Способ эпитаксиального выращивания полупроводников

Номер патента: 1572337

Опубликовано: 30.11.1991

Автор: Мягконосов

МПК: H01L 21/312

Метки: подложке, слоя, сушки, фоторезиста

...метод для измерения изменениядиэлектрической проницаемости материаласлоя. В этом случае определение временитермообработки, требуемого для воспроизводимого получения Высококачестгеных 35покрытий из фоторезиста, осуществляютизмерением времени изменения значенийдиэлектрической проницаемости материала слоя емкостным меодом,Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображено устройство для реализации предложенного способа.Устройство содержит камеру 1 групповой обработки, состоящую из корпуса 2 суплотнением 3, и.крышки 4 и снабженную 45нагревателем 5, кассету бс подложками 7 сослоями 8 фоторезиста, размещеннуо В камере 1, блока контроля параметров слоя фоторезиста, состояЩего из датчика 9 снанесенным на него слоем Фоторезиста,...

Номер патента: 1007764

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Белицкая, Белицкий, Лазаренко, Мервинский, Николайчук, Яхимович

МПК: B08B 3/10

Метки: металлической, подложки, слоя, удаления, фотополимерного

...температуре.П р и м е р 1 (прототип). Фото" полимерная печатная форма на основе ацетосукцината целлюлозы после печатания тиража укладывается в ванну с 1-ным раствором едкого натра, подогретым до 45 С. После выдерживания в течение 60 .мин фотополимерный слой отделяется от металлической подложки протиранием металлической щеткой в течение 5 мин. На металли 5 10 ческой подложке после промывания водой обнаружены очаги коррозии.П р и м е р 2 (известный).Фотополимерная печатная форма на основе ацетосукцината целлюлозы подвергается кипячению в водопроводной воде на протяжении 80-100 мин, после чего фотополимерный слой частично отделяется от металлической подложки немедленным протиранием с усилием металлической щеткой в течение 10-15 мин.П р...

Номер патента: 1693483

Опубликовано: 23.11.1991

Авторы: Бендерский, Ржевский, Рупчев

МПК: G01N 21/45

Метки: подложках, показателя, преломления, прозрачных, слоев

...нормальны к зондирующему излучению, Один пучок проходит сквозь исследуемую пленку и подложку, другой - через подложку без пленки,Линия г.рорези перпендикулярна осивращения пластинки, а сама ось вращениялежит в плоскости зондирукгщих пучков. Отъюстированное на бесконечную полосу излучение интерферометра попадает на оптическое приемное устройство 9, электрический сигнал которого подается на один из входов двухкоординатного самописца, Второй вход самописца соединен с потенциометром, напряжение на котором пропорционально углу поворота образца,Включение двигателя разворота пластинки приводит к одновременному изменению напряжения на выходе оптического приемного устройства и напряжения на потенциометре, отсчитывающем угол поворота 25 30 35...

Номер патента: 1697912

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Горбань, Шереметьев

МПК: B08B 7/04

Метки: металлической, подложки, слоя, удаления, фотополимерного

...осуществляют путем пропускания через подложку импульса электрического тока длительностью 1-2 с с амплитудой, достаточной для газовыделе1697912 их месте островки золы впоследствии при необходимости могут быть легко удалены механическим путем. Получают рекуперированный стальной скрап, освобожденный от слоя полимера, В качестве отходов получают остатки полимерного материала в виде бесформенных осколков, общая масса которых составляет около 70 - 80; от первоначальной массы слоя, а также твердые продукты сгорания в виде золы и ококсовавшихся мелких частиц полимеров, и газообразные продукты сгорания, в состав которых входит углекислый гаэ и пары воды,Составитель А.ОжередовТехред М.Моргентал Корректор О.Кундрик Редактор О.Спесивых Заказ 4349...

Номер патента: 204088

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Московский, Сплавов, Чист

МПК: C23C 16/08, C23C 28/00

Метки: веществ, слоев, соединений, химических, элементарных, эпитаксиальных

...конденсацией из пара в вакууме вначале получают гетероэпи.таксиалыный слой металла на полупроводнике и его последующим вплавлением добиваются создания равномерного тонкого слоя жидкой фазы, из которои происходит процесс автоэпитаксии полупроводника, легированного заданной примесью (получение электронно.30 дырочного р-п, гг-р - пепехода) с образоча204088 Предмет изобретения Составитель О. Федюнина Редактор А. Шиллер Текред А, А. Камышникова Корректоры; О, Б, Тюрина и С, ф, ГоптаренкоЗаказ 3832/8 Тираж 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д, 4 Типография, пр. Сапунова, 2 нием на поверхности металлического слоя, обеспечивающего омический контакт. Причем без...