают структурные изменения. Формула изобретения Способ получения пленок МЬО, включающий испарение ниобия в атмосфере кислорода при заданном давлении и осаждение его на монокристаллическую нагретую подложку, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения термической устойчивости пленок за счет улучшения их структуры до эпитаксиальной, осаждение ведут на подложку из фторфлогопита или оксида алюминия при ее нагреве до 1050-1150 К и давлении кислорода 110 - 310 Торр. Структура и термоустойчивостьпленки ГетерофаэнаяЭпитаксиальная (монофаэная),термоустойчива до 1150 КЭпитаксиальная (монофазная),термоустойчива до 1150 КЭпитаксиальная (монофазная),термоустойчива до 1150 КПоликристаллическая, термоустойчивость снижается при длительностинагрева более 1 чПоликристаллическая, термоустойчивость снижается при длительности нагрева более 1 чЭпитаксиальная, термоустойчива до1150 КЭпитаксиальная, термоустойчивадо 1150 КГетерофазнаяПоликристаллическая, термоустойчйва до 900 К