Способ получения полупроводниковых структур

Номер патента: 1396862

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/316

Метки: полупроводниковых, приборов, структуры

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий нанесение на поверхность структуры полупроводникового прибора, содержащего алюминиевую металлизацию двухслойного диэлектрического покрытия, первым из которых является фосфорсиликатное стекло, и вскрытие в покрытии контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности работы приборов и увеличения выхода годных приборов путем улучшения качества диэлектрического покрытия, на слой фосфорсиликатного стекла методом низкотемпературного разложения моносилана в высокочастотном разряде осаждают пленку аморфного кремния толщиной 500 1000 нм, причем осаждение аморфного кремния до толщины пленки 50 нм проводят со скоростью 5 15 нм/мин, а затем структуру подвергают отжигу в...

Номер патента: 1480664

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Колоскова, Локтаев, Нисневич

МПК: H01L 21/225

Метки: многослойных, полупроводниковых, приборов, структур

Способ изготовления многослойных структур полупроводниковых приборов, включающий очистку пластин кремния, осаждение на одну поверхность пластин пленкообразующего раствора с легирующими примесями, осаждение на другую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, содержащего этиловый спирт, азотнокислый алюминий, борную кислоту и тетраэтоксисилан, и проведение одновременной диффузии путем термообработки, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для изготовления многослойных структур тиристоров и транзисторов одной термообработкой, проводят осаждение на вторую поверхность пластин кремния пленкообразующего раствора, дополнительно содержащего ортомышьяковую...

Номер патента: 1336725

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Дениженко, Марфель

МПК: G01R 31/26

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур по авт. св. 1222145, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено аттенюатором, коммутатором, сумматором и инвертором, при этом первый выход генератора трапецеидального напряжения соединен с вторым входом регистратора через сумматор, к второму входу которого через аттенюатор подключен выход коммутатора, первый и второй управляющие входы которого соединены соответственно с вторым и третьим выходами генератора трапецеидального напряжения, выход регистратора подключен к первому входу коммутатора и через инвертор к второму входу коммутатора.

Номер патента: 701414

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Асвадурова, Онуприенко, Стагис, Требоганов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, структур, тепловых, характеристик

...нагревать поверхность пассивных многослойных структур сфокусированным излучением, что необходимо для измерения их тепловых сопротивлений ( Рт).Совмещение оси лазерного излучения с оптической осью ИК-обЪектива позволяет юстировать обе системы по видимому излучению, что существенно повышает точность при количественном измерении тепловых сопротивлений.Расположение приемника ИК-излучения и измеряемого объекта в двойных фокусных расстояниях ИК-объектива позволяет измерять температуру с маленького пятна, равного рабочей плошал ке прненика ИК-излучения, в центре источника тепла, т,е, температуру, близкую к максимальной (Т), что повышает абсолютную величину теплового сопротивления и точность при ее количественном измерении.Подсоединение...

Номер патента: 1137898

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Рыскин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нагрева, полупроводниковых, приборов, структур

...Одциковых приборов, Обусловленная тем, что у теплоемких прибороводного типа, имеющих разброс теплового сопротивления, импульс греющей5мощности определенной формы и длительности будет вызывать различныйнагрев,Наиболее близким по своей технической сущности является способ нагрева структур теплоемких полупрово 1 никовых приборов, заключающийся вподаче на прибор серии импульсовпостоянной мощности с контролем величины нагрева структуры в паузах между импульсами и прекращение подачиимпульсов в момент достижения температурой нагрева структуры заданнойвеличины.20Недостатком этого способа являет-.ся низкая производительность нагрева,т.к. при нагреве структур полупроводниковых приборов импульсами постоянной мощности, нагрев приборов одноготипа,...