Штельмахов

Номер патента: 864337

Опубликовано: 15.09.1981

Авторы: Гончарова, Косинов, Рабинович, Штельмахов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...проводом; на фиг. 2 поло жение в зеве стержня с проводом; на фиг, 3 - операция удаления ограничительного стержня.Схема осуществления предлагаемого способа содержит технологические струны 3 (фиг. 1),при взаимном смещении которых образуется прямой зев 2, подготовленный для формирования очередйого полувитка плетеной обмотки, в который вводится ограничительный стержень 3 вместе с проводом 4. Провод 4 пропущен через сквозное отверстие 5, выполненное в ограничительном стержне по центру вдоль его оси. После зажа - тия стержня 3 с проводом 4 технологические струны 1 перемешают, образуя обратный зев 6 (фиг. 2).Способ осу.иествляют следующим образом.При изменении зева 2 на обратный 6 (при регулировании зева 2) струны 1 зажимают ограничительный...

Номер патента: 842959

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Гончарова, Косинов, Рабинович, Штельмахов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающихустройств, магнитныхпленках, матриц, цилиндрических

...удаляют основной и дополнительный ограничительные стержни. На фиг. 1 схематически показана операция ввода дополнительного ограничительного стержня; на фиг. 2 - операция выравнивания усилий зажатия основного ограничительного стержня; на фиг. 3 и 4 - соответственно, операции удаления основного и дополнительного ограничительного стержня.Устройство для изготовления матриц ЗУ на ЦМП (фиг. 1) содержит технологические струны 1, при взаимном смещении которых образуется прямой зев 2, подготовленный для формирования очередного полувитка вплетаемой обмотки, в который вводится провод 3 и основной ограничительный стержень 4, после зажатия которого струнами 1, переведенными в обратный зев 5, вводится дополнительный ограничительный стержень...

Номер патента: 714495

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Арсентьев, Лысый, Штельмахов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...проводником,.что приводит к необходимости увеличения угла прокладок провода, а это приводит к увеличению длины проводника в зеве, что вызывает дополнительную дефор 5мацию сформованных полуволн при подбивке сформованного провода к адреснымобмоТкам, увеличение толщины сплетенного полотна и нарушение шага между струнами. 1 ОПри этом происходит также сжатиеструнами полуволн этого провода и изменение их формы, что влияет"на амплитуду магнитного поля внутри волувитка;а следовательно, и на величину выходного сигнала, уровень помех и степень влияния адресных обмоток друг на друга.Цель изобретения - повышение технологичности изготовления запоминающихматриц. 20Поставленная цель достигается путемтого, что в известном способе располагают...

Номер патента: 714491

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Арсентьев, Лысый, Штельмахов

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...растягивающие осевые усилия иреакция жесткого упора, направленная перпендикулярно его основанию в вертикальном направлении, Участки струн между45линиями защемления у начала спттетенногополотна в ремизных рамах и местом ихсмещения жестким упором жестко закреплены в двух точках, дополттительно натя:нуты упором и лишены возможности пере 50.мещаться в вертикальном направлении,Необходимую жесткость положепия участ" ков струтт достигают перемещением местасмещения струн относительно нейтрального их положения и велттчийойусттлия на 55тяжеттття этих струн в осером направлении.На разведенные в зев струны действуют растягттттатошттте осевтте усилия и удерживающая струны сйла, ттаправлепная вео 91 4тикально в направлении разведения струн.При...

Номер патента: 627189

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: C25D 21/12

Метки: магнитных, пленок, тонких, цилиндрических

...электрополировки и промывки водой, ячейку 4 предварительного электролитического осаждения немагнитного подслоя ячейку 530электролитического осаждения магнитнойпленки, узел 6 контроля свойств участков осаждаемой пленки, ячейку 9 длянанесения и сушки электровлагозащитного покрытия и ячейку 10 термомагнит 35ной обработки,Сигнал, пропорциональный контролируемому параметру, например, магнитномупотоку насыщения, участка осаждемойпленки с выхода узла 6 контроля и фор 40мирования сигнала угравления поступаетна вход узла 7 управления режимами процессов электролиза ячеек 4 и 5 электролитического осаждения немагнитногоподслоя и магнитной пленки, например45управления режимами токов осажденияячеек 4 и 5. Узел 6 формирует...

