Способ получения полупроводниковых структур

Номер патента: 849795

Авторы: Мустафин, Попов, Серяпин, Смирнов

Описание

1. Способ получения полупроводниковых структур, включающий создание на поверхности полупроводниковой пластины аморфного слоя и нанесение примеси на полупроводниковую пластину для регулирования скорости кристаллизации в процессе последующей термообработки, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества полупроводниковых структур, примесь наносят на пластину со стороны, противоположной аморфному слою.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью получения структуры требуемой конфигурации, примесь наносят локально.

Заявка

2847593/26, 07.12.1979

Институт физики полупроводников СО АН СССР

Мустафин Т. Н, Попов В. П, Серяпин В. Г, Смирнов Л. С

МПК / Метки

МПК: C30B 31/22

Метки: полупроводниковых, структур

Опубликовано: 27.05.2000

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-849795-sposob-polucheniya-poluprovodnikovykh-struktur.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения полупроводниковых структур</a>

Похожие патенты