Патенты с меткой «магниторезистивное»

Номер патента: 532130

Опубликовано: 15.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...В то же время коэффициент 6 пропорционален ширине канала, поэтому ограничение величины а не повышает чувствительность считывающего устройства.С целью повышения чувствительности магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов в нем наклонный участок канала распространения доменов выполнен в виде гребенки с параллельными ветвями, оси которых расположены под углом 20 - 40 к оси легкого намагничивания магнитной пленки.На фиг. 1 и 2 изображены возможные конструкции магниторезистивного устройства для считывания плоских магнитных доменов.Устройство содержит низкокоэрцитивный канал 1, предназначенный для управляемого распространения домена обратной намагниченности по высококоэрцитивной магнитной пленке 2 и...

Номер патента: 533982

Опубликовано: 30.10.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...канала распространения плоских магнитных доменов, выходной участок которого выполнен симметрично относительно оси канала.На фиг, 1 и 2 изображены возможные конфигурации магниторезистивного устройства,Устройство содержит канал 1 распрострапения плоских магнитных доменов, расположенный в тонкой магнитной пленке 2 и имеющий выходной участок 3, симметричный относительно оси 4 канала. Ось канала направлена параллельно оси 5 легкого намагничивания пленки 2. Измерительный узел подключают к контактным площадкам б, 7 и 8, Два плеча симметричной структуры измерительного узла включают в измерительную схему как смежные плечи моста, причем контактная площадка 7, пересекаемая осью 4 канала, является общим контактом двух смежных плеч...

Номер патента: 538420

Опубликовано: 05.12.1976

Авторы: Васильева, Седых, Фиошкина

МПК: G11C 11/14, G11C 7/00

Метки: доменов, магнитных, магниторезистивное, плоских, считывания

...с фотолитографии этих слоев.Поставленная цель достигается путем того, что в предложенном магниторезистивном устройстве для считьвания плоских магнитных доменов, содержащем расположенный в тонкой магнитной пленке участок низкокоэрцитивного канала распространения доменов, окруженный высококоэр. цитивным участком пленки и соединенный с контактными выводами, контактные вьводы выпол538420 2 иг. иг Составите Ю. РозентальЛикович едактор Л. Утехина ехред оррек каз 5724/3 Тираж 720 ИИПИ ГосударственногПодлисноенистров ССС омитета Сове изоб й и открыти по дел035, Мо 35, Раушская наб., д ква,илиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 иены в виде высококоэрцитивных участков магнитной пленки, отделенных от остальной пленки изолирующими...