Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;
R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,
удовлетворяющие выражениям


где G - осевой градиент температуры, К/м;
m - наклон линии ликвидуса, безразмерная величина;
C* - концентрация в объеме раствора, ат.%;
D - коэффициент диффузии избыточного компонента, м2/с;
K - равновесный коэффициент распределения, безразмерная величина;

Cе - состав эвтектики, ат.%.
Заявка
4211817/26, 17.03.1987
Институт химии Уральского научного центра АН СССР
Чунтонов К. А, Киржайкин А. Г, Детков А. В, Яценко С. П, Скачкова Л. М, Лебедева С. И
МПК / Метки
МПК: C30B 11/02
Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава
Опубликовано: 27.11.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1496325-sposob-vyrashhivaniya-monokristallov-iz-rastvora-rasplava.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава</a>
Предыдущий патент: Устройство для поворота передней опоры шасси самолета
Следующий патент: Способ мелиорации земель в зоне многолетней мерзлоты
Случайный патент: Устройство для полива электрически заряженной водой