Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов

Номер патента: 948170

Авторы: Кантер, Сидоров, Шахина

Описание

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.

Заявка

3005010/26, 18.09.1980

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Кантер Ю. О, Сидоров Ю. Г, Шахина Т. В

МПК / Метки

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, полупроводниковых

Опубликовано: 10.06.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-948170-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-poluprovodnikovykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов</a>

Похожие патенты