Полупроводниковая линия задержки

О П И С А НЙ Е (11ИЗОБРЕТЕН ИЯ т. свид-ву 1) 2040548/ 6 1 т С 11/40НОЗ Н 7/3 ая присоединен Государственный немет Совета Мннестров ССС по делам нзобретеннй н отнрытнй(54) ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЛИ АДЕРЖК Известнькаждая ячей ит изкостью также искажаовышение точ(61) Дополнительное к а(45) Дата опубликования Изобретение относится к области вычислителой техники. олупроэодниковые линии задержки, передающей цепочкй которой состо- ДП - транзисторов с увеличенной емсток, расположенных так, что сток одного служит истоком другого, затвор одного МДП-транзистора подключен к первой тактовой шине, затвор другого - ко второй 111,Однако в таких линиях задержки искажается 10 задержанный сигнал, что связано с потерями при переносе заряда. Наиболее близким техническим решением кданному изобретению является полупроводниковаялиния задержки, содержащая цепочку последова. 15тельно соединенных МДП - транзисторов, причемзатворы нечетных транзисторов подключены к пер.вой тактовой шине, затворы четных - ко второйтактовой шине, и накопительные конденсаторы,включенные между стоками и затворами транзисторов 2,В такой линии задержки сигналется из- за потерь при переносе зарядаЦелью изобретения является пности работы линии задержки. 25 Эта цель достигается введением в предложенную линию задержки управляющей и разряднойшин и ключей, зыполненных на МДП - транзисторах,Затворы МДП- транзисторов ключей подсоединенык управляющей шине, стоки - к разрядной, аистоки - к стокам соответствующих четных транзисторов цепочки.Полупровоцниковая линия задержки представ.лена на чертеже.Она содержит цепочку последовательно соединенных МЛП - транзисторов 1 - 6 (затворы нечетныхтранзисторов подключены к первой тактовой ши.не 7, а затворы четных - ко второй тактовойшине 8), накопительные конденсаторы 9 - 14, включенные между стоками и затворами транзисторов,управляющую 15 и разрядную 16 шины, ключи наМДП - транзисторах 17, 18, затворы которых присоединены к управляющей шине, стоки к разряднойшине, а истоки - к стокам каждого четвертоготранзистора цепочки, например к стокам транзисторов 2,6 4 п - 2,., где о целое число.Полупроводниковая линия задержки работаетследующим образом,Информатптонньте заряды размещены в каждомщтвертом накопительном конденсаторе, напри.527739 Составитель Л, ЛиповецкаяТехред И, Асталои корректор Л. Веселовская Редактор Л. Утехина Заказ 917/Зб Тираж 720 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по лелем изобретений н открьпий 113035, Москва, Ж, Раушская иаб., д, 45филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная, 4 мер 9 и 13. Под действием тактовых импульсов информационные заряды перемещаются вдоль цепочки. На шину 15 и 16 поданы импульсы с часто. той в два раза ниже частоты импульсов, поданиьи на тактовые шинъь Благодаря такой тактировке разрядные ключи действуют только в то время, когда информационные заряды не находятся в конденсаторах (10, 14), к которым эти ключи присоединены и информационные заряды не разру шаются, В этих конденсаторах находится часть информационных зарядов, потерянная из основных пакетов заряда за счет неэффективности переноса. Эта часть зарядов удаляется в разрядную шину и не создает фазовых сдвигов передаваемого сигнала.При другом способе функционирования на ши. ну 16 подано такое постоянное напряжение, при котором в моменты действия ключей 17, 18 в конденсаторы 10, 14 вводятся заряды из шины 16.Таким образом в ячейках, свободных от инфор мационных зарядов, создается фоновый заряд, компенсирующий потери информационных зарядов, н следовательно, отсутствует искажение сигнала при его передаче, что повышает точность работы полупроводниковой линии задержки,4Предложенная линия задержки может быть построена на основе цепочек с зарядовой связью других типов. 5Формула изобретенияПолупроводниковая линия задержки, содержа.щая цепочку последовательно соединенных МДП - транзисторов, причем затворы нечетных трап.эисторов подключены к первой тактовой шине, затворы четных - ко второй тактовой шине, и накопительные конденсаторы, включенные между стоками и затворами транзисторов, о тли ча- ющая тем, что, с целью повышения точности работы, она содержит ключи, выполненные на МДД - транзисторах, управляющую и разрядную шины; причем затворы МДП-транзисторов ключей подсоединены к управляющей шине, стоки - к разрядной, а истоки - к стокам соответствующих четных транзисторов цепочки.Источники информации, принятые во вниманиепри экспертизе:1, Патент США 340 - 173 84 3660697 от 02.05.197 2 г.2. РЬ Рв ТесЬпса Велецч, том 31, 1970, У 4,стр. 106-107.