Способ получения полупроводниковых структур
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью получения структуры требуемой конфигурации, примесь наносят локально.
Заявка
2847593/26, 07.12.1979
Институт физики полупроводников СО АН СССР
Мустафин Т. Н, Попов В. П, Серяпин В. Г, Смирнов Л. С
МПК / Метки
МПК: C30B 31/22
Метки: полупроводниковых, структур
Опубликовано: 27.05.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-849795-sposob-polucheniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения полупроводниковых структур</a>
Предыдущий патент: Устройство для считывания информации
Следующий патент: Способ магнитогравитационной сепарации
Случайный патент: Способ калибровки усилителей постоянных токов