Способ выращивания монокристаллических слоев

Номер патента: 1775456

Опубликовано: 15.11.1992

Автор: Пак

МПК: A01B 79/02, A01C 1/04, C09K 17/00

Метки: выращивания, растений, рекультивационного, слоя, формирования

...подстилающей поооды 1(фиг,1) с помощью разбрасывателя органических удобрений РТОполосами с толщиной слоя 3-5 см и шириной, ограниченной дальностью разброса, наносят смесь мульчесеменного слоя 2. Поливочной машиной, идущей по колее РТО. производят увлаж 1775456 А 1(57) Сущность изобретения: заключается в нанесении на подстилающие породы полосами толщиной 3 - 5 см мульчесеменного слоя, состоящего из смеси (мас.ч.) растительных остатков 10 и навоза 1 с последу ощим покрытием их слоем утяжелителя, состав которого содержит (об.ч.) цемент 1., известковое тесто 1 и песок 3, который затем перфорируют, 1 з.п. ф-лы, 2 ил,водой (растворами минеральных ний) до полного насыщения водой. Я енную полосу перфорируют. Затем поверхность,...

Номер патента: 949979

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Брантов, Татарченко, Хлесткин, Эпельбаум

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллических, ориентированных, слоев

...верхнего тигля по капиллярному зазору между пластиной питателя и подложкой-кристаллом проникает в нижний тигель, НедоСтатком устройства является то, что работа его верхней части возможна при использовании предварительно подготовленных подложек, при этом площадь контакта подложки с расплавом вследствие его затекания в щель между питателем и подложкой определяется площадью пластины питателя, вдоль которой протягивается подложка. Значительная величина зоны контакта расплава с подложкой приводит к ухудшению 25 качества выращиваемого слоя вследствие загрязнения расплава примесями.Цель изобретения - снижение загрязнения примесями выращиваемых сло- ЗО ев за счет уменьшения зоны расплава, контактирующего с подложкой, и увеличение...

Номер патента: 348132

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александров, Клименко, Ржанов

МПК: H01L 21/18

Метки: инородным, кремния, монокристаллических, пластин, подложкам, присоединения

...пластиной и подложкой промежуточного слоя из мате- . ЗО риала, имеющего меньшую температуруплавления,.чем температура плавленияматериала пластины, и способного об- .разовывать.с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердыхрастворов. В результате прочно соеди-няются подложка с промежуточным слоемпри расплавлении последнего, а такжепромежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, прикоторых материал пластины еще относительно мало химически активен. Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и...

Номер патента: 650273

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: C30B 15/10, C30B 15/34

Метки: волокон, вытягивания, монокристаллических, нескольких, одновременного, расплава

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон, включающее тигель и установленный в его полости блок линейно расположенных формообразователей с вертикальными капиллярными каналами, выполненными из электропроводного материала, и источник тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса и прочности получаемых волокон, тигель имеет форму лодочки, торцовые стенки которой присоединены к источнику тока при помощи токоподводов, и блок выполнен из двух пластин, установленных вдоль лодочки параллельно одна другой, причем боковые торцы пластин прикреплены к торцовым стенкам лодочки и на их верхних торцах между капиллярными...

Номер патента: 1574696

Опубликовано: 30.06.1990

Автор: Абдуллаев

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава, раствора

...4 так, что ее вертикальные участки размещены в разных температурных зонах.Устройство работает следующим образом.Смесь безводного Сг, Сз, Сд и Яе, взятые в соотношении 1:2:2, загружают в ампулу 1 через загрузочный патрубок 2. В процессе загрузки в ампулу 1 помещают затравки. Затем ампулу 1 откачивают до 50мм рт. ст, и запаивают загрузочный патрубок 2. Ампулу 1 устанавливают в печи 4 патрубками 2 и 3 вверх. Включают Я 111 5746 ре вано в полупроводниковои промышленности, Обеспечивает управление скоростью потока раствора-расплава. Устройство содержит кварцевую ампулу в виде трубчатой рамы. Верхний горизонтальный участок рамы снабжен загрузочным и подпитывающим пагрубками. Патрубки соединены между собой в месте присоединения к ампуле. Ампула...