Стериополо

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.

Номер патента: 1810841

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Стериополо, Шимберг

МПК: G01R 29/10

Метки: антенной, встроенного, решетки, фазированной

...ФАР 4, по тракту 3 в обратную сторону, от ФАР 4 к циркулятору 2, проходит отраженный сигнал,Через циркулятор 2 отраженный сигнал проходит на вход смесителя 5, где из него выделяется сигнал с частотой манипуляции Рм.Отраженный сигнал на входе смесителя 5 можно представить в виде следующей суммыОотр = Ообщ + О =, ОпадГобщ ++ Опад е . 31 ц,где 511 - коэффициент отражения диафрагмы 14, в которую входит контролируемый в данный момент и коммутируемый с частотойРм ри-диод:Гобщ = Г - 511 - часть общего коэффициента отражения, которая остается неизмен 5 ной при коммутации контролируемого ридиода диафрагмы;р - характеризует фазу сигнала, прошедшего от входа фидерного тракта 3 доконтролируемой диафрагмы 14 и обратно до. Как указывалось выше,...