Способ зонной плавки металлов

Номер патента: 787911

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Изгорев, Недужий, Пащенко, Шутов

МПК: G01J 5/14

Метки: металла, расплава, температуры

...точности измерения температурырасплава металла,Указанная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем измерительный элементв защитном кожухе и индукционную катушку,ось которой совпадает с осью канала визнрова.ния, индукционная катушка выполнена подвижной относительно поверхности расплава в вертикальной плоскости, причем в рабочем положении между торцом катушки и мениском расплава имеется зазор.25В нижнем рабочем положении индукционнаякатушка расположена на требуемом расстоянииот поверхности расплава, что позволяет создавать при помощи электромагнитного поля катушки необходимую высоту подъема расплава,достаточную для освобождения поверхностирасплава, на которую виэируется измерительныйэлемент, от шлака. Поскольку при этом...

Номер патента: 1317321

Опубликовано: 15.06.1987

Автор: Гребенник

МПК: G01N 11/00

Метки: металлов, расплавов, растекаемости

...- сплав серебро-галлий),Способ реализуется следующим обнение ширины растекшейся полосы в разных точках г, включая 0 и Е (фиг. 1), соответствующие разным толщинам 9(к) металлизирующей пленки, строят графики х=1(9) для всех полос с различными толщинами Ь,.По графикам определяют оптимальНые условия растекаемости - толщину металлизирующей пленки % металла и толщину Ь, растекающейся полосы (фиг. 1), которым соответствует максимальное растекание х, (фиг.2).При конкретной реализации разработанного способа контроля растекаемости в.тонкопленочной системе жидкий галлий - сплав АяСа.На поверхность тонкой пленки сплава переменной толщины, изменяющейся в пределах 10-50 нм, наносили через щели шириной х,=0,03 см полосы галлия длиной 1,=8 см разной...

Номер патента: 1221582

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Глазов, Ким

МПК: G01N 29/02

Метки: исследования, металлов, полупроводников, расплавов, ультразвуковой

...исследуемый расплав, выдерживают его при заданной температуре в течение времени, необходимого для установления термодинамического равновесия, Через нижний неподвижньй звукопровод 1 с помощью пьезоэлемента 3 в расплаве металла или полупроводника возбуждают ультразвуковые колебания, Через подвижный звукопровод 2 с помощью пьезоэлемента 4 принимают ультразвуковые колебания, которые проходят через исследуемый расплав, Рассчитывают скорость распространения ультразвуковых волн. Затеи проводят аналогичные измерения при других расстояниях между точками возбуждения и приема. Причем расстояние между этими точками измеряют дискретно с увеличением на заданньй шаг (ьи = п % , где и - целое число; Я длина ультразвуковой волны), Строят...

Номер патента: 978018

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Коэмец, Маурин, Панфилов, Снегирев, Таксис

МПК: G01N 17/00

Метки: образцов, огнеупорных, расплавам, стойкости, трубчатой, формы

...печи, поднимают температуру до образования расплава, после чего приводятвал 5 во вращение (возможно качание).50В процессе вращения центробежныесилы и силы трения поднимают расплав, который под действием силы тяжести стремится занять исходное положение, в результате чего образуется непрерывный поток расплава по металлопроводу. При этом создаются условия близкие к условиям эксплуатации огнеупорных материалов в периодическом режиме, образцыподвергаются эрозиониому и коррозионному воздействию составных компонентоврасплава,По мере необходимости, в зависимостиот задачи исследования, включают приставку 11 источника электромагнитного поля.Выключение установки производят вобратном порядке,Скорость потока расплава рассчитывают по угловой скорости...

Номер патента: 641890

Опубликовано: 05.01.1979

Авторы: "пьер, Даниель, Жак, Клод

МПК: H01J 1/312, H01J 9/02

Метки: металл-диэлектрик-металл, типа, эмиттера

...эмиттеров, содержащих диэлектрический слой,расположенный между двумя металлическими слоями 11). Диэлектрический слойобычно изготавливается из окисных пленок, например А 8 еО ипи Ве О, Такиеэмиттеры получают путем электропитичеокого осаждения на металлическую подложку слоя диэлектрика 21,Указанный способ трудно реализоватьпри формировании слоев диэлектрика набольшой площади подложки,Цель изобретения - упрощение технологии получения слоя диэлектрика,Поставленная цель достигается тем,что готовят раствор из органическогорастворителя (гексаметилфосфоротриамидаи тетрагидрофурана) и электролита-перхлората щелочного металле, погружаютв этот раствор металлическую подложку,подают нв нее отрицательное напряжи проводят осаждение...