Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава

Номер патента: 1496325

Авторы: Детков, Киржайкин, Лебедева, Скачкова, Чунтонов, Яценко

Описание

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2},
где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;
R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,
удовлетворяющие выражениям


где G - осевой градиент температуры, К/м;
m - наклон линии ликвидуса, безразмерная величина;
C* - концентрация в объеме раствора, ат.%;
D - коэффициент диффузии избыточного компонента, м2/с;
K - равновесный коэффициент распределения, безразмерная величина;
- толщина диффузионного пограничного слоя, м;
Cе - состав эвтектики, ат.%.

Заявка

4211817/26, 17.03.1987

Институт химии Уральского научного центра АН СССР

Чунтонов К. А, Киржайкин А. Г, Детков А. В, Яценко С. П, Скачкова Л. М, Лебедева С. И

МПК / Метки

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава

Опубликовано: 27.11.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1496325-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-iz-rastvora-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава</a>

Похожие патенты