Запоминающая матрица

О П И С А Н И Е ( ) 52774 ЗИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Республик45) Дата опубликования писания 07,07.7 72) Авторы изобретени. Остапенко, В. А. Степанов, В. В. Головатенко и Ю. П. Панев рдена Ленина институт кибернетики АН ССС 71) Заявит ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТ Изобретени к области вычислител Постав л тноситя жет быт гается путем тог ержащая число те первым изол торым изоляцио о материала, ра яционного слоя, слой, располож я цель дос ои техники и мо оьлении устройс пользовано при изгодискретной информазапоминаю ая матрица, со ны, разделеннь охваченные хран азрядныеным слоемслоем, и сл и,Известны зап минающиесловые и р магии томягк матрицы, сазрядные11, 21 ержащие тны, разесекающие енныи по х второго изолзоляционный ер жит третин оверх слоя ный слоем мые изоляционным слоемдна из известных зало ле магнитомягкого нитотвердого м материала и охвте риала. чен минающих матриц сошины. разделенныенные м; нитопровоматрицы являютсь держит числовые и разрядные изоляционным слоем и охваче дом 11. Недостатком этой малые выходные сигналы. На фиг. 1 изоб ловых и разряднь на фиг. 2 - сечени временная диагр кена схема расп ожения чисй матрицы: на фиг. 3 - тов памяти гх шин запоминающ е по А - А на фиг, 1амма работы элемен лес близким техническим решением к изобретению является запоминающая которая содержит числовые и разрядные деленные первым изоляционным слоем и данному матрица матрицы. Матрица 1 содешины, разделенные разрядные 3 ым слоем 4 поем 5. Слой жсн поверхизоляционачен слоем а т числовые охваченные вторым изоля магнитомягкого материал ционным слоем, и слои а, расположенный поверх оя 21. Однако в такой первым изоляционнм изоляционным с и охваченные вто орого изоляционного магнитомягкого м второго изоляционн ньтй слой 7 - по атериала 6 располо ого слоя 5, а третий верх слоя 6 и охв атериала 8. Сой 7 реднения характерагнитой рдого мат взанействия ме матрице невозможна см ко заданной конфигур информации из-за жестэлементов памяти на блонов числовых шин.е изготовления ото магнитот ердого мпредотвращения усмагнитомягкого и мзультате обменного истик слоем ериалов в реЦелью изобретения является расширение обласрименения запоминающей матрицы. у ни Государственный комитет Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий10 Параметры магнитных слоев выбраны таким образом, что при намагничивании слоя 8 внешним полем, направленным вдоль участков элементов памяти АВ - ДС, ЕР - ММ, размагничивающее поле этого слоя больше поля насыщения магнитомягкого материала, а магнитный поток слоя 8 полностью замыкается через слой б.Матрица работает следующим образом.Запись информации осуществляется с помощью блока, намагничивающего элементы памяти матрицы в соответствии с заданным кодом и выполненного в виде отдельного устройства, например, блока магнитных головок. При записи "нулей" под действием поля, создаваемого блоком магнитных головок, намагничивается слой 8 вдоль участков элементов памяти АВ - ДС, ЕР - КМ. При этом маг. нитный поток слоя замыкается через слой 6. При записи "единицы" под действием поля, создаваемого блоком магнитных головок, размагничивается слой 8, внешнее поле этого слоя исчезает, и слой 6 выходит из насыщенного состояния (фиг. 1 и 2).При считывании информации по выбранной числовой шине подается импульс тока считывания Зсч При этом в элементах памяти, которые находятся в состоянии "единицы"перемагничивается слой 6, так как он выведен из насыщения, В результате в разрядных шинах индуцируется э.д.с. "единицы". В элементах памяти, которые находятся в состоянии "нуля", слой 6 не перемагничивается,так как он находится в насьпцении под действием поля магнитотвердого материала, которое существенно превосходит действующее поле, создаваемое током Дсч. В результате в разрядных шинах сигнал отсутствует (фиг. 3).Введение дополнительных слоев изоляционного и магнитотвердого материалов позволяет менять информацию под действием внешних полей, что расширяет область применения матриц. Формула изобретения Запоминающая матрица, содержащая числовые и разрядные шины, разделенные первым изоляционным слоем и охваченные вторым изоляционным слоем, и слой магнитомягкого материала, расположенный поверх второго изоляционного слоя, о тлича ю;цаяся тем, что, с целью расширения области применения матрицы, она содержит третий изоляционный слой, расположенный поверх слоя иагнитомягкого материала и охваченный слоем магнитотвердого материала.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1, Брик Е. А. техника постоянных запоминающих устройств", Изд.во" Советсткое радио", 1973 г., стр. 63.2. Бардиж В. В. Магнитные элементы ЦВМ". Изд - во Энергия" 1974 г стр. 441..г Редактор Л. Утехина аказ 917/3 ПодписноеСовета Министров ССоткрытийск ая наб., д, 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Составитель Ю, РозентальТехред И. Асталош Тираж 720И Государственного комитета по делам изобретений 113035, Москва, Ж - 35, Рау Корректор Л. Веселовск