Рейтеров

Номер патента: 1037690

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Лисицын, Лисицына, Рейтеров, Трофимова, Чинков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, металлов, фторидов, щелочноземельных

Способ получения кристаллов фторидов щелочноземельных металлов из расплава шихты, содержащей добычу фторида иттрия, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационно-оптической устойчивости кристаллов, процесс ведут из шихты, содержащей одновременно примесь фторида натрия или калия при весовом соотношении между добавкой фторида иттрия и примеси 0,2 - 0,5 и концентрации фторида иттрия не более 1 мол.%.

Номер патента: 683064

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Квашнин, Рейтеров, Соколов

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, термической

Устройство для термической обработки веществ в контролируемой атмосфере, включающее рабочую камеру с вертикально расположенным цилиндрическим нагревателем, стопу тиглей чашеобразной формы, установленную на подвижной по вертикали опоре, загрузочную и разгрузочную камеры, отделенные от рабочей камеры шиберами, и транспортные средства для перемещения тиглей, отличающееся тем, что, с целью создания в тиглях осевой симметрии теплового поля и возможности выращивания кристаллов, шибера укреплены на штоках, расположенных по вертикальным осям загрузочной и разгрузочной камер, тигли выполнены с выемками на внешней боковой поверхности и транспортные средства - в виде захватов, консольно укрепленных на...

Номер патента: 1149562

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Антохина, Ипполитов, Назаренко, Пучкина, Рейтеров, Уминский, Цветников

МПК: C01B 9/08

Метки: кальция, магния, фторидов

Способ очистки фторидов магния и кальция, включающий термообработку их в атмосфере фтористого водорода, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа за счет снижения температуры процесса, фтористый водород берут в смеси с водородом.

Номер патента: 1593116

Опубликовано: 27.08.1999

Авторы: Калачева, Маркеев, Мельниченко, Петрова, Помадчин, Раков, Рейтеров

МПК: C01F 17/00

Метки: комплексных, лития, редкоземельных, фторидов, элементов

Способ получения комплексных фторидов редкоземельных элементов и лития, включающий обработку водных растворов смеси солей редкоземельных элементов и лития реагентом-осадителем и спекание образовавшегося осадка, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса за счет непосредственного выделения фторидов из растворов, в качестве реагента-осадителя используют бифторид аммония или раствор фтористоводородной кислоты, образовавшийся осадок высушивают при 50 - 150oC до влажности 0,2 - 2,0%, а спекание ведут при 350 - 500oC.

Номер патента: 1412546

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Балашов, Бондарчук, Васильев, Герасюк, Ермикова, Мысовский, Парфианович, Рейтеров, Чепурной, Чуфистов, Шкадаревич, Шляк, Янчук

МПК: H01S 3/11, H01S 3/16

Метки: активных, затворов, лазера, пассивных, элементов

Способ изготовления активных элементов и пассивных затворов для лазеров на основе монокристаллов фтористого лития с F-2-центрами окраски, включающий облучение кристаллов ионизирующей радиацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения стабильности энергетических параметров среды, облученные монокристаллы дополнительно отжигают при температуре не выше 368 5 К до установления неизменного значения коэффициента оптического поглощения во времени.

Номер патента: 1307423

Опубликовано: 30.04.1987

Авторы: Архангельская, Рейтеров, Трофимова, Шишацкая

МПК: G02B 5/22

Метки: оптический, фильтр

...15Повышение фотохимической стойкос ти предлагаемого светофильтра проис+ходит за счет того, что ионы Егзамещающие регулярные катионы Вав кристалле Ба (и его аналогов СаР 20или БгГ ), выращенном в присутствии2РЬГ , имеют локальную компенсациюизбыточного положительного заряда вформе междоузельных ионов фтора ипрактически не изменяют своей валентности под действием излучения ртутного разряда. Это обеспечивает неизменность поглощения таким светофильтромв области Л = 254 нм.Кристалл ВаР:ЕгР (7 мас.%) выращиу Звают методом Стокбаргера-Степанова.Вовремя роста кристалла имеет место реакцияВаО + РЬГ - БаГ + РЬО,2Образовавшаяся смесь свинца при 35температуре плавления кристалла улетучивается из расплава до начала кристаллизации, в то время как...

Номер патента: 998600

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Апинов, Икрами, Рейтеров, Шишацкая

МПК: C30B 33/00

Метки: окон, оптических, полирования

....эмаль к стеклянной колбе источника или приемника ВУЧ излучения соответствует кривой 2. Отсутствие крутого подъема С(А ) от границы пропускания окне и 3 ЗЕ наличие полос поглощения по всей спектральной кривой 1 объясняется эффектом светорассеяния на поверхностных микро- неровностях, наличием в приповерхностном нарушенном (трешиноватом) слоев следовполировочной пасты и промывочных жидкостей, используемых при обработке окон, наличием тончайших адсорбированнцх пленок воды из атмосферы, образующихся при хранении окон. Несе-лективное поглощение в спектре припаОО фяных окон (кривая 2) объясняется по-глощением распылившейся в процессегазовыделения во время пайки и приплавившейся к поверхности окна тончайшей пленки из стеклоэмали,Обработка...

Номер патента: 998352

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Икрами, Лугинина, Ольховая, Рейтеров

МПК: C01F 11/22

Метки: бария, кальция, стронция, фторидов

...реактор и ставят в печь. Печь нагревают до и с 50 - 60%.ным избытком при получении 300 С со скоростью 2,5 гремин, затем до800 С со скоростью 35 град/мин и выдержиОтличительными признаками способа яв- вают при этой температуре .1 ч. Выход целеволяются: скорость нагрева и температуры на го продукта не менее 99,4%. Содержание грева и прокалки, примесей тяжелых и цветных металлов: желе.Дополнительным отличительным признаком за марганца, меди, хрома, никеля, кобальта, свинца, является количество фторида аммония. 0 молибдена4 310 4% согласно даннымП р и м е р, Для получения 66,6 г фто- эмиссионно - спектрального анализа.рида бария готовят смесь путем растирания В табл. 1 иприведены зависимости и тщательного перемешивания, состоящую...

Номер патента: 445462

Опубликовано: 05.10.1974

Авторы: Бодячевский, Каган, Климовицкий, Липов, Рейтеров, Рубин, Симун, Соколов, Фельдман, Хазанов

МПК: B01J 17/06

Метки: выращивания, кристаллов

...устанонне на всей внутренней поверхности печи установлены сенциониронанные нагреватели.На чертеже изображена схема описываемой устанонни, нид сверху.Устанонна содержит нагренатели 1-4 с наждой торионой стороны3тигля и несколько например,три)боковых нагревателей б, тепло-.изоляцив 8 и неподвижный тигель 9Боковые нагреватели управляютормой Фронта кристаллизации засчет регулирования соотношениярадиального и осевого тепловыхпотоков в вристаллизуемом материале. Осевой градиент температуры создают тепловым потоком междуверхним 1,2 и нижними 3,4 торцовыми нагревателями.Установка работает следующимобразом,После загрузки тигля и расплавления материала температурунагревателей 1-7 подбирают так,чтобы обеспечить необходимыйтемпературный...