Номер патента: 604030

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Арсентьев, Кравченко, Штельмахов

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, мариц, пленках, устройств, цилиндрических

...матриц по предлагаемому способу; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - сечение А - А фиг, 1; на фиг. 4 - схема последовательной формовки витков адресного провода поочередным опусканием каждой в отдельности технологической струной.Устройство для осуществления предлагаемого способа изготовления матриц ЗУ на ЦМП содержит технологические струны 1, 2, 3, 4 п, натянутые,на рамку 5 ткацкого станка, ремизки 6, 7, 8, 9 п для перемещения струн 1, 2, 3, 4 п, адресную обмотку 10, прокладыввемыйвадресный провод 11, подпружиненный челнок (катушку) 12, зев 13, образованныи перемещениемремизок 7 и 9 вверх и ремизок 6 и 8 вниз, ограничитель зева 4 и батан 15. 20 Предложенный способ осуществляется следующим образомРемизки 7 и 9 вместе с...

Номер патента: 554514

Опубликовано: 15.04.1977

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, однородности, пленок, способа, тонких, цилиндрических

...измеряют амплитуду (Е,) и фазу (ф) напряжения третьей гармоники вторичной э.д.с.; из выражений (5) и (6) определяют требуемые значения Лд и ЛВ которые могут быть определены из графического построения (фиг, 1). Для этого измеряют амплитуды и фазы напряжения третьей гармоники вторичной э.д.с, в соответствии с выражениями (15) для вычисления коэффициентов.По измеренным значениям амплитуд ц фаз напряжения третьей гармоники вторичноц э,д.с. в выбранном масштабс ца график наносят точки О, В и С. Через точки О и В, О и С проводят отрезки прямых, которые являются направлениями изменения малых приращений толщин (Лд) магнитного слоя и индукции насыщения (ЛВ,) участков образцов ЦТМП; измеряют амплитуду (Ет,) и фазу (ф) напряжения третьей...

Номер патента: 536449

Опубликовано: 25.11.1976

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитных, параметров, пленок, тонких, цилиндрических

...э, д. с, при ,пвремагничивании пленки сцнусоидяльным полем по оси трудного намагничивания и разрушении до нуля остаточной индукции пленки постоянным полем ло оси легкого 1 намагничивания свидетель ствует о величине разрушающего поля, рав. ного,коэрцити 1 вной силе пленки (см. фиг. 3, в).Напряжение, пропорциональное намагничивающему току с выхода усилителя мощности 2, лоступает на вход управляемых ключей 7 и 9,;которые,в зависимости от условий работы формирователей б и 8, пропускают или задерживают прохождение этого напря 536449жения ца соотзетстзуюгцие входы блока регистрации 1.Чля азтомати:еской регистрации амплитуды напряжения, пропорционального цалагцичивающему току, когда намагничцзающес поле лс:тпгает значения, равного полю...

Номер патента: 535615

Опубликовано: 15.11.1976

Авторы: Тульчинский, Штельмахов

МПК: H01H 29/04

Метки: движущейся, контакта, нити, обеспечения

...в вертикальном канале, уплотняющимэластичным кольцом с прорезями для проходанити, и жестким промежуточным кольцом,5 укрепленными на корпусе устройства зажимной гайкой,На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на иг. 2 - вид слева (выфрыв).20 Устройство имеет корпус 1 из твердого диэлектрика, несмачиваемого жидкой средой, в котором выполнены вертикальный канал 2 с жидкой средой 3, например ртутью, капиллярные каналы 4 и горизонтальный канал 5, со единяющий каналы 2 и 4 в систему сообщающихся сосудов. В верхней части корпуса имеется горизонта, льный канал в виде открытого сверху паза 6, шириной больше диаметра нити (провода) 7, и глубиной, ниже уровня жидкой 30 среды 3 в канале 2, который проходит через53565 10 ар...

Номер патента: 530352

Опубликовано: 30.09.1976

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G11C 11/155

Метки: магнитных, пленок, тонких, цилиндрических

...ферромагно- т 5 сплава на Йемагнитную проволочную оси ву 2 и измеритель 3 магнитного потока натя, сыйения слоя ферромагнитного сплава, Иэ-меритель 3 соединен с блоком 4 сравнения е результата измерения магнитного потока на- с 2 О сышения слоя ферромагнитного сплава с эталонным магнитным потоком насышения, Вы-1 осчи ход блока 4 соединен с регулятором 5 алектролитического тока осаждения ферромагиит о- ного сплава, подипоченньтм к входу узла 1.,2 Ь Изготовление цилиндрических тонких маг 3а пленок сотласно предлагаемому оно: обу происходит слеруюшим образом,Нй перемещаемую немагнитную проволоч-.ную основу 2 посредством узла 1 произвоэлектролитическое осаждение слоя фер- Ьмагнитного сплава. Непосредственно посж лектролитического осаждения...

Номер патента: 503193

Опубликовано: 15.02.1976

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких, участков, цилиндрических

...причем вход формирователя подключен к выходу избирательного усилителя, вход ключа - к выходу усилителя мощности, а выход ключа - к регистрирующему прибору.На чертеже дана блок-схема предлагаемого устройспва.Устройст последовательно мощности, прох ельного усилителя яющего напряжени гистрирующего прибора 7 и модулятора 8, поченного к усилителю 2 мощности, причеключа подключен к выходу усилителя 2 щности,5 Устройство работает следующим образом.При помощи генератора 1, усилителя 2мощности и датчика 3 создается переменноемагнитное поле, перемагничивающее испытуемые участки пленки до насыщения вдоль0 трудной оси намагничивания. Сигнал, пропорциональный величине перемагничивающеготока, через ключ 6 поступает на регистрирующий прибор 7.В...

Номер патента: 468200

Опубликовано: 25.04.1975

Авторы: Лысый, Штельмахов

МПК: G01R 33/00

Метки: анизотропии, длине, магнитных, пленок, поля, тонких, цилиндрических

...намагничиваюшего поля.Если кривую намагничивания вдоль трудной оси представить в виде ломаной линии, первый участок которой проходит через начало координат под некоторым углом, а второй параллелен оси абсцисс, то пересечение обоих участков происходит в точке с координатами, соответствующими полю анизотропии (Нк) и индукции насыщения (ЬС),При воздействии на участке пленки синусоидального намагничивания поля индукции в пленке будет изменяться по гармоническому закону только на линейном участке кривой намагничивания. На втором участке кривой в ее составе появляются нечетные высшие составляющие, из которых максимальной амплитудой обладает третья гармоника. В составе вторичной, д. с, намагничиваюшего тока также повляются гармонические...

Номер патента: 171595

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Корниенко, Штельмахов

МПК: B23Q 17/20, G01B 5/08

Метки: диаметров, карусельных, крупных, станках

...позицию служит ме ханизм перемещения И, управляемый с подвесного пульта.10 Измерение с помощью предлагаемого устройства производится следующим образом.После установки детали 14 на планшайбе станка в центре планшайбы располагают калиброванную стойку 15 известного диаметра 15 а. Штихмассом измеряют расстояние 1 от калиброванной стойки до нулевой отметки линейки б. После этого на измерительную позицию устанавливают подвижную вспомогательную базу и с помощью нониуса по линейке 6 20 определяют величину г., т. е. расстояние соответствующей струны вспомогательной базы от нулевой отметки мерительной линейки, Затем микровинтом 11 оазовый наконечник 10 выставляют в плоскости измерения, совмещая 25 его конец с плоскостью,...