Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
2578630/26, 10.02.1978
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Максимов В. Л, Сидоров Ю. Г
МПК / Метки
МПК: C30B 25/02
Метки: переменного, состава, структур, эпитаксиальных
Опубликовано: 10.06.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-706994-sposob-polucheniya-ehpitaksialnykh-struktur-peremennogo-sostava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава</a>
Предыдущий патент: Катодный узел косвенного накала торцового типа
Следующий патент: Катализатор для окислительного дегидрирования олефиновых углеводородов
Случайный патент: Система для резервного питания нагрузки постоянным током