Патенты с меткой «газопламенным»

Номер патента: 495096

Опубликовано: 15.12.1975

Авторы: Головкин, Максимов, Соколов, Фролов

МПК: B05B 7/20

Метки: газопламенным, нанесения, напылением, покрытий

...устройство.Устройство для нанесения покрытий состоит цз последовательно расположенных головки 1 и корпуса 2, имеющего трубку 3 для подачи кислорода, трубку 4 для подачи ацетилена ц трубку 5 лля подачи сжатого воздуха через лцффузор 6 в зону распыления. Корпус 2 с помощью шарнира 7 соединен с корпусом 8, через который прохолят трубки 9 и 10 лля дополнительной подачи соответственно кислорода и ацетилена.Ацетилена-кислородная смесь поступает в зону плавления через трубку 11 с регуляторами 12 ц 13. Регулируемую подачу в зоне распыления кислорода обеспечивают с помощью трубки 14 ц вентиля 15. Трубки 11 и 14 снабжены насадком 16, который в зону рас/4 Изд. М ЦНИИПИ Государств по дел Москва, аказ 3 Тираж 8 б 9овста...

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.