Элемент памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
су 1 ег (ЬА Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик ОПИСАНИИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(11 С киГосударствеиный иомитеСовета Мииистрае СССРпо делам изобретенийи открытий(45) Дата опубликования описания 20.01 УДК 681.327,66(088.8)(72) Литоры изобретени П. Ревенко, Е. И. Ильяшенко и В, Н, Кисел 1) Заявите МЕНТ ПАМЯТИ ышени Целью изобретения является пов ебыстродействия элемента памяти и уменьшение потребляемой мощности,Поставленная цель достигается путемтого, что в элементе памяти, содержащемтрансфлюксор с большим и малыми отверстиями, прошитыми обмотками раэблокироеки, подготовки, считывания и выходными,перемычки вокруг малых отверстий трансфлюксора выполнены из материала с коэрцитивной силой, большей, чем коэрцитивнаясила материала остальной части магнитопровода трансфлюксора,На фиг. 1 изображенпредложенный элеимент памяти; на фиг, 2 - размещение управляюших обмоток в одном из малых орверстий трансфлю ксора.Элемент памяти содержит трансфлюксор1 с малыми 2-4 и большим 5 отверстиями, Поперечное сечение. неразветвленногоучастка равно или больше суммы одинаковых поперечных сечений участков в местера зветвлен ий.Допустим,отверстия 3, и зобретение относится к ительной техники и мож о при изготовлении ЗУ звестны элементы памя флюксор с большими и и, прошитыми управляю и выь исполучисл т б ЦВМ зован Ии, содержащиемалыми отверс- ими шинами а я 1121,Один из известны содержит трансфлюкс отверстиями из мате го поперечное сечен части равно или бол сечений перемычек в магнитопроводаЩ,х элементов памятиор с большим и малымриала с ППГ, у которо ие в неразветвленнойьше суммы поперечных.местах разветвлений еским решениемется элементак и предложеЦм и малымимотками разтывания и выблизкимзобретен е аибо к данномупамяти, кный, транотверстия ржит больш ыи люк ыми о ки, сч и, прош ле мента памятиалое быстродейяемая мощность. блокировки, подготов ходными 21.Недостатками такого являются сравнительно .ствие и большая потре что перемычки вокруг малогЬ оказанные пунктиром, выпол ф531193 иг. 2Корректор . Б. Ю Составитель Ю.едактор Л. Утехина Техред М. Лико нталь Тираж 723твенного комитетаделам изобретений Ж, Раушсквя каз 5551/243 ЦНИИПИ Государс по 113035 МоскваПодписноеСовета Министрои открытийаб., д. 4/5 Филия ППП ГЬтснт, г. Ужгород, ул, Про.ктнчя нены и материала с коэрцитивной силой,большей, чем коэрцитивная сила материалаостальной части магнитопровода трансфлюксора,При этом при одновременной подаче имфпульсов токаии в обмотки считываниМ и подготовкиЮп соответственно элементспамяти намагничивается против часовой стрелки, что соответствует записи "О". Приподачэимпульсов тока 1 в обмотку Ю участкимагнитопровода вокруг отверстия 2 оказываются намагниченными в разных направлениях, что соответствует записи "1".Считывание информации осуществляетсяподачей импульса токаг в обмоткуМ.При этом материал вокруг отверстия 2перемагничивается, если в элемент записдна "1 ф или не перемагничивается, еслизаписан "О", Б выходной обмотке Ю, вэтот момент соответственно наводится сигнал "1 или "О",В режиме записи происходит.перемагничивание элемента по контуру большогоотверстия, и выполнение магнитопроводапо этому контуру из материала с относительно низким значением коэрцитивной силы приводит к уменьшению потребляемоймощности в рассмотренном режиме. Перемагничиванием элемента в режиме считывания происходит по контуру малых отверстий, и выполнение магнитопровода вокругэтих отверстий из материала с относитель но высоким значением коэрцитивной силы приводит к увеличению быстродействия в этом режиме,Принцип действия при записи и считывании информации цо остальным мадым отверстиям аналогичен рассмотренному. Формула изобретения Элемент памяти, содержащий трансфлюиф;сор с бодьшям и малыми отверстиями,прошитыми обмотками разбдокировки, подготовки, считывания и выходными, о тл и ч а ю ш и й с я тем, что, с целью 5 повышения быстродействия элемента и уменьшения потребляемой мощности, перемычкивокруг малых отверстий трансфлюксора вы" полнены из материала с коэрцитивной силой, большей, чем коэрцитивная сила ма- М териала остальной части магнитопроводатрансфлюксора.Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:25 1. Маркелов В. А. Трансфлюксоры дляЗУ с троичной системой счисления, "Элек-тронная техника", с .У 11, вып. 2, 1967 г2. Боярченков М, А, и др, "Магнитныеэлементы на разветвленных сердечниках", 30 изд-ао "Энергия", 1969 г., стр. 72 (про 1 тотип).
СмотретьЗаявка
2000776, 22.02.1974
РЕВЕНКО ВАЛЕРИЙ ПАВЛОВИЧ, ИЛЬЯШЕНКО ЕВГЕНИЙ ИВАНОВИЧ, КИСЕЛЕВ ВАЛЕРИЙ НИКОЛАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/08
Опубликовано: 05.10.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-531193-ehlement-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Элемент памяти</a>
Предыдущий патент: Усилитель считывания
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: Ячейка керра