Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава

Номер патента: 706994

Авторы: Максимов, Сидоров

Описание

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава на основе твердых растворов полупроводниковых соединений III-V методом газовой эпитаксии, включающий подачу в зону осаждения галогенидов, элемента III группы из его источника и паров элемента V группы потоком газа-носителя и изменение состава подаваемой парогазовой смеси в процессе осаждения, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала изменения состава твердого раствора и упрощения процесса, для элемента III группы используют источник с полузакрытой поверхностью, а изменение состава парогазовой смеси ведут путем изменения подачи галогенида элемента V группы за время 0,01 - 1,0 мин.

Заявка

2578630/26, 10.02.1978

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Максимов В. Л, Сидоров Ю. Г

МПК / Метки

МПК: C30B 25/02

Метки: переменного, состава, структур, эпитаксиальных

Опубликовано: 10.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-706994-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-struktur-peremennogo-sostava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава</a>

Похожие патенты