Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава

Номер патента: 646389

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Гимельфарб, Коробов, Лупачева, Маслов

МПК: H01L 21/36

Метки: градиентом, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, состава, эпитаксиального

...вдвух направлениях; собственно варизонныйэпитаксиальный слой 8,Таким образом,роцесс наращивания варизонного слоя складывается из трех этапов: наращивание в течение времени т, буферного слоя (фиг, 1, а); наращивание пере.ходцого слоя в течение временит переходного слоя переменного состава в двух направлениях из перемещающегося составного источника переменного состава (фиг. 1, а );наращивание собственно варизоцного слояв течение времени тв из неподвижного источника переменного состава (фиг. 1, б).Согласно предлагаемому способу выращивацце эпитаксиальной структуры с градиентом состава в плоскости роста эпитаксиального слоя производят при использовании твердого источника с градиентом состава по поверхности, скомпонованного в графитовом...

Номер патента: 925024

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Барушков, Крылов, Салганский, Цветков

МПК: G01N 30/08

Метки: веществ, групп, летучих, примесей, хлоридах, элементов

...через реакционно-аналитическую колонку происходит отделение анализируемых примесей от основы путем взаимодействия треххлористого бора с полиметилсилоксаном с образованием нелетучего комплекса с теплотой образования це более ккал2. Отделенные органические примольмеси и тетрахлорид кремния далее разделяются также на 1 гг 1 С, Предел обнаружения анализируемых примесей при пробе (0,5-1 мкл). составляет 10 - 10(данные приведены в таблице). Как видно цз данных таблицы, диапазон анализируемых примесей узок.Продолжительность работы колонки при такой пробе составляет 130-150 анализов, что соответствует 25% использования комплексообразонателя (полцметилсилоксана).Кроме того, известно, что только треххлористыч бор образует комплексы с...

Номер патента: 1688319

Опубликовано: 30.10.1991

Авторы: Ляшенко, Талалаевский, Хвастухин, Чевнюк, Яковлев

МПК: H01P 1/215, H01P 1/30, H01P 9/00

Метки: свч-элемент, структуре, ферритовой, эпитаксиальной

...2 при изгибе термобиметаллической пластины 3, что и обеспечивает достижение цели, 1 ил. пластина 3, температурный коэффициент расширения которой со стороны подложки 1 больше температурного коэффициента расширения другой стороны.СВЧ-элемент на эпитаксиальной ферритовой структуре работает следующим образом.При изменении температуры изменяется намагниченность насыщения пленки 2, ее константы магнитной анизотропии и упругие напряжения на границе подложка 1 - пленка 2, Это вызывает изменение магнитных полей в пленке 2; размагничивающего поля, эффективного поля кристаллографической магнитной анизотропии и поля одноосной анизотропии, вызванного упругими напряжениями, что должно было бы приводить к температурному смещению рабочей1688319...

Номер патента: 28583

Опубликовано: 31.12.1932

Авторы: Иванов, Щедрин

МПК: H01F 30/14, H02M 5/14, H02P 13/06

Метки: изменения, переменного, фаз, числа

...от друга на 120 .электрических градусов переменным трехфазным током (фиг.:1).Для замыкания вращающегося потока ротор вставлен в статор, неимеющий .никакой обвртки (фиг. 1) или имеющий обмотку 2, соединенную параллельно с обмоткой ротора (фиг. 2). ЭДС, сдвинутая любым образом по отношению ЭйС питающего трехфазного тока, берется между нулевой точкой и любой коллекторной пластиной. Нулевая точка может быть получена при помощи сопротивлений 4 (фиг. 1) или как нулевая точка звезды статора 2-(фиг. 2). Для регулирования сдвига фаз необходимо передвигать щетку 3 по коллектору, при чем угол сдвига изменяется на величину, соответствующую угловому расстоянию между коллекторными .пластинами. Для . получения более плавной регулировки к основной ЭДС...

Номер патента: 314203

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гг, Гуг, Мишин, Сидристый

МПК: G06F 7/00

Метки: вычислительной, настройки, переменной, среды, структурой, элемент

...полосы Л 10, П 11 без инверсии (когдатриггер активности находится в состоянии1); при поступлении на;полюс П 9 сигналаО логический элемент пропускает сигналы5 с выходов триггеров устройства хранения инфор,мации на полюсы П 10, П 11 с инверсией(когда триггер активности находится в состоянии 1). Полюс П 4 - вход установки в Отриггеров устройства хранения информации;О полюс П 7 предназначен для установки в Отриггеров устройства хранения информацииври условии, что триггер активности находится в состоянии 1. Полюс П 13 - управляющий вход схемы совпадения, предназначендля задания режима работы элемента; приподаче ца этот полюс сигнала 1 ца выходесхемы совпадения установится сигнал 1(при условии, что,код, поступающий ца полюсы П 1, совпадает с...