Накопительное устройство

Номер патента: 1023579

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Беньковская, Шацкий

МПК: H02M 3/06

Метки: включения, повторного, шин

...потребителей,Цель изобретения - повышение эфФективности АПВ шин при устойчивомкоротком замыкании на присоединении иодноврвменном отказе выключателя данного присоединения и сокращение,темсамым, длительности перерыва электроснабжения потребителей,Поставленная цель достигается .45твм, что согласно способу АПВ шин,:снабженных УРОВ, путем отключениявсех выключателей присоединений при, коротком замыкании на присоединенияхк Шинам, при действии УРОВ проверки 50отсутствия напряжения на шинах и по-.дачи сигнала на включение выключателя присоединения, заранее выбранногодля АПВ шии, контролируют отсутствиенапряжения на шинах и отсутствие утока в цепи отказавшего присоединения,.и при отказе выключателя, отсутствии напряжения на шинах и...

Номер патента: 278211

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Варлинский, Ленинградский, Смолов

МПК: G06F 3/05

Метки: конденсатором, накопительным

...предельно возможной для транзисторных схем скоростью.20 Схема диодно-транзисторного устройствадля управления накопительным конденсатором показана на чертеже,Устройство состоит из мостового диодногоключа, выполненного на диодах 1 - 4, и уп равляющего триггера на двух переключателях тока с транзисторами разного типа проводимости 5 - 10. Резисторы 11, 12 и источники напряжений смещения Е и Е определяют величины токов смещения, протекающих через 30 диодный мост в открытом состоянии. Перемен278211 10 по коэффициенту передачи на равенство токов смещения устраняется путем включения в эмиттерпую цепь одного из генераторов тока переменного сопротивления 11,Наличие пусковых транзисторов 6 и 9 обеспечивает независимость точности работы диод- ного...

Номер патента: 884060

Опубликовано: 23.11.1981

Автор: Красковский

МПК: H02M 9/04

Метки: зарядки, конденсаторов, накопительных

...потенциометра 23 по ступает линейно нарастающее напряжениеживых, а на . второй вход компаратора 18 с передвижного контакта поте нциометра 32 поступает трапециидальное напряжение (1-тр) При 1-вьа ; Бр на выходе компаратора 18 имеется отрицательное напряжение, закрывающее транзистор 13, а при Бвь ) Ь на выходе компаратора 18 имеется положительное напряжение, открывающее транзистор 13. Таким образом, в каждый полупериод питающего напряжения, в момент перехода синусоиды через нуль тран 30 новления двухбазового диода 26 опреде 50 ляется постоянной времени цепочки, состоящей из резистора 24 и конденсатора 28, неизменной в процессе работы устройства и и напряжения питания этой цепочки, т. е, напряжением накопительного конденсатора 7....

Номер патента: 220309

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Вишенчук, Львовский, Швецкий

МПК: H03K 17/60

Метки: конденсатором, накопительным

...на диодах 3 и 9 и триоде 1.При отсутствии управляющего напряжения триод 1 заперт падением напряжения на открытом диоде б, через который протекает ток источника отрицательного напряжения. При закрытом триоде 1 окажутся закрытыми диоды 9 и 10, в результате чего конденсатор 8 окажется отключенным от входной схемы, и на выходе В будет такое напряжение, которое было на входе схемы в конце действия стробирующего импульса.Процессы заряда и разряда конденсатора 8до уровня входного сигнала происходят следующим образом. Если входное напряжение большое, а конденсатор 8 разряжен, то при поступлении стробирующего импульса на вход 5 Б конденсатор 8 заряжается током этого импульса через диод 10. При этом диоды б и 3, а также переход база - эмиттер...

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